DC초퍼를 이용한 단상유도전동기의 속도제어에 관한 연구

김경현 조선대학교 2000 국내석사

The common strategy of speed control of single-phase induction motors depends mainly upon controlling the applied voltage on the motor. Changing the applied voltage on the motor can be effected by several techniques. Some on these techniques employ auto-transformers or add extra winding, as required, to the main or auxiliary winding. The other approaches use power electronic devise such as TRIAC. Each one of these methods have advantage and disadvantage. Single-phase induction motors are always small and are seldom built in sizes over fractional horsepower ratings. Existing frequency control devices offer a wide range of speed control but are considered expensive with respect to these small motors. A new concept would be to control the input supply frequency to a single-phase induction motor by a single controlled forced commutated device. This approach is the intent of this paper. The paper presents a new drive for single-phase induction motor. This drive employs a bridge rectifier connected with the stator in a non-conventional fashion. The speed of the single-phase induction motor is controlled by controlling the chopping frequency of the chopper switch. The attractive feature of the drive is that it effects both frequency and dc chopping simultaneously. The drive performance has received both theoretical and experimental investigation.

면적효율적인 JPEG 베이스라인 프로파일 코어의 HDL 설계

김경현 한신대학교 대학원 2009 국내석사

정보화 사회가 진행되어감에 따라 카메라 센서, 디지털 카메라, 휴대폰, 영상 관련디지털 기기들이 증가하고 이로 인하여 영상정보 서비스 기술의 중요성이 크게 부각되었다. 특히 멀티미디어 응용서비스 기술에서는 영상 정보가 필수적인데, 그 영상 정보의 양이 너무 방대하여 압축 부호화를 하여 사용되고 있다. 본 논문에서는 정지영상압축 방법 중 JPEG표준에서 제시한 4가지 동작 모드 중 베이스라인을 기반으로 하는 JPEG 알고리즘을 연구하여 Motion JPEG에서 동작 가능한 IP를 C언어를 통해 시뮬레이션하고 최적화된 결과를 VHDL로 구현하였다. 인코더 설계 시 8*8 DCT 계수 데이터와 8*1 영상 데이터 값을 곱셈 연산 하는 방법이 아닌, 4*4 DCT 계수 데이터와 4*1 영상 데이터의 행렬 곱셈 연산을 통해 DCT를 병렬처리 하여 고속화 및 효율성을 증가 시켰다. 1D-DCT의 결과를 전치하기 위한 행렬전치 모듈내의 결과 값 저장 공간은 RAM을 사용하지 않고 Register Array를 이용하여 면적 효율적으로 설계하였으며, 2D-DCT의 결과를 바로 지그재그 순서로 재배치함에 따라 전체적인 지연시간을 단축시킬 수 있었다. 또한 허프만 테이블의 규칙성을 이용 상위비트의 연속적인 ‘1’값을 고정적으로 마킹하여 ROM 테이블의 용량을 효율적으로 사용함으로써 면적을 최소화 시켰다. 디코더 설계 시 Motion JPEG의 응용분야가 주로 보안 및 교통관련 환경에서 무선통신 방식을 사용하는 경우가 빈번하게 이루어짐을 감안 불규칙적 스트리밍 방식 입력 조건하에 동작해야 함을 주안점으로 설계하였다. 이를 위해 전체 모듈을 조율하는 FSM에서 파이프라인 방식의 제어를 통해 전체적인 모듈 동작의 효율성을 증가시켰고 불필요한 지연을 최소화 하였다. 또한 내부에 프레임 메모리를 사용하지 않고 블록사이즈 수준의 버퍼 내에서 입력과 처리가 이루어지는 구조로 설계함으로써 면적효율성을 증가시켰다. JPEG IP는 Xilinx ISE 7.1i 툴을 이용하여, VHDL 언어로 설계하였고 설계한 모듈은 ModelSim-SE 6.1을 이용하여 검증을 하였다. Xilinx XC3S2000-4fg676 FPGA 환경에서 JPEG 인코더는 65.867㎒의 동작속도에 98,853개의 게이트가 사용되었고 최초 약170 클록 이후에는 연속적으로 데이터가 출력되게 된다. JPEG 디코더는 66.130㎒의 동작속도에 77,121개의 게이트가 사용되었고 가변길이 데이터 및 불규칙한 입력에 따라 가변적인 출력타이밍을 갖도록 설계되었다. 최종적으로 인터페이스 검증을 위해 TLA5201 Logic Analyzer를 통한 I2C 및 SPI bus구조 연구를 통한 카메라와 FPGA간의 통신 및 DSPic와 JPEG간의 인터페이스 방식에 대해 분석하였다. 또한 CMOS 카메라로부터 입력 받은 YCbCr 4:4:4 방식의 QVGA(320×240)급 영상 데이터를 JPEG의 입력 방식에 맞게 8*8블록단위 입력방식에 맞춰 4:2:2 또는 4:2:0로 재배열하는 Line Buffer를 설계하였다. 이후 FPGA를 통한 JPEG 인코딩 및 디코딩을 거쳐 QVGA(320×240) 18bit RGB LCD에 초당 15프레임의 동영상을 출력하는 인터페이스 검증을 완료하였다. 본 연구에 사용된 Motion JPEG은 보안장비나 교통관련 영상 또는 장난감등의 카메라와 관련된 동영상 캡처에 응용하기에 적합하다. As an information-oriented society is progressing, the importance of video information service has been embossed due to increase of camera sensor, digital camera, cell phone and digital equipments related with video. Especially for application service technology of multimedia, video information is necessary but it is tremendous in quantity of video information. Hence compression encoding is used for video applications. In this thesis, JPEG algorithm based on baseline mode is studied among 4 operation modes proposed in JPEG standard. IP applicable to Motion JPEG is to be simulated by C language and optimum result is implemented by VHDL. In the encoder design, DCT(Discrete Cosine Transform) is processed in parallel. High-speed and efficiency are enhanced through not multiplying 8*8 DCT coefficients by value of 8*1 video data but multiplying matrix data of 4*4 DCT coefficients by 4*1 video data. The block storing and transposing the result of 1D-DCT is efficiently designed using register array, not using RAM. As result of 2D-DCT is immediately arranged in zigzag, delay time could be reduced. Also the area is minimized by use of ROM table capacity efficiently through marking continuous value of ‘1’ on MSB part using regulation by Huffman table. As application field of Motion JPEG frequently uses the wireless communication in environment related with security and transport when designing decoder, it is designed focusing on operation under the input condition of irregular streaming. Through the control of pipeline method in FSM, efficiency of entire module operation is increased and unnecessary delay is minimized. Also area efficiency is increased by designing the module possible to input and manipulate in buffer of block size level not by using internal frame memory. JPEG IP is designed in VHDL language using Xilinx ISE 7.1i and the designed module is verified by ModelSim-SE 6.1. In environment of Xilinx XC3S2000-4fg676 FPGA, JPEG encoder is implemented in 98,853 gates at 65.867㎒ of operation speed and data is continuously outputted after about 170 clocks. JPEG decoder is implemented in 77,121 gates at 66.130㎒ of operation speed. To cope with irregular and variable length input stream, it is designed to get a variable output timing. Finally, I²C and SPI bus protocols by TLA5201 Logic Analyzer are studied on interface applications among camera, FPGA and DSPic. Also the line buffer is designed rearranging YCbCr 4:4:4 format from CMOS camera for QVGA(320×240) resolution into YCbCr 4:2:2 or 4:2:0 format of 8*8 block unit suitable for JPEG input processing order. After that, verification of interface is completed displaying video of 15 frames per second on QVGA(320×240) 18-bit RGB LCD by JPEG encoding and decoding by FPGA. Motion JPEG implemented in this thesis is suitable for applications of video capture related with video, camera of toy, security equipment, transport and so on.

