유/무기 하이브리드 용액이 코팅된 냉간압연강판의 열처리 온도에 따른 내식특성

최창민 부경대학교 대학원 2012 국내석사

In the past a very popular way to reduce the corrosion rate of zinc was the use of chemical conversion layers based on Cr+6. However, there is the important problem that the use of chromium salts is now restricted because of environmental protection legislation. So, earlier researcher investigated the optimum of galvanized steel about organic/inorganic solution with Si. The result showed that the optimum corrosion resistance was at 190℃ in 5 min. The demand of cold rolled steel(CR) for structural member is gradually increasing. If surface treatment(coating for corrosion resistance) of CR is not conducted, the use is very limited. Because, CR is vulnerable to corrosion. Therefore we need the development of coating solution of high corrosion resistance about CR. In this study, Urethane solution (only Urethane 20 wt.% ; S-700), organic/inorganic solution with Si (Si polysilicate 10 wt.% + Urethane 10 wt.% LR-0317) and organic/inorganic solution with Si and Ti(Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 13 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.% ; LR-0727(1), Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 7 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.% + epoxy 6 wt.% ; LR-0727(2)) are used for evaluation of corrsion resistance of cold rolled carbon steel under salt spray test. Based on the salt spray test of 7 h, LR-0727(1) and LR-0727(2) had a superior effect for the corrosion resistance on CR steel. The organic/inorganic coating solution with Si and Ti(Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 13 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.%; LR-0727(1)) are used for evaluation of corrosion resistance of CR under salt spray test. The specimens with LR-0727(1) coating had heat treatment in the drying oven at 120 ~ 210℃ for 5 minute. Corrosion resistance was investigated with salt spray test of 7 hours. And adhesive test was conducted, too. The rust shows under heat treatment of 150 ℃ and found no vestiges over 160 ℃. The specimens with heat treatment of 160 ℃ or more hasn't happened delamination. From these results, it is considered that limited temperature of optimum heat treatment is 160 ℃ considering energy efficiency.

비소세포폐암세포주 모델에서 epidermal growth factor receptor 경로 매개성 실리비닌(silibinin)유발 세포독성의 효과

최창민 울산대학교 2010 국내박사

연구배경 및 목적 : 폐암은 국내뿐 아니라 전세계적으로 암사망률 1위를 차지하고 있다. 폐암의 치료성적을 향상시키기 위한 다양한 노력이 있어왔고 최근 등장한 epidermal growth factor receptor tyrosine kinase inhibitor (EGFR-TKI)는 표적치료제로서 일부 환자에서 무진행생존기간이 12개월 정도로 세포독성치료제보다 좋은 성적을 보고되고 있다. 하지만 EGFR-TKI를 사용해도 약제에 대한 내성이 생기는 것이 알려졌고 내성의 기전으로는 2차 돌연변이인 T790M 발생이 대표적이다. 따라서 폐암의 치료성적을 향상시키기 위해 이를 극복하기 위한 전략이 필요하다. 실리비닌은 과거부터 간을 보호하는 약제로 널리 사용되어 왔다. 최근 실리비닌이 종양의 성장을 억제하고 EGFR 경로와의 관련성에 대한 연구가 발표되었다. 따라서 ㅇ;번 연구는 실리비닌이 비소세포폐암에서 EGFR 경로를 통해 세포독성을 보이는지 알아보고 EGFR-TKI에 내성획득을 극복할 수 있는지 알아보고자 한다. 연구 대상 및 방법 : EGFR tyrosine kinase 야생형을 가지고 있는 A549, H460, H1299 세포주와 돌연변이를 가지고 있는 PC-9, H1975, HCC 827 세포주를 대상으로 실리비닌의 세포독성 및 EGFR 경로에 미치는 영향을 확인하였다. 그리고 EGFR-TKI에 대한 내성 세포주를 만들어 실리비닌 단독 또는 EGFR-TKI와의 병합요법의 효과를 확인하였다. 연구결과 : 다양한 비소세포폐암세포주 중 EGFR tyrosine kinase 돌연변이를 가진 세포주에서 실리비닌은 EGFR 경로를 통해 활성화를 억제하고 세포독성을 보였다. EGFR-TKI 에 대한 내성을 가진세포주와 T790M 돌연변이를 가진 H1975 세포주에서 EGFR-TKI에 대해서는 세포독성이 없었다. 하지만 실리비닌과 EGFR-TKI를 병합하여 사용하였을 때 통계적으로 유의한 세포독성을 보여주었다. 결론 : EGFR-TKI사용으로 T790M 돌연변이가 발생한 경우에 실리비닌을 추가로 사용할 경우 EGFR-TKI의 내성을 극복할 수 있었다. 중심단어: 비소세포폐암, EGFR 경로, 실리비닌, EGFR-TKI

