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유재필,이지영,정정영 한국콘텐츠학회 2022 한국콘텐츠학회논문지 Vol.22 No.4
Recently, Korea's cultural content industry is developing, and behind the growing recognition around the world is the real-time sharing service of global network users due to the development of science and technology. In particular, in the case of YouTube, its propagation power is fast and powerful in that everyone, not limited users, can become potential video providers. As more than 80% of mobile phone users are using YouTube in Korea, YouTube's information means that psychological factors of users are reflected. For example, information such as the number of video views, likes, and comments of a channel with a specific personality shows a measure of the channel's personality interest. This is highly related to the fact that information such as the frequency of keyword search on portal sites is closely related to the stock market economically and psychologically. Therefore, in this study, YouTube information from a representative entertainment company is collected through a crawling algorithm and analyzed for the causal relationship with major variables related to stock prices. This study is considered meaningful in that it conducted research by combining cultural content, IT, and financial fields in accordance with the era of the fourth industry. 최근 한국의 문화콘텐츠 산업이 발전하고 있는 가운데 전 세계적으로 인지도가 높아질 수 있는 배경에는 과학 기술의 발전으로 글로벌 네트워크 사용자들의 실시간 공유 서비스가 있다. 특히 유튜브의 경우에는 한정적인 사용자가 아닌 모든 사람이 잠재적인 영상 제공자가 될 수 있다는 점에서 그 전파력은 빠르고 강력하다. 국내에도 휴대폰 사용자의 약 80% 이상이 유튜브를 이용하고 있는 것으로 나타난 만큼 유튜브의 정보는 사용자의 심리적 요인이 반영되고 있다는 것을 의미한다. 예컨대 특정 성격을 갖고 있는 채널의 영상 조회 수, 좋아요 수 그리고 댓글 수와 같은 정보는 그 채널이 갖는 성격의 관심도에 대한 척도를 보여준다. 이는 포털 사이트의 키워드 검색 빈도와 같은 정보가 경제 심리학적으로 주가 시장과 밀접한 연관이 있다는 것과 관련성이 높다. 따라서 본 연구에서는 대표 엔터테이먼트 사의 유튜브 정보를 크롤링 알고리즘을 통해 수집하고 이를 주가와 관련된 주요 변수와 인과 관계에 대해서 분석한다. 그 결과 유튜브의 관심도는 주가, 주가 변동성 그리고 거래량에 선행적 인과 관계를 보인다는 것을 입증했다. 본 연구는 4차 산업 시대에 맞게 문화콘텐츠, IT 그리고 금융 분야를 접목해서 연구를 진행했다는 점에서 의의가 있다고 사료된다.
CMP 공정에서 슬러리와 웨이퍼 형상이 SiC 웨이퍼 표면품질에 미치는 영향
박종휘,양우성,정정영,이상일,박미선,이원재,김재육,이상돈,김지혜,Park, Jong-Hwi,Yang, Woo-Sung,Jung, Jung-Young,Lee, Sang-Il,Park, Mi-Seon,Lee, Won-Jae,Kim, Jae-Yuk,Lee, Sang-Don,Kim, Ji-Hye 한국세라믹학회 2011 한국세라믹학회지 Vol.48 No.4
The effect of slurry composition and wafer flatness on a material removal rate (MRR) and resulting surface roughness which are evaluation parameters to determine the CMP characteristics of the on-axis 6H-SiC substrate were systematically investigated. 2-inch SiC wafers were fabricated from the ingot grown by a conventional physical vapor transport (PVT) method were used for this study. The SiC substrate after the CMP process using slurry added oxidizers into slurry consisted of KOH-based colloidal silica and nano-size diamond particle exhibited the significant MRR value and a fine surface without any surface damages. SiC wafers with high bow value after the CMP process exhibited large variation in surface roughness value compared to wafer with low bow value. The CMPprocessed SiC wafer having a low bow value of 1im was observed to result in the Root-mean-square height (RMS) value of 2.747 A and the mean height (Ra) value of 2.147 A.
Effect of Polarity on a SiC Crystal Grown on a SiC Dual-seed Crystal by Using the PVT Method
박종휘,이원재,양우성,정정영,이상일,박미선,신병철,여임규,은태희,Seung-Seok Lee,Myong-Chuel Chun 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.59 No.21
SiC crystal ingots were grown on 4H-SiC dual-seed crystals by using a physical vapor transport (PVT) technique, and SiC crystal wafers and cross sections sliced from the SiC ingot were systematically investigated to find the polarity dependence of the crystal polytype. The growth rate of the SiC crystal grown in this study was about 0.15 mm/hr. N-type 2-inch SiC crystals exhibiting 4H- and 6H-SiC polytypes were successfully fabricated on the C-face and the Si-face, respectively. As the growth of the SiC crystal ingot proceeded, the SiC crystal region grown on the C-face seed crystal was enlarged compared to the SiC crystal region grown on the Si-face seed crystal. The incorporation of nitrogen donors and the growth rate in the SiC crystals grown on the C-face seed crystal were be higher than those in SiC crystals grown on a Si-face crystal.