노즐형상이 초고압 디젤분무의 미립화에 미치는 영향

김경현 釜慶大學校 1997 국내석사

부동산 시장의 인터넷 마케팅 활성화 방안에 관한 연구

김경현 목포대학교 2008 국내석사

<Abstract> The appearance of the internet removed the constraints of time and space to a large extent, and the world is using the internet as a means of information acquisition. The realtime connection through the internet contributed to 24 hour open markets online. Currently, internet market is activating realtime electronic payment in most transactions, and becomes a promising business. No wonder marketing through the internet has been drawing attention. However, problems are raised in internet market regarding real estate properties. The object of this study is to clarify problems in internet marketing of real estate market and how to activate it. Based on the investigation on problems in internet marketing of real estate market, the effective solutions are presented. Among factors that constrain vitalization of the internet in real estate market are the environment of real estate in terms of nature and humanity, pettiness of agencies, complement of personal information, age group using real estate sites, awareness of getting real estate information through the internet among customers. Based on the analysis above, the following conclusions were drawn: First, securing of reliability by strengthening the legal system will facilitate internet-based real estate transaction. For this, it was found that strengthening of 'the laws concerning consumer protection in electronic transaction etc' and laws concerning the qualification of real estate agents. Second, since internet-based marketing costs a lot of expenses, in consideration of the fact that small-sized companies are unable to raise the fund, real estate franchise business to form a union will help small-sized entities to strengthen competitiveness.. Third, as a result of analyzing popular real estate web-sites, it turned out that most sites deliver similar contents, which cannot attract customers. Therefore, various types of real estate information presented in the study and unique formation of the web-site should be devised to enhance creativity. Fourth, in this multi-kind, mass production society, limited information cannot draw attention from customers. Thus, information providers should change their views on information sharing, and establish reliability on the information among customers so as to firmly establish internet-based real estate market. Fifth, the activation of exclusive agent systems contributes to web-based real estate market by systematizing brokerage and exclusively dealing with properties online. This study is to activate internet-based marketing in real estate market. Since web-based electronic transaction is future-oriented, the establishment of internet-based market centering on real estate properties might result in various problems in time However, based on demands among customers, reliability, which has huge influence on the effectiveness of internet marketing in real estate market, should be secured by providing prompt solutions for damages due to internet-based transactions and establishing a comprehensive real estate service system. In this regard, the plans stated above should be actively utilized to be more competitive in business. <국문초록> 인터넷의 발생은 많은 시ㆍ공간적 제약을 소멸 시켰으며 세계는 정보 취득 수단으로 인터넷을 사용하게 되었다. 인터넷을 통한 실시간 연결은 인터넷상의 24시간 오픈 마켓을 형성하게 되었다. 현재 인터넷 시장은 실시간 전자결재 활성화로 일반 재화의 대부분이 거래의 대상이 되고 있으며 새로운 유망직종의 하나로 떠오르고 있다. 이에 인터넷을 통한 마케팅에 초점이 모아지고 있다. 하지만 부동산 재화를 대상으로 한 인터넷 시장은 문제가 제기되고 있다. 이러한 배경 하에 본 논문은 부동산 시장의 인터넷 마케팅 문제점 도출과 활성화 시키는데 그 목적이 있다. 현재 부동산 시장의 인터넷 마케팅의 문제점 도출을 통하여 효율화 방안을 제시하였다. 부동산 시장의 인터넷 활성화를 억제하는 요인들은 부동산의 자연적ㆍ인문적 환경에 의한 문제점, 중개업소의 영세성, 개인정보의 보완성, 부동산 사이트 이용 연령층에 따른 문제, 부동산정보 수요자의 인식의 문제 등이 있다. 위를 토대로 연구한 결과 다음과 같은 결론이 도출되었다. 첫째, 법제도적 강화로 인터넷을 통한 부동산 전자상거래에서 신뢰성의 문제를 해결한다면 인터넷 부동산 상거래를 발전시킬 수 있다는 결론에 도달하였고 이를 위해 ‘전자상거래등에서 소비자의 보호에 관한 법률’과 공인중개사 자격에 대한 법률 등에 대한 강화가 필요함을 알 수 있었다. 둘째, 인터넷 사이트를 통한 마케팅은 많은 비용을 필요로 하므로 소규모의 업소는 비용 조달이 불가능하므로 부동산 프랜차이즈 사업을 통한 조직 구성으로 규모의 영세성에서 탈피할 수 있고 경쟁력 강화가 가능함을 알 수 있었다. 셋째, 현재 인터넷상에서 인기 부동산 사이트들을 분석한 결과 대부분의 사이트들이 비슷한 Contents로 구성되어 있어 소비자들의 구매 의사욕구를 불러 올 수 없기 때문에 논문에서 제시한 다양한 부동산 정보제공과 독창적인 사이트 구성을 통한 사이트의 독창성을 키울 수 있었다. 넷째, 현대는 다품종 대량화 시대로 소규모의 정보로는 고객의 눈길을 끌 수 없기 때문에 정보 제공자의 인식의 전환을 통환 정보의 공유와 소비자들의 정보에 대한 신뢰를 바탕으로 부동산 인터넷 시장이 형성될 수 있음을 알 수 있었다. 다섯째로, 전속중개제도의 활성화를 통하여 중개수수료의 현실화와 인터넷상의 전속중개를 통해 부동산의 인터넷 시장을 활성화 시킬 수 있음을 알게 되었다. 본 연구는 부동산 시장의 인터넷 마케팅을 활성화 하는데 그 의미를 두며, 인터넷을 통한 전자상거래는 미래형 시장이라는 점을 고려한다면 부동산 재화를 중심으로 한 인터넷 시장 형성은 현 시점에서는 많은 문제가 제기되지만 소비자의 구매 욕구 파악을 기초로 하여 효율적인 부동산 시장의 인터넷 마케팅 활성화에 절대적 영향을 미치는 신뢰성에 대한 문제점을 종합부동산서비스시스템 구축과 인터넷 피해에 대한 소비자 구제 활성화를 통하여 빠르게 정착할 수 있으므로 위에서 제시한 해결 방안을 적극적 활용하여 경쟁적 우위를 차지할 수 있게 된다.