혼합현실 테스트 모델에 관한 연구 : 테스트 시나리오 자동 생성 중심으로

최창민 한세대학교 2018 국내박사

새로운 형태의 UI를 제공하고 있는 혼합현실 기반 소프트웨어에 기존 테스트 기법을 적용하고, 새로운 형태의 UI에 맞는 테스트 시나리오 자동 생성 모델에 대한 기법을 제안하고자 한다. 이를 위하여 다음과 같은 흐름으로 연구를 진행하고자 한다. 첫 번째로 혼합현실 기반 소프트웨어의 개념 및 기술적 특징을 연구한다. 이전 전통적인 소프트웨어와 혼합현실 기반 소프트웨어는 이벤트 기반으로 동작한다는 공통점이 있지만 혼합현실 기반 소프트웨어는 영상장비가 필수적으로 사용된다. 또한 기존 어플리케이션과는 달리 메뉴나 컨트롤 기능 보다는 마우스의 기능을 대신하는 초점, 헤드 트래킹, 하드웨어 장비에서 제공되는 버튼 등이 주요 동작 장비 들이다. 따라서 주요 테스트 대상은 기존 소프트웨어와 분명한 차이점이 있다. 두 번째로 다양한 관점의 테스트 기법을 연구하고 그 중 블랙박스 테스트 기법을 혼합현실 기반의 소프트웨어에 적용가능한지 연구한다. 블랙박스 테스팅은 기능 테스팅이라고 할 수 있다. 이는 문서화되어 있거나 테스터가 알고 있는 기능과 특징, 특정한 시스템과의 상호 운용성을 고려하여 수행하며, 모든 테스트 레벨에서 수행될 수 있다. 목적은 규정된 기능 및 성능을 정확하게 충족시키는지 확인하는데 있다. 세 번째로 혼합현실 기반 소프트웨어의 테스트 시 기존 블랙박스 테스트 기법을 적용한 테스트 시나리오 자동 생성 모델을 연구한다. 마지막으로 연구 결과를 고찰하기 위해 연구의 결과물을 구현하여 2개 이상의 소프트웨어를 대상으로 검증과정을 갖고자 한다. 결론으로 혼합현실 기반 소프트웨어 테스트에 맞는 테스트 시나리오 자동 생성 모델을 제안하고 추가적인 연구 방향을 제시하고자 한다.

자동 노트 생성 알고리즘을 활용한 가상현실 리듬 게임 설계 및 구현

최창민 광운대학교 대학원 2019 국내석사

최근 가상현실 게임의 활성화와 함께 다양한 플랫폼들의 리듬게임이 개발되고 있지만, 리듬게임을 개발하기 위해 가장 많이 사용하고 있는 'BMS(Be-Music Script)' 형식은 노트의 채보를 제작하기 위한 형식중 하나로 개발자가 일일이 음악을 듣고 직접 노트를 찍는 방법이기 때문에 개발시간을 많이 할애하게 된다는 단점이 있다. 이러한 단점을 해결하고자 본 논문에서는 기존에 사용하던 'BMS' 형식을 대신할 수 있는 새로운 방법을 도출하여 전자 악기와 컴퓨터의 정보를 송수신하는 데이터 규격인 'MIDI'를 기반으로 설계한 자동 노트 생성 알고리즘을 설계하였다. 설계한 자동 노트 생성 알고리즘에 대한 요구분석 및 필요성을 검증하기 위해 개발하는데 할애되는 시간과 리듬의 박자에 대한 정확도를 테스트를 진행하였다. 비교분석을 통한 테스트를 진행한 결과 개발 시간에 대한 부분에서는 본 논문에서 설계한 자동 노트 생성 알고리즘이 기존 'BMS' 형식보다 평균 2,592초 향상된 수치를 확인하였으며, 리듬의 박자에 대한 정확도는 100% 일치하는 결과를 확인하였다. 또한 설계한 자동 노트 생성 알고리즘이 다양한 리듬게임 플랫폼에 적용이 가능한지 확인하기 위해서 이를 지원하는 'Unity 3D' 엔진을 사용하여 게임을 실제로 구현하였다. 구현한 게임에 자동 노트 생성 알고리즘을 적용한 결과 게임 플레이를 통해 자동 노트 생성 알고리즘이 다양한 리듬게임 플랫폼에 적용이 가능한 것을 확인하였다.

