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임신부에서 group B streptococci 감염의 임상적 의의
최길웅,고승권,이지영,박지현,황성욱,이병익,이우영 대한산부인과학회 2002 Obstetrics & Gynecology Science Vol.45 No.5
목적 : 임신부에서 group B streptococcus의 보균율을 알아보고 감염 여부와 분만 전후 임신부 및 태아의 주산기 예후와의 관계를 알아보고자 하였다. 연구 방법 : 2000년 1월 1일부터 2001년 6월 30일까지 인하대학교 의과대학 인하병원 산부인과에 산전 진찰을 위하여 내원한 임신 35주 이후 임신부를 대상으로 하였다. 검체는 임신부의 질 하부와 회음부에서 채취 하였고 이를 선택 배지에서 배양하여 group B streptococcus의 유무를 판정하였다. 대상 임신부는 group B streptococcus 보균 유무와 분만 전후 임신부와 신생아의 주산기 예후를 비교하였다. 결과 : 204명의 임신부들을 대상으로 Group B streptococcus 배양 검사를 시행한 결과 4명 (1.96%)에서 양성 반응을 보였다. 신생아중 group B streptococcus 감염은 없었다. Group B streptococcus 배양 검사에서 양성을 보인 임신부와 음성을 보인 임신부의 주산기 예후는 통계학적인 차이는 없었다. 결론 : 본 연구에서 임신부의 group B streptococcus 보균율은 1.96%로 미국의 보균율 (10∼30%)보다 낮았으며, 신생아 감염률은 0%로 임신부에서 group B streptococcus 선별 검사로써의 유용성이 낮은 것으로 사료된다. 그러나 최근 group B streptococcus는 임신부에게 조기 진통, 조기 양막 파수, 융모 양막염, 산욕기 감염, 분만 후 모성 골수염 등의 합병증을 야기하며 신생아에 있어서 사산, 패혈증 및 뇌수막염을 비롯한 조기 또는 지연되어 발현하는 여러 합병증을 유발하는 것으로 알려져 있어 국내 임신부에서 group B streptococcus 감염의 임상적 의의를 알기 위해서는 더 많은 연구가 필요할 것으로 사료된다.
GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
최길웅,김형종,최진주,김선주 한국ITS학회 2010 한국ITS학회논문지 Vol.9 No.5
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 100 ㎲의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가 효율 (power-added efficiency, PAE) 및 드레인 효율 (drain efficiency)은 각각 64%와 80.6%로 측정되었다. In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT). The carrier and peaking amplifiers of the proposed Doherty power amplifier consist of the switching-mode Class-E power amplifiers. The test conditions are a duty of 10% and a pulse width of 100 μs and pulse repetition frequency (PRF) of 1 kHz for a S-band radar application. A RF performance peak PAE of 64% with drain efficiency of 80.6 %, at 6 dB output back-off point from saturated output power of 45.5 dBm, was obtained at 2.85 GHz.
최길웅,김형종,최진주,최준호,Choi, Gil-Wong,Kim, Hyoung-Jong,Choi, Jin-Joo,Choi, Jun-Ho 한국군사과학기술학회 2010 한국군사과학기술학회지 Vol.13 No.6
This paper describes the design and fabrication of a high-efficiency GaN HEMT(Gallium Nitride High-electron Mobility Transistor) Pallet power amplifier module for S-band phased array radar applications. Pallet amplifier module has a series 2-cascaded power amplifier and the final amplification-stage consists of balanced GaN HEMT transistor. In order to achieve high efficiency characteristic of pallet power amplifier module, all amplifiers are designed to the switching-mode amplifier. We performed with various PRF(Pulse Repetition Frequency) of 1, 10, 100 and 1000Hz at a fixed pulse width of $100{\mu}s$. In the experimental results, the output power, gain, and drain efficiency(${\eta}_{total}$) of the Pallet power amplifier module are 300W, 33dB, and 51% at saturated output power of 2.9GHz, respectively.
최길웅,이유리,김기호,최진주,소준호 한국ITS학회 2006 한국ITS학회논문지 Vol.5 No.1
본 논문에서는 7 - 11 GHz 대역에서 동작하는 광대역 Microwave Power Module (MPM)을 설계하고 제작하였다. MPM 은 TWT (Traveling Wave Tube)와 SSA (Solid State Amplifier)로 구성되며, TWT와 SSA의 이득을 최적으로 배분하여 잡음지수를 줄일 수 있도록 설계하였다. Agilent사의 ADS (Advanced Design System)을 이용하여 SSA의 컴퓨터 모델링과 시뮬레이션을 수행 하였으며, 직렬 분포형 증폭기 구조를 이용하여 설계 및 제작하였다. 제작된 광대역 MPM은 7 - 11 GHz 대역에서 8.3 - 10.02 dB의 잡음 지수, 9 GHz에서 38.12 dBm의 출력 전력이 측정되었다. In this paper, a broadband Microwave Power Module(MPM) operating at 7 - 11 GHz is designed and fabricated. The MPM consists of a SSA (Solid State Amplifier) and a conventional TWT (traveling Wave Tube). This combined module takes advantage of a low noise and high gain of SSA. The computer modeling and simulation of the SSA are designed by the use of the ADS (Advanced Design System) software. The SSA is designed by configurating the CSSDA (Cascaded Single Stage Distributed Amplifier). The broadband MPM is measured to be noise figure 8.3 - 10.02 dB at 7 - 11 GHz bandwidth, output power of 38.12 dBm at 9 GHz.
GaN HEMT를 이용한 스위칭 모드 전력증폭기 설계 및 전력증폭기의 Ruggedness 특성 분석
최길웅(Gil-Wong Choi),이복형(Bok-Hyoung Lee),김형주(Hyoung-Joo Kim),김상훈(Sang-Hoon Kim),최진주(Jin-Joo Choi),김동환(Dong-Hwan Kim),김선주(Seon-Joo Kim) 한국전자파학회 2013 한국전자파학회논문지 Vol.24 No.4
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 100 ㎲의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 ㏈의 전력 이득과 42 ㏈m의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이 측정되었다. 또한, 전력증폭기의 신뢰성 시험의 일환으로 Ruggedness 시험을 위한 실험 구성을 제안하고, VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)을 변화시켜 출력 전력과 효율을 측정하였다. 설계된 전력증폭기가 VSWR 변화에 따라 출력 전력 32.6~41.1 ㏈m까지 변화하고, 드레인 효율은 23.4~63 %까지 변하는 특성을 얻을 수 있었다. This paper presents design, fabrication and ruggedness test of switching-mode power amplifier using GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) for S-band radar applications. The power amplifier is designed to Class-F for high efficiency. The input signal for the measurement of the power amplifier is pulse signal at 100 ㎲ pulse width and duty cycle of 10 %. The measurement results of the fabricated Class-F power amplifier are a power gain of 10.8 ㏈, an output power of 40.8 ㏈m, a power added efficiency(PAE) of 54.2 %, and a drain efficiency of 62.6 %, at the center frequency. We proposed reliability test set-up of a power amplifier for ruggedness test. And we measured output power and efficiency according to VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) variation. The designed power amplifier achieved output power of 32.6~41.1 ㏈m and drain efficiency of 23.4~63 % by changing VSWR, respectively.