MBE 방법에 의한 GaMnAs 및 GaMnN의 성장과 특성 연구

김경현 忠南大學校 大學院 2002 국내박사

Ferromagnetic Ⅲ-Ⅴ semiconductors have recently attracted great attention due to their applicability to spin injection devices. While the ferromagnetic metal (FM)-semiconductor junctions show little or no spin injection due to the so-called dead interface layer^(48) the fenomagnetic semiconductor (FS)-semiconductor systems are expected to be absent of such problem. Thus enhanced high injection efficiency in FS -semiconductor junction have recently been demonstrated^(10.49). GaMnAs is one of the promising Ⅲ-Ⅴ ferromagnetic semiconductors intensively studied by Ohno's group^(50.56)and others^(38,51-52) Ohno's group showed that Mn concentration can be reached >7% by employing low substrate temperatures (T_(s)) cf 200-300℃ in MBE^(5). The main purpose of employing low T_(s), iS to overcome the solid solubility limit of Mn into GaAs lattice at high temperatures. However, the detail procedure to reach the ultimate goal of growing the high Currie temperature (T_(c)) GAMnAs films by MBE has not been reported. Particularly, it is not clear whether their results were from an optimized condition or not. Namely, it is unclear how they ultimately select the substrate temperature, 2nd what arsenic pressure they used. For the optimization of the growth condition at such low temperatures, one needs to optimize the bask MBE parameters such as As_(4) pressure and Ga flux. As the sticking coefficient of the elements, particularly of As_(4), increases at low T_(s), employing smaller Ⅴ/Ⅲ ratio is anticipated for good crystallographic films.^(53) Although a detail reflection high-energy electron diffraction(RHEED) study in low temperature GaAs growth was reported^(50), it was riot related to optimizing the GaMnAs growth. Double crystal x-ray diffraction (DCXRD technique has been used for the measurement of Mn concentrations in GaMnAs.^(38,54) Since XRD measurements showed that the GaMnAs films grown in MBE are fully strained,^(54) the estimation of the Mn content using XRD analysis needs appropriate cautions. A simple application of Vegard's law may mislead the estimation. We present in this paper a detail systematic approach to acquire an optimum growth condition for GaMnAs magnetic semiconductors. In-situ RHEED study as well as ex-situ XRD and conductivity measurements were used for this process The coherency among the observations from the different tools is critically described. DCXRD measurements on GaAs films grown at various P_(As) at conventional high temperature showed little difference, and therefore, triple axis HRXRD technique was employed. The HRXRD ω-scan, however, neither differentiates the peaks in the As_(4) pressure range of 1.5∼4.0×10^(-6) torr The full width at half maximum (FWHM) of the (004) peaks was ∼16.6 arcsec, which is very close to that for the substrate, ∼15.5 arcsec. This indicates that GaAs of excellent crystallographic quality can be grown in rather broad range of the As4 pressure. The HRXRD ω-scan on the low-temperature grown GaAs films, however, showed the best FWHM of ∼16.9 arcsec at the condition of T_(s)=250℃ and P_(As)=0.8×l0^(-6) torr. This comparison shows that the structural quality of the grown films little degrades by lowering T_(s), while it becomes more sensitive to the As4 pressure at low T_(s). The results also indicate that the strain parallel to the plane is very small in the films and insensitive to the growth temperature. More useful information could be obtained from ω-2θ scan measurements on the low-temperature grown GaAs films. The ω-2θ scan enables vertical stress analysis of the films. The Pendellosung fringes reveal high crystalline quality of the grown films. The negative shift of the shoulder peaks indicates compressive stress in the grown GaAs layers. It was shown that the As_(4) pressure for the smallest vertical stress is 8×10^(-7)torr at the given substrate temperature, Thus, it can be concluded that the structure-wise optimum growth can be made at P_(As)=8×10^(-7)torr for the condition of the growth rate 0.25 ㎛/hr and T_(s)=275℃. This rather How optimum arsenic flux relative to that at the high temperature is due partly to an increase of the As_(4) sticking coefficient for stoichiometry at the low temperature, and partly to the reduced growth rate. For the growth of GaMnAs structures, T_(s) gas varies is the range of 215-275℃ while PAs was fixed at 1.4×10^(-6)torr. The condition for the minimum stress in the GaAs films, or P_(As)=0.8×10^(-6)torr, was found to show spotty RHEED patterns when the Mn cell is open. This suggests that the As_(4) pressure for GaMnAs growt.h needs to be increased to avoid MnAs segregation, Thus employed pressure of 1,4×10^(-6)torr was also expected to enhance Mn incorporation into the Ga sites. In guiding the setting of the Mn cell temperatures, observation of RHEED patterns during growth was very useful. Unless the Mn flux is excess, streaky reconstruction patterns were always observable. We will see this cell temperature achieves the maximum conductivity in the film. Similar streaky patterns were servable till the growth with a little higher (+10) Mn cell temperature, and spotty patterns showed up at further higher Mn cell temperature. In such excess Mn flux