A Study on the Gate Stack Dependence of Program/Erase Speed, Retention, and Process Margin in Metal Nano-crystal Memories

최창민 국민대학교 대학원 2009 국내석사

In this work, gate stacks in metal nanocrystal (NC) memories, as a promising next generation storage devices and their systems, are extensively investigated. A comparative analysis and characterization of the Program/Erase (P/E) speed, retention, and the process margin of promising metal NC memories including high-k and bandgap engineering technologies are performed by using TCAD simulation. It is shown that NC memory with high-k dielectric (HfO₂) is better performance in P/E speed and retention when the diameter of NC is below 5 nm. When the diameter is beyond 5nm, on the other hand, the bandgap-engineered bottom oxide gate structure shows improved performance in P/E speed and retention. From the view point of the process margin, the permittivity of the dielectric is getting larger, limits of the diameter and the density of NCs allows the degree of freedom larger. 기존 부유게이트 플래시 메모리에서 터널링 산화막의 두께는 기술 노드 발전에 따라 감소해야 하고, 그에따라 쓰기/지우기 전압을 낮출 수 있다. 그러나 부유 게이트 플래시 메모리 셀을 지우고 쓰기 위해 높은 전압을 사용하므로 셀의 쓰기/지우기 동작의 반복에 따라 산화막 양단에 높은 전계가 걸리게 되고, 이러한 스트레스로 인한 누설전류는 부유 게이트에 저장된 전하의 누설을 가져옴과 동시에 셀의 동작성능 저하, 심각한 신뢰성 열화 등을 야기한다. 터널링 산화막에 국소적인 누설 경로만 생기더라도 다결정 실리콘으로 이루어진 전하 저장노드이기 때문에 대부분의 전하가 누설되게 된다. 따라서 터널링 산화막의 두께를 낮추기가 어려워지고, 이에 따라 저전압 동작을 기대하기 어렵다. 반면, SONOS 플래시 메모리의 경우, 정보저장용 전하가 질화막 내부에 공간에 따라 이산적으로 존재하는 트랩에 저장되므로, 터널링 산화막에 국소적인 누설 경로가 생기더라도 전하의 대부분은 누설되지 않고 정보를 간직할 수 있다. 이는 곧 터널링 산화막의 두께를 축소화할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 저전압에서도 효율적인 쓰기/지우기 동작이 가능하게 된다. 또한, 이산적인 트랩분포로 인해 전하보존특성이 우수하며, 셀 트랜지스터 위에 부유 게이트를 쌓아 올리는 공정이 불필요하므로 셀의 높이가 줄어들고 공정 단계가 감소하며, 기존 CMOS 공정을 그대로 활용할 수 있어 원가 또한 절감된다. 이렇듯, 많은 장점을 가진 SONOS 플래시 메모리이지만, 기술적으로 해결해야 할 문제가 상당 부분 남아있다. 우선 질화막 내에 3차원으로 분포하는 트랩의 공간적 분포, 에너지 레벨 분포 등은 셀의 메모리 특성을 결정하는 가장 중요한 파라미터임에도 불구하고 공정 조건에 따라 민감하게 변화하며 그 분포를 정량적으로 추출하기가 매우 난해하다. 따라서 쓰기/지우기 동작에 따른 특성 변화, 시간에 따른 전하보존 특성의 변화, 동작 시 각종 간섭조건에서의 셀 특성 변화 및 열화 등에 대한 이론적 해석 및 모델링을 매우 어렵게 만들고 있다. 이러한 어려움에 대한 대안으로 2차원 나노 결정 어레이를 저장 노드로 이용하는 나노 결정 플래시 메모리 기술이 최근 활발히 연구되고 있다. 본 논문은 이러한 차세대 메모리 소자로 주목 받고 있는 나노 결정 플래쉬 메모리 소자를 다양한 Gate Stacks에 적용하여 쓰기/지우기 속도, 전하 보존 특성과 공정마진을 비교연구 하였다. 나노 결정의 지름이 증가하면서 쓰기/지우기 효율은 증가하게 되는데 그 이유는 나노 결정의 감소한 Charging Energy (CE)와 증가된 Coupling Ratio (CR)때문이다. 나노 결정의 지름이 4~5 nm 이상에서는 Bandgap Engineering (BE)된 산화막을 사용한 구조가 가장 좋은 쓰기/지우기 효율을 보이는 반면, 그 이하(<4~5 nm)에서는 high-k 산화막을 사용한 구조가 가장 좋은 효율을 보였다. 전하 보전 특성에 있어서도 4~5 nm 이상에서는 BE된 산화막을 사용한 구조, 그 이하에서는 high-k 산화막을 사용한 구조가 좋은 특성을 보였다. 공정마진 관점에서는 유전율이 클수록 특정한 성능을 보이기 위한 지름과 밀도의 자유도가 증가한다. 본 연구는 실제로 나노 결정 메모리를 제작 및 분석하는데 있어 많은 정보를 제공하리라 기대한다.