탄화규소 단결정 성장 시 종자정 도핑농도 영향에 따른 결정 다형변화 연구
박종휘,양태경,이상일,정정영,박미선,이원재,Park, Jong-Hwi,Yang, Tae-Kyoung,Lee, Sang-Il,Jung, Jung-Young,Park, Mi-Seon,Lee, Won-Jae 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.10
In this study, SiC single-crystal ingots were prepared on two seed crystals with different doping level by using the physical vapor transport (PVT) technique; then, SiC crystal wafers sliced from the grown SiC ingot were systematically investigated to find the effect of seed doping level on the doping concentration and crystal quality of the SiC. To exclude extra effects induced by adjustment of the process parameters, we simultaneously grew the SiC crystals on two seed crystals with different level, which were fabricated from previous two SiC crystal ingots.
국내 · 외 배출량 저감 정책에 따른 서울시 PM<SUB>2.5</SUB>, O₃ 농도 변화 분석
최용석,주혜지,엄정훈,권은한,김영준,안준혁,정정영,배일상,조석주,신용승 한국대기환경학회 2021 한국대기환경학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.10
미세먼지와 오존 등 깨끗한 대기질에 대한 국민적 열망은 여전히 높은 수준이며, 이에 부합하기 위해 중앙 · 지방 정부에서는 대기질 개선 및 노출 저감에 많은 노력을 기울이고 있다. 정부는 2015년, ‘2차 수도권 대기환경관리 기본계획’을 마련하여, 2024년까지 서울시 연평균 초미세먼지 농도를 20 ㎍/㎥로 개선하는 것을 목표로 하였으며, 서울시는 ‘서울 비전 2030’을 통해, 초미세먼지 목표 농도를 설정하고, 배출량을 대폭감축하려는 계획을 세우고 있다. 다만 초미세먼지와 오존의 경우, 대기 중 광화학 반응 및 이류 · 확산 · 침전 등의 물리적인 요인에 의해 배출량과 농도의 관계가 비선형적이기 때문에 효과적인 대기질 개선 정책 마련을 위해서는, 2차 생성 반응에 대한 이해와 현상에 대한 분석 등 좀더 세밀한 연구가 뒷받침 되어야 한다. 올바른 대기질 개선정책 방향 설정의 일환으로 최근에는 대기질 모델을 이용한 장거리 이동 분석, 배출원별 기여도 분석 등이 활발하게 이루어지고 있다. 본 연구에서는 대기질 모델을 이용하여, ‘서울 비전 2030’ 계획에 따른 서울시의 배출량 저감 정책 효과를 분석하였다. 또한 수도권, 중국의 대기질 개선 정책에 의한 배출량 변화가 서울시 초미세먼지, 오존 농도에 미치는 영향을 정량적으로 분석하였으며, 이를 통해 초미세먼지 목표 농도 달성을 위한 정책 방향을 검토하고, 효율적인 저감 방법을 모색하고자 한다.
Freestanding GaN 기판의 Ga-polar 면에 기계적 연마 방법을 적용한 Bow 제어 및 그 특성 연구
김진원,손호기,임태영,이미재,김진호,전대우,황종희,정정영,오해곤,김진훈,최영준,이혜용,윤대호,Gim, Jinwon,Son, Hoki,Lim, Tae-Young,Lee, Mijai,Kim, Jin-Ho,Jeon, Dae-Woo,Hwang, Jonghee,Jung, Jung-Young,Oh, Hae-Kon,Kim, Jin-Hun,Choi, YoungJun,Le 한국전기전자재료학회 2015 전기전자재료학회논문지 Vol.28 No.12
In this paper, we have studied the effect of mechanical polishing to Ga-polar face for reducing the wafer bowing and strain in free-standing GaN. After the mechanical polishing to Ga-polar face, the bowing of the free-standing GaN substrate significantly decreased with increasing the size of diamond slurry, and eventually changed the bowing direction from concave to convex. Furthermore, the full width at half maximum (FWHM) of high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) were decreased, especially the FWHM of (1 0 2) reflection for $1.0{\mu}m$ size of diamond slurry was significantly decreased from 630 to 203 arcsec. In the case, we confirmed that the compressive strain in Ga-polar face was fully released by Raman measurement.