conditions, the pattern often changed to a ring pattern after prolonged growth and the films often revealed dark colors with lusterless surface with rapid resistivity increasing. Since high Mn incorporation, while maintaining metallic conductivity, is important for high T_(c) GaMnAs, we tried the Mn flux so far as such segregation patterns did not show up. The lower conductivity in the below region of a maximum is due to less Mn concentrations, and that in the above region due to compensation and/or MnAs segregation. The higher Mn atoms can be incorporated as the substrate temperature is lower. In other words, the allowed maximum Mn flux, without MnAs segregation, was higher at lower T,. The overall maximum conductivity, however, was observed at T_(s)=250℃. This indicates that not all the incorporated Mn atoms become activated to dopants, particularly at substrate temperatures lower than 250℃. The GaMnAs film of the highest conductivity also was related to the highest ferromagnetic transition temperature. It was revealed that the transition temperature varies linearly with the conductivity at room temperature. Thus, we empirically found that the higher the conductivity of the film is, the higher the ferromagnetic transition temperature is. The resistivity measurement can be a practical tool for forecasting T_(c) of the grown GaMnAs films. Note also that we could correlate the surface reconstruction patterns with the room temperature electrical conductivity of the GaMnAs films. The best ferromagnetic transport property of the grown GaMnAs semiconductors are T_(s)=250℃, P_(As)=1.4×10^(-6)torr, and T_(Mn)=840℃. The magnetization measured with varying temperature using SQUID revealed the ferromagnetic transition temperature of ∼80 K. We show a clear hysteresis loop in the magnetization-magnetic Geld measurement at 5 K. The Mn concentration calculated by DCXRD was 3.7% for this GaMnAs film. GaMnN may be one of the possible candidates for room temperature operation,'" and its room temperature ferromagnetism has been reported.^(47,55-56) GaMnN is grown via molecular beam epitaxy (MBE) using a single GaN precursor of (Et_(2)Ga(N_(3))NH_(2)CH_(3)). The surface morphology of the grown GaMnN layers were flat and smooth with average RMS surface roughness of-4 nm as determined by an atomic force microscopy (AFM) although transmission electron microscopic (TEM) examination revealed a columnar grained hexagonal structure with c-axis alignment. The XRD measurements on GaMnN grown on GaAs(100) revealed clear (0002)peaks indicating a growth of hexagonal c-axis aligned GaN (and GaMnN) structure. Even with such polycrystalline character of the films, doping of Mn could be made successfully in the range of 4-30 a/o as measured by EPMA. Peaks for the 2^(nd) phase appeared at above ∼6 a/o Mn incorporation as determined from other series of experiments. The lattice constant of the 2^(nd) phase Calculated from (111) peaks is 0.389 0,001 nm and fairly well agrees with that of Mn_(3)GaN. 0.390nm^(57) without particular trend with Mn increase. Moreover, the magnetic behavior well conforms to Mn_(3)GaN as will be shown. While it needs further examination, the 2^(nd) phase is tentatively assigned to paramagnetic Mn_(3)GaN at room temperature. Increase of the peak intensity for Mn_(3)GaN (111) is noticeable with diminishing of that for GaN (and GaMnN). Additional peaks for MnsGaN (110) and (220) begin to show up at far higher Mn flux of -30 a/o Mn. This XRD observation coincides well with SQUID measurement results. From the SQUID results, the magnetization at room temperature caused by GaMnN region of the films increases with Mn_(3)GaN phase segregation. The conductivity also increases with Mn incorporation suggesting again that the room temperature conductivity in magnetic semiconductor can be an indication of the strength of ferromagnetism.^(58) The layers with Mn_(3)GaN phase revealed metallic behavior, but the homogeneous GaMnN layers showed semiconducting or insulating. Therefore, it was difficult to measure magneto-transport property with the homogeneous GaMnN due to the high resistances of the layer and poor electrical contacts. In the meantime, an anomalous Hall effect can be clearly detected from the GaMnN with segregation due to an assistance of the highly conductive Mn_(3)GaN phase. Since the 2^(nd) phase is nonmagnetic at room temperature, the anomalous Hall effect at 300K should come from the GaMnN region of the layer. We speculate that the higher saturation magnetization at room temperature due to GaMnN region in the segregated GaMnN than in the homogeneous GaMnN comes from a high density of carriers originating from Mn_(3)GaN. This result qualitatively support the mechanism of carrier-mediated ferrornagnetism.^(59) Note also that the conductivity increase with segregation is a very interesting feature of GaMnN in contrast to GaMnAs, where the segregation of metallic MnAs phase caused an resistivity increase of the GaMnAs films.