금속 나노 결정 메모리의 쓰기/지우기 속도, 전하유지 및 공정마진에 대한 Gate Stack의존성 연구 : A Study on the Gate Stack Dependence of Program/Erase Speed, Retention, and Process Margin in Metal Nano-crystal Memories

최창민 국민대학교 대학원 2009 국내석사

In this work, gate stacks in metal nanocrystal (NC) memories, as a promising next generation storage devices and their systems, are extensively investigated. A comparative analysis and characterization of the Program/Erase (P/E) speed, retention, and the process margin of promising metal NC memories including high-k and bandgap engineering technologies are performed by using TCAD simulation. It is shown that NC memory with high-k dielectric (HfO₂) is better performance in P/E speed and retention when the diameter of NC is below 5 nm. When the diameter is beyond 5nm, on the other hand, the bandgap-engineered bottom oxide gate structure shows improved performance in P/E speed and retention. From the view point of the process margin, the permittivity of the dielectric is getting larger, limits of the diameter and the density of NCs allows the degree of freedom larger. 기존 부유게이트 플래시 메모리에서 터널링 산화막의 두께는 기술 노드 발전에 따라 감소해야 하고, 그에따라 쓰기/지우기 전압을 낮출 수 있다. 그러나 부유 게이트 플래시 메모리 셀을 지우고 쓰기 위해 높은 전압을 사용하므로 셀의 쓰기/지우기 동작의 반복에 따라 산화막 양단에 높은 전계가 걸리게 되고, 이러한 스트레스로 인한 누설전류는 부유 게이트에 저장된 전하의 누설을 가져옴과 동시에 셀의 동작성능 저하, 심각한 신뢰성 열화 등을 야기한다. 터널링 산화막에 국소적인 누설 경로만 생기더라도 다결정 실리콘으로 이루어진 전하 저장노드이기 때문에 대부분의 전하가 누설되게 된다. 따라서 터널링 산화막의 두께를 낮추기가 어려워지고, 이에 따라 저전압 동작을 기대하기 어렵다. 반면, SONOS 플래시 메모리의 경우, 정보저장용 전하가 질화막 내부에 공간에 따라 이산적으로 존재하는 트랩에 저장되므로, 터널링 산화막에 국소적인 누설 경로가 생기더라도 전하의 대부분은 누설되지 않고 정보를 간직할 수 있다. 이는 곧 터널링 산화막의 두께를 축소화할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 저전압에서도 효율적인 쓰기/지우기 동작이 가능하게 된다. 또한, 이산적인 트랩분포로 인해 전하보존특성이 우수하며, 셀 트랜지스터 위에 부유 게이트를 쌓아 올리는 공정이 불필요하므로 셀의 높이가 줄어들고 공정 단계가 감소하며, 기존 CMOS 공정을 그대로 활용할 수 있어 원가 또한 절감된다. 이렇듯, 많은 장점을 가진 SONOS 플래시 메모리이지만, 기술적으로 해결해야 할 문제가 상당 부분 남아있다. 우선 질화막 내에 3차원으로 분포하는 트랩의 공간적 분포, 에너지 레벨 분포 등은 셀의 메모리 특성을 결정하는 가장 중요한 파라미터임에도 불구하고 공정 조건에 따라 민감하게 변화하며 그 분포를 정량적으로 추출하기가 매우 난해하다. 따라서 쓰기/지우기 동작에 따른 특성 변화, 시간에 따른 전하보존 특성의 변화, 동작 시 각종 간섭조건에서의 셀 특성 변화 및 열화 등에 대한 이론적 해석 및 모델링을 매우 어렵게 만들고 있다. 이러한 어려움에 대한 대안으로 2차원 나노 결정 어레이를 저장 노드로 이용하는 나노 결정 플래시 메모리 기술이 최근 활발히 연구되고 있다. 본 논문은 이러한 차세대 메모리 소자로 주목 받고 있는 나노 결정 플래쉬 메모리 소자를 다양한 Gate Stacks에 적용하여 쓰기/지우기 속도, 전하 보존 특성과 공정마진을 비교연구 하였다. 나노 결정의 지름이 증가하면서 쓰기/지우기 효율은 증가하게 되는데 그 이유는 나노 결정의 감소한 Charging Energy (CE)와 증가된 Coupling Ratio (CR)때문이다. 나노 결정의 지름이 4~5 nm 이상에서는 Bandgap Engineering (BE)된 산화막을 사용한 구조가 가장 좋은 쓰기/지우기 효율을 보이는 반면, 그 이하(<4~5 nm)에서는 high-k 산화막을 사용한 구조가 가장 좋은 효율을 보였다. 전하 보전 특성에 있어서도 4~5 nm 이상에서는 BE된 산화막을 사용한 구조, 그 이하에서는 high-k 산화막을 사용한 구조가 좋은 특성을 보였다. 공정마진 관점에서는 유전율이 클수록 특정한 성능을 보이기 위한 지름과 밀도의 자유도가 증가한다. 본 연구는 실제로 나노 결정 메모리를 제작 및 분석하는데 있어 많은 정보를 제공하리라 기대한다.

수소결합에 의해 형성된 디벤조-18크라운-6-이터 착물 이온에 대한 기체상에서의 분광학적 연구

최창민 충북대학교 대학원 2009 국내석사

Macrocyclic crown ethers are well-known molecules in host-guest chemistry. One of the earliest-recognized properties of these molecules is their ability to selectively bind cations in solution. As a model system to understand the host-guest interactions, the hydrogen bonded complex ions of dibenzo-18-crown-6-ether(DB18C6) were investigated in the gas phase, using a quadrupole ion trap reflectron time-of-flight mass spectrometer (QIT-ReTOFMS). The DB18C6 complex ions with H3O+, NH4+, CH3NH3+, (CH3)2NH2+ and (CH3)3NH+ were produced by electrospray ionization, accumulated in the QIT, photo-fragmented by Ultraviolet(UV) laser pulses, and analyzed by ReTOFMS. The photo-depletion spectra were then obtained by monitoring the intensity of parent ions with and without laser firing as a function of the laser wavelength. The spectra exhibited the changes in the excitation energies to the origin band of the S1 state as the ion bound to DB18C6 varies. The spectral shift and its relation to the structure of DB18C6 complex as well as to the binding affinity of the cation are discussed with the help of theoretical calculations using the density functional theory. 크라운 이터는 호스트-게스트 화학에서 가장 잘 알려진 분자이다. 이분자의 성질 중 하나는 수용액에서 선택적으로 양이온과 결합하는 능력이다. 이러한 호스트-게스트 상호작용을 이해하기 위한 모델 연구로서, 디벤조-18-크라운-6-이터(DB18C6)가 수소결합을 통해 형성한 착물 이온을 혼성 4중극자 이온트랩 반사판 비행시간측정 질량분석기(QIT-ReTOFMS)를 사용하여 기체상에서 연구하였다. H3O+- DB18C6, NH4+- DB18C6, CH3NH3+- DB18C6, (CH3)2NH2+- DB18C6, 그리고 (CH3)3NH+- DB18C6을 전자분무이온화장치(ESI)로 생성한 후, 냉각된 QIT에 수 밀리초 동안 저장하여 특정 착물 이온을 선택하였다. 그런 다음 자외선 (UV)레이저를 사용하여 광분해 시킨 후, 생성된 이온들을 ReTOFMS를 사용하여 분석하였다. 레이저 파장에 따라 레이저 조사 전과 후의 분자 이온신호 세기변화를 측정하여 광분해 스펙트럼을 얻었다. 각각의 착물 이온의 S0에서 S1 state로의 전이 들뜸 에너지가 서로 다르다는 것을 스펙트럼을 통해 알아 내었다. 이러한 스펙트럼의 변화는 양이온의 결합능력뿐만 아니라 DB18C6와 수소 결합한 착물의 구조와도 관련이 있다는 사실을 이론 계산을 통해 설명하였다.

주기적 분극 반전된 MgO:LiNbO3 언덕형 도파로 제작 및 파장 변환 특성에 관한 연구

최창민 한국산업기술대학교 지식기반기술·에너지대학원 2009 국내석사

본 연구에서는 광굴절 손상에 대한 저항성이 큰 MgO:LiNbO₃ 결정을 이용하여 외부전기장 인가에 의해 6.8 ㎛ 주기를 갖는 주기적 분극 반전된 MgO:LiNbO₃ (PPMgLN, Periodically Poled MgO:LiNbO₃) 언덕형 도파로를 제작하였다. PPMgLN 기판에 언덕형 광 도파로 제작을 위해 PPMgLN 기판과 LiNbO₃ 기판간의 epoxy 접합공정, PPMgLN 기판의 Chemical Mechanical Polishing(CMP) 공정, 그리고 가공된 기판에 패턴 형성 및 식각공정 작업을 수행하였다. 제작된 소자 특성 측정 결과, 최대 파장변환효율을 갖는 파장은 1.067 ㎛, 파장변환효율은 90.7 %/Wcm², 파장변환효율 곡선의 반치폭은 0.17 nm임을 각각 확인하였다. 실험값과 이론값의 비교 결과, 분극반전주기와 파장변환효율곡선의 반치폭 계산 오차는 각각 0.016 ㎛와 0.01 nm로 이론값이 실험값을 잘 예측함을 확인할 수 있었다. Optical ridge waveguide devices were fabricated using Periodically Poled Magnesium doped (5 mol%) Lithium Niobate (MgO:LiNbO₃ or PPMgLN) wafers by an electric field poling technique. Fabrication processes consist of three steps including the epoxy bonding between PPMgLN and LiNbO₃ wafers, the lapping and polishing of the bonded PPMgLN wafer, and the photo-lithography and reactive ion etching. The fabricated PPMgLN ridge waveguide showed the following optical characteristics : the center wavelength 1.067 ㎛, the normalized conversion efficiency 90.7 %/Wcm², and the full width half maximum of the conversion efficiency curve 0.17 nm. The theoretical calculations of the duty period and the full width half maximum of the conversion efficiency curve were found in good agreement with the experimental results within the errors of 0.016 ㎛ and 0.01 nm, respectively.