^(58-59) This difference may be explained by a Schottky barrier model, namely metallic MnAs clusters form Schottky barriers depleting carriers from the surrounding GaMnAs region, and thus, increasing the resistance of the film due to reduced current-passing cross-section area of GaMnAs. For GaMnN, however. the segregated metallic Mn_(3)GaN may not form such carrier-depleting energy barrier with respect to the surrounding GaMnN, but rather enhance the overall conductivity by an ohmic contact. While the phenomenological difference has to be further explored, the contribution of the 2^(nd) phase to the conductivity increase in GaMnN layers gave a remarkable impact on investigation of the magnetotransport property in the films. This composition of GaMnN having highly conductive 2^(nd) phase can be practically useful to magnetotransport devices, which require practically good contact fabrication and current pass. All the approaches to develop Ⅲ-Ⅴ ferromagnetic semiconductors SO far have been focused on increasing the magnetic elements that simultaneously induce magnetic ordering and free carriers. Also, since the room temperature resistivity of a film could be taken as a measure of ferromagnetism and magnetotransport properties anticipated in GaMnN,^(56,58-59) it would be interesting to find out the effects of p-type doping of other than ferromagnetic element in the relation to the ferromagnetism and magnetotransport of the films. This study of co-doping of nonmagnetic element such as Mg with Mn may devote to deeper understanding of the carrier-mediated ferromagnetism in Ⅲ-Ⅴ magnetic semiconductors. GaMnN:Mg layers were grown on sapphire (0001) at a substrate temperature (T_(s)) of 650℃ using MBE. The detail of the growth using this single precursor will be discussed elsewhere, but GaN growth with similar single precursor source was reported by the author.^(9) From the XRD patterns of Mg co-doped GaMnN layers, we observe (0002) and (0004) peaks for GaN (and GaMnN) in all the samples indicating a c-axis oriented epitaxial growth of the layers on sapphire. The dominant peak is Mn_(3)GaN (200) rather than (111), which is the major peak for the precipitate phase in the films grown on GaAs (100).^(56) One observes that the peak intensity for the Mn_(3)GaN phase decreases with Mg flux. Actually the Mn concentration measured by EPMA has dramatically decreased from ∼3% for GaN:Mn layer down to ∼0.3% in GaN:(Mn,Mg) layer for T_(Mg)= 405℃ although the Mn impingement rates were controlled the same. It is also interesting to note that segregation of Mn_(3)GaN phase occurred at such low Mn concentrations, where GaN:Mn layers revealed homogeneity if Mg is not co-doped. These results indicate that Mn and Mg competes each other to find Ga sites at impingement on the substrate surface during the growth. Furthermore, Mg incorporation promotes local aggregation of Mn to form Mn_(3)GaN clusters. The Mg concentration increased linearly with Mg flux under the given Mn flux. While the conductivity has dramatically increased, the layers still revealed semiconducting behaviors. This trend was the same for Mg-codoped homogeneous GaMnN layers. It is very interesting to compare the results with the resistivity of GaN doped purely with Mn. This comparison indicates that, in the investigated range of doping. Mg behaves of the simple ionizing impurities in semiconductors, but Mn contributes to metal-insulator transition as well although the ability to offer conduction carriers is less. Although fen~magnetism was confirmed for both cases, anomalous Hall effect was confirmed only for the GaN:Mn layer^(56) while it was not clearly identified from the GaN;(Mn,Mg) layers are room temperature. In the discussion, note that the conductivity is the average value of the films containing the GaMnN or Ga(Mn,Mg)N solid solution region and the precipitates, but the room temperature ferromagnetism comes only from the GaMnN or Ga(Mn,Mg)N solid solution region of the films. The observed higher saturation magnetization (M_(s)) for the GaN:Mn layer, even with lower carrier concentration, suggests the importance of the critical level of Mn concentration in the carrier-mediated ferromagnetism In GaMnN. For the homogeneous Ga(Mn,Mg)N layers with less Mn, the effect of increasing carrier concentration is small suggesting again the importance of the amount of Mn to enhance the magnetic property. Note, however, also that the M_(s) has increased with Mg. This is remarkable because the M_(s) increase was realize with reducing Mn content along with Mg increase. However, one can see that the Mn atoms participating in ferromagnetic coupling at room temperature are greater (or those paaricipating in antiferromagnetic coupling are less) in the layers with smaller Mn concentration but with higher overall hole concentration. It is a remarkable observation that Mg codoping enhances the participation of Mn into ferromagnetic coupinh, but the origin need to be explained. In this case, the participation of Mn is-μB. Nevertheless, this clearly indicates that the holes from Mg interact with Mn to enhance carrier-mediated ferromagnetism in GaMnN. From these results, we successfully grew GaMnAs and GaMnN thin films on GaAs(100) and sapphire substrates at low temperatures via molecular beam epitaxy. We observe ferromagnetism and magnetotransport for GaMnAs at low temperature(<80K), and for GaMnN at room temperature. We can understand the carrier-mediated ferromagnetism in Ⅲ-Ⅴ magnetic semiconductors from co-doping of nonmagnetic element such as Mg with Mn.