태권도 호신술의 실전적 가치를 위한 지도력 증진 및 활성화 방안

최창민 한국체육대학교 사회체육대학원 2023 국내석사

This research aims to examine ways to enhance and activate the instructional competence for the practical value of Taekwondo self-defense techniques, as well as to provide foundational data for subsequent research and explore future development directions. In order to achieve this, it is important to accurately understand that Taekwondo self-defense techniques are principles derived from the application and development of the fundamental movements underlying Taekwondo sparring and forms. The objective is to enable the implementation of self-defense techniques within a limited time frame, considering accuracy, swiftness, and realism in real-life situations. Through investigation and analysis, the following conclusions were drawn through discussions and open-ended questions with practitioners and instructors (experts) who have undergone training, participants in competitions, including both advanced and novice students. Firstly, Taekwondo self-defense techniques involve applying and utilizing the skills acquired, mastered, and internalized through training in basic movements, strikes, forms, and sparring, in order to protect oneself and counter-attack against opponents. It is a form of action that embodies the essence of Taekwondo's spirit and techniques, combining physical and mental cultivation and the principles of defense and offense. Taekwondo self-defense techniques are based on practical skills that allow individuals to effectively defend themselves and ensure their safety in urgent and threatening situations. Therefore, it is crucial to have a thorough understanding of the essence of self-defense techniques, as well as to grasp the functions and principles of self-defense techniques in various stages, processes, and situations. Additionally, understanding the principles and applications of self-defense techniques that are not standardized is important, as it helps to acquire essential knowledge and provides a foundation for effectively teaching the technical system of self-defense techniques. This leads to the improvement of abilities in handling real-life situations, enhancing the accuracy of defense and offense techniques, and achieving successful self-defense training. Secondly, this research aims to develop a program for Taekwondo self-defense techniques, ranging from Form 1 to Form 8, in order to enhance instructional competence and activate the practical value of Taekwondo self-defense techniques. It involves analyzing the opinions of practitioners in each component and aspect of the program and seeking ways to further develop self-defense techniques. Therefore, it was necessary to effectively supplement the disconnected movements in forms, as they are not seamlessly connected in practical situations. Instead of distinguishing between blocking and evading, it was necessary to unify the concept of defense. Thirdly, in the process of studying the movements in sparring, it was realized that the movements of avoiding attacks serve a similar function to blocking in forms. It was concluded that the basic stance in Taekwondo self-defense techniques should be based on the stance used in sparring, as it is intended to defend against opponents' attacks. The range of movements was not restricted by pre-determined patterns (lines), allowing for autonomous movements and maximizing the sensory ability to recognize opponents' movements, adjust distances, and counter-attack. By unifying blocking and evading, the principle of connecting defense and offense, the objective of self-defense can be achieved through both Taekwondo forms and sparring. Therefore, further research is necessary to develop more diverse and practical forms for Taekwondo self-defense techniques in order to enhance their applicability in real-life situations. 이 연구는 태권도 호신술의 실전적 가치를 위한 지도력 증진 및 활성화 방안을 살펴보고 후속 연구에 기초자료를 제공하는 데 있으며, 나아가 향후 발전 방안을 모색하는 것에 연구의 목적이 있다. 이를 위하여 태권도 호신술은 태권도 겨루기와 품새의 기반이 되는 동작의 원리들이 호신화 되는 과정에서 응용 개발 되어진 호신술의 원리임을 정확히 이해시키고 이를 통하여 실전 상황을 가정하고 시간제한 내에서 호신술 동작을 구현하는 것이 가능하도록 정확성과 신속성, 마주한 상황적 Realism에 대한 현실적 동작 수행에 그 목적이 있으며 이를 조사 분석하여, 태권도 호신술 품새를 구성하고 이후 수련 과정을 거친 선수 및 지도자 (전문가)와 경기에 참여한 유품자, 그리고 유단자와 초보자를 포함한 대학생들에게 토론과 개방형 질문을 통하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 태권도 호신술은 태권도 기본동작, 격파, 품새, 겨루기 수련을 통하여 습득, 체득, 체화한 기술을 응용하여 타자로부터 몸을 보호하고 공격하는 기법이다. 또한 태권도 정신과 기술의 핵심을 모아 심신 수양과 공방 원리를 직간접적으로 나타낸 행동 양식이며, 생존에 따른 실질적 기술을 바탕으로 급박한 위협적인 상황에서 자신의 신체를 안전하고 효과적으로 방어하는 기법이다. 따라서 호신술의 본질을 충분히 이해하고 단계별, 과정별, 상황별 호신술 실기에 대한 기능과 원리에 대해 숙지하며, 또한 정형화되어 있지 않은 호신술의 원리와 활용을 이해하여 핵심 사항을 충분히 숙지하고 보다 체계적인 지도법으로 호신술의 기술 체계를 잘 이해시키고 실제 상황에 대처하는 능력향상 및 공방 기술의 정확성과 성공적인 자기방어 훈련을 자유자재로 활용할 수 있도록 지도하는 데 있어 기초를 제공하는데 의의를 가진다.둘째, 본 연구는 태권도 호신술의 실전적 가치를 위한 지도력 증진 및 활성화 방안을 위해 태권도 호신술 품새 1장부터 8장까지 프로그램을 구성하고 각 구성 내용과 구성요소에 대한 부문에 수련자의 의견을 분석하고 호신술의 발전 방안을 도모하는데 목적이 있다. 따라서 품새의 서기는 움직임 자체가 분절되어있어 실전 시 연결 동작으로 이어지기 어려우므로 이 부분을 상황에 맞게 효과적으로 보완할 필요성이 있었고, 막고 피하기를 구분하는 것이 아니라 방어의 개념으로 일원화시킬 필요가 있었다. 셋째, 겨루기의 움직임을 연구하는 과정에서 발동작이 공격적 관점에만 국한되는 것이 아니라 실제로는 겨루기에서의 피하는 발놀림이 품새의 막기와 같은 기능을 하고 있다는 것을 깨달았으며 마침내 태권도 호신술 품새의 기본자세는 장골능에서 시작되는 것이 아니라 상대의 공격을 방어하기 위해 겨루기의 기본자세로 바꾸었고 움직임은 자율적으로 움직일 수 있도록 규정된 동작범위(선)를 두지 않음으로 상대의 움직임을 파악하여 거리 조절 및 반격할 수 있는 감각적 능력을 더욱 극대화할 수 있게 되었다. 또한 막고 피하기를 일원화하여 방어와 공격의 연결원리를 전제로 하여 태권도 품새와 겨루기를 통하여도 충분히 호신의 목적이 달성됨 수 있음을 나타내고자 하였다. 따라서 후속 연구에서는 더 다양한 실전성과 경기화를 위한 태권도 호신술 품새의 개발을 위한 연구가 이루어져야 할 것이다.