IoT를 활용한 열대어 아쿠아포닉스에 관한 연구

김경현 全州大學校 2020 국내석사

Globally, agriculture is essential for survival, but there are many ecological risks. Farmland used in agriculture and livestock industries accounts for nearly 40 percent of the entire land on planet. We are using 50 percent of the Earth's fresh water and 70 percent of the water is used for farming. It also emits 24 percent of greenhouse gases. Recent climate anomalies have caused droughts almost every year. Agricultural methods that minimize the amount of culture nutrient liquid and do not use fertilizer and pesticide should be researched in various ways. This thesis researched on aquaponics, which grows fish and crops together and uses water on circular way. Most of the existing studies have been using commercial fish as an experimental fish species. This study applied tropical fish to aquaponics farming system. In this paper, we used a fish tank for home use and connected arduino, raspberry pi, sensor and camera. We planted lettuce and compared growth with hydroponic cultivation. According to the comparison result, The length of the aquaponics lettuce leaf grow about 65 percent level of hydroponics, the width of leaf is 76 percent of hydroponics’s. leaf weight is 7.1 percent lighter than hydroponics. The total growth rate of aquaponics lettuce was measured at 77.4 percent of hydroponics lettuce. The reason for slower growth was that the level of pH was high, which resulted in lower nutrient absorption. And amount of dissolved nutrient in the water was low. In the future, if fish tank cultivating tropical fish is expanded, it can grow crops such as leaf vegetables as aquaponics for commercial farming.

효율적인 대학시설 유지관리방안

김경현 전남대학교 2018 국내석사

현재 국내대학은 학령인구의 감소에 따라 입학정원 축소 및 대학 등록금 동결에 따른 재정수입의 감소로 지속적인 시설유지관리 예산의 절감이 요구되어지고 있다. 그러나 대학 교육의 변화, 전문화, 현대화, 대학 경쟁에 따른 투자, 정부정책에 따른 평가, 안전관리의 강화, 최저임금의 상승 등의 내외부적인 요인들로 인하여 대학시설 투자소요예산은 증가되고 있으며, 시설관리 업무의 다변화 및 법적 기준강화로 효율적인 시설관리 업무에 대한 부담이 발생되고 있는 실정이다. 이러한 대학시설 유지관리의 문제점을 해결하기 위해서는 대학 시설물에 대한 현황파악과 사용자 및 관리자들의 의견수렴을 통한 대학시설의 필요 시설물에 대한 의견 차이를 최소화하여 적정한 시설관리가 이루어져 한다고 생각된다. 본 연구에서는 대학시설 유지관리의 문제점을 해결하기 위해서 대학 교육시설 현황, 사용자들의 만족도 분석·정리 및 대학 시설관리자 설문을 통한 대학시설의 효율적인 유지관리와 개선방안을 제시하였다. 효율적인 대학시설 유지관리방안의 결론은 다음과 같다. 첫째, 대학별 시설관리 중장기계획의 수립은 32%, 일부수립 49%, 미수립 11%, 미응답 8%로 전반적인 중장기계획의 수립이 미흡한 것으로 나타났다. 또한 계획 수립시 반영사업은 유지관리 전반(31%), 안전점검 및 진단(19%), 정기검사(17%) 순이며, 이는 법적 유지관리 및 보수 계획을 위주의 대학시설 유지관리가 되고 있다고 판단된다. 둘째, 시설관리 중장기계획 수립 필요사업으로 예산계획(23%), 유지보수(14%)가 전체 비중의 64%를 차지하여, 중장기계획 수립시 시설관리예산과 유지보수 계획의 수립이 반드시 필요하다고 판단된다. 셋째, 대학시설 관리자 인원배치 불만족 사유로 인원부족(43%), 업무 과부하(13%)가 전체 60%로 인원부족에 따른 업무 과부하로 효율적인 시설유지관리가 이루어지지 못하고 있으므로, 시설관리 업무를 위한 인원보충이 필요하다. 넷째, 대학시설 관리자 예산 불만족은 예산삭감으로 인한 예산부족(53%), 안전관리비용(11%), 현실성 결여(11%)가 전체 75%의 비율을 나타내고 있다. 이는 학생수의 감소, 등록금 동결, 최저임금 상승 등으로 인한 예산 확보의 어려움으로 인하여 시설관리 예산의 지속적인 감축 및 삭감이 이루어지고 있는 것으로 대학시설 관리를 위한 예산 확충 방안이 필요하다. 다섯째, 대학시설 관리자들의 시설관리 문제점은 관리인원 부족(44%), 예산부족(27%) 순이며, 개선 필요부분에 대한 의견은 인원충원(38%), 예산확충(24%), 전문성 강화(14%)로 나타나, 효율적인 대학시설 관리를 위해서는 적정 시설관리 인원배치, 예산확보, 겸직의 최소화 등의 대책이 필요하다. 여섯째, 건물의 노후화로 인한 교사시설 부족으로 2015년 기준 전체 대학 176개교 100㎡이상 건물 6,751동 대비 40년 이상 건물수는 474동으로 전체 건물의 7.0%에 해당하고 있으며, 40년 이상 건물의 수는 사용연수의 증대에 따라 지속적으로 증가되어지고 있다. 이러한 노후 건물의 증대로 인한 교사시설 부족을 대비하기 위해서는 지속적인 점검 및 장기수선계획을 통한 건물의 개보수, 대수선 및 구조보강을 통한 내구연한 증진 등의 대책이 필요하다. 일곱째, 대학 구성원의 개보수가 시급한 건물의 용도별로 1순위 강의동 (60.00%), 2순위 기숙사(38.16%), 3순위 대학본부 및 도서관(1.84%)으로 나타났으며, 기숙사의 경우 설문조사 건물수 대비 25%, 대학정원의 30%가 이용한다는 점을 감안할시 거주공간에 대한 소음절감, 편의시설 확충 등이 필요하다. 여덟째, 7개 항목의 34개 세부항목의 시설별 만족도 조사 결과는 30개 항목에서 3.0이상의 평균이상의 만족지수가 나타났으나, 강의실 소음 만족도 2.6, 기숙사 소음 2.5, 기숙사 규모 2.8, 기숙사 이용 편의성 2.9로 평균에 미치지 못하는 만족도 지수를 보이고 있다. 이러한 문제점의 해결을 위해 강의실 방음시설과 거주공간에 대한 소음 및 적정 편의시설 구축 등의 대책이 필요하다고 판단된다. 아홉째, 대학 구성원의 시설물 개선 요청부분은 식당, 휴게시설 및 편의시설의 확보가 41.36%이며, 시설관리자의 경우 화장실, 실험실습실, 강의실, 기숙사의 개선이 68%로 나타났다. 이러한 시설물 사용자와 시설관라자의 의견 차이를 인식하여 다양한 요구에 대한 분석과 검토를 통한 시설의 다양성, 편의성, 쾌적성, 안정성 및 교육 서비스의 질적인 향상을 확보하여 계획적이고 합리적인 시설투자가 필요할 것으로 판단된다.