2009 개정교육과정에 의거 집필된 "기술·가정"교과서 내 생물기술영역 내용 분석

최창민 고려대학교 교육대학원 2018 국내석사

< Abstract > Content Analysis of Biotechnology Chapter of “Technology and Family” Textbook Based on 2009 Rivised Education Curriculum Chang-Min Choi Correspondence: Chang-Min Choi, Musan Middle School This study examines the biotechnology chapter of the “Technology and Famally” textbook published according to the 2009 Revised Education Curriculum. This study pays attention to the importance given to biotechnology in the textbook and how the elements of biotechnology contents were handled. Comparisons were made using previous research examining the biotechnology chapter of the “Technology and Famally” textbook published according to the 7th Revised Education Curriculum, and future directions were proposed for curriculum and content improvement related to biotechnology. Results of the study are as follows. First, as compared to the biotechnology chapter of the “Technology and Famally” textbook published according to the 7th Revised Education Curriculum, more than 85% of biotechnology-related technologies were newly presented, whereas agriculture-related technologies were reduced in the biotechnology chapter of the “Technology and Famally” textbook published according to the 2009 Revised Education Curriculum. However, biology-related technologies were not up-to-dated and there have been no major changes in the way biotechnology-related technologies are explained. Second, in the 2009 Revised Education Curriculum, biotechnology is combined with the less meaningful 'Future Technologies and Univeral Experience Activity' to form a larger chapter, which has a negative impact on the chapter configuration and the proper weight that include the elements of biotechnology contents. In future curriculums, 'Future Technologies and Univesal Experience Activity' should be separated from biotechnology and further research related to biotechnology is required for development into a whole chapter.