계통 불평형시 DFIG 풍력 발전기 시스템의 직접 전력제어

김경현 영남대학교 대학원 2011 국내석사

본 논문에서는 이중여자 유도발전기를 이용하는 풍력발전에 대해서 현재의 풍속에서 최대출력을 제어하는 방법을 제안하였다. 뿐만 아니라 계통전압 불평형에 따른 발전기의 토크맥동을 제거하였다. 제안한 비례제어기는 풍속 변동시 새로운 최대전력점으로 빠르게 터빈의 로터속도가 변하도록 관성에 저장된 에너지를 보상한다. 제안한 토크제어기법을 발전기 제정수에 강인하도록 전력제어기를 이용하여 구현하고 토크 및 전력제어기의 특성이 같음을 보였다. 또한 계통전압 불평형으로 야기되는 토크맥동을 직접전력제어를 통하여 제거하였다. 이 때 토크맥동 제거를 위하여 유효전력지령은 순시 토크 및 전력을 이용하여 정역상분 분리없이 생성된다. 제안된 계통불평형시 최대출력제어 기법과 토크맥동 제거기법을 PSIM을 이용한 컴퓨터 시뮬레이션으로 그 타당성을 검증하였다.

장애인수영선수의 경쟁불안이 경기력에 미치는 영향

김경현 한국체육대학교 대학원 2015 국내석사

비장애인 스포츠의 다양한 종목에서 운동선수들의 경쟁 상황에서의 불안요인들이 경기력과 밀접한 관련이 있다고 알려져 있다. 이에 본 연구의 목적은 장애인스포츠 수영종목의 장애인수영선수의 개인적 특성에 따른 경쟁불안의 차이를 분석하고 경쟁불안과 경기력과의 관계와 경쟁불안이 경기력에 미치는 영향을 알아보는데 있다. 이러한 연구목적을 달성하기 위해 대한장애인수영연맹에 등록된 선수를 연구대상으로 선정하였다. 자료 수집은 2014 인천 장애인전국체육대회에 참가하는 총 98명의 선수를 대상으로 탐색적 요인분석과 신뢰도 검증을 통해 검증된 경쟁상태 불안 검사지(CSAI-2)를 이용하여 수집하였으며, 부실한 응답 설문지를 제외한 총 93명의 자료를 분석에 활용하였으며 이 연구의 가설에 필요한 통계방법으로 독립표본 t 검증, 일원배치분산분석, 상관관계 분석, 다중회귀 분석을 실시하여 다음과 같은 결과를 도출하였다. 첫째, 개인적 특성에 따른 경쟁불안의 차이는 성별에서 자기관리 하위요인인 신체상태 불안에서 차이가 나타났고, 성별, 경기력, 경력, 연습량에서 자기관리 하위요인인 상태자신감에 차이가 나타났다. 둘째, 경쟁불안과 경기력과의 상관관계 검정에서는 신체상태 불안은 인지상태 불안과 상태자신감은 경기력, 인지상태 불안, 신체상태 불안과 상관이 나타났다. 셋째, 경쟁불안이 경기력에 미치는 영향에서는 인지상태 불안과 상태자신감이 경기력에 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 인지상태 불안 보다 상태자신감이 더 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이러한 결과를 종합해 보면 경쟁불안의 하위요인인 상태자신감 요인이 경기력에 많은 영향을 주고 있으며, 평상 시 자신감이 높은 선수 일수록 시합 결과에 많은 영향을 미치는 것을 알 수 있었다. 따라서 장애인 수영종목의 선수 및 지도자들은 자신감을 향상시킬 수 있는 다양한 훈련 및 기타 방안들을 통해 우수한 경기력을 낼 수 있도록 노력해야 할 것이라 사료된다.

日帝下 韓國YMCA體育의 展開樣相에 관한 硏究

김경현 東亞大學校 大學院 1990 국내석사

The Korean YMCA was established by the name of the Hwangsung YMCA on October 28, 1903. Located in the capital Hansung of th Korean Empire, the association accepted many leaders of the Independence Association fresh from prison in 1904. The YMCA utilized sports activities as the main device to teach people the ideas of Christ, liberty, equality and charily. During the early period of the Japanese imperial rule, the YMCA was severely suppressed and had to be renamed as the Chosun Central YMCA subordnated to the Japanese YMCA. Nevertheless, the Korean YMCA was the only social organization to sponsor sports activites and support the movement for national liberation. The first gymnasium was built in 1916 and B. P. Barnhart an American took charge of sports program and education. It was around this time that many modern trainers were educated and new sports events like soccer, baseball, basketball, volleyball and judo were introduced. In the middle of the Japanese colonial rule, the YMCA movement spread into rural areas to help the young man train physical strenght and struggle spirit as well. The YMCA basketball team's Japan expedition and baseball team's USA expedition as well as the ssiurm and archery contests in the 1930s helped boost national spirit. When the YMCA's secretary Sin Hung-u assumed the presidency of the Chosun Sports Association, its sports activities reached the peak. In the late Japanese rule, the YMCA activities withered again by the name of the Chosun Federation of the Japanese YMCA. But the agricultural activities with sports programs were continuously held in all parts of the country. At this time the YMCA introduced Danish calisthenics and spread it with Danish agricultural activities. In conclusion, the YMCA in Korea was established by the nationalistic demand and has contributed to boosting national identity and fixing modern sports through its continuous social sports activities during the Japanese imperial rule.