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임플란트 주위염이 발생한 고정성보철 환자에 상악 Milled-bar와 부착장치를 이용한 피개의치로 수복한 증례
이준명,김소연,이두형,이규복,이청희 대한치과보철학회 2024 대한치과보철학회지 Vol.62 No.2
There are various methods for restoring the dentition of completely edentulous patients. Removable complete dentures have the advantage of being relatively economical, but they can be uncomfortable to wear. With the introduction of implant prosthodontics, various options such as implant-supported overdentures and hybrid prostheses have become available. If there is inadequate remaining ridge or limited financial resources, an overdenture supported by a few implants with additional attachments may be more suitable. In this case, due to severe peri-implantitis and other complications, the implants were removed. Subsequently, four implants (two on each side) were placed in the maxilla and a milled-bar with attachment was fabricated for each side of the maxilla. 완전 무치악 환자의 보철 수복에는 다양한 방법이 있지만, 환자의 개별적인 상황과 요구사항에 따라 적절한 방법을 선택하는 것이 중요하다. 가철성 총의치는 비교적 경제적인 장점이 있지만, 불편한 착용감과 낮은 저작효율이 문제가 될 수 있다. 반면 임플란트를 이용한 고정성 보철물은 안정성이 높지만 다수의 임플란트가 필요하고 수술적인 위험이 있으며 경제적인 부담이 크다는 단점이 있다. 임플란트 보철학이 도입되면서 임플란트를 이용한 임플란트 지지 국소의치, 피개의치 등 다양한 선택이 가능해졌다. 잔존 치조골이 충분한 경우 임플란트를 이용한 고정성 보철물이 가장 효과적인 선택일 수 있다. 하지만 잔존 치조골이 부족하여 임플란트 식립이 불가능하거나 경제적인 여유가 없는 경우에 소수의 임플란트를 이용한 피개의치는 임플란트를 통해 지지를 얻고 부가적인 부착장치로 유지를 얻을 수 있으며 의치로 안모를 회복하는데 적합할 수 있다. 본 증례는 하악 양쪽 구치부 임플란트 통증 및 저작시 불편감으로 내원하였으며, 심한 임플란트 주위염으로 다수의 임플란트를 발거 후 상악은 양쪽 구치부에 임플란트를 재식립하여 milled-bar에 부착장치로 유지력을 얻은 피개의치를 제작하였고, 하악은 임플란트를 추가 식립 후 고정성 보철물을 이용하여 수복하였다. 치료가 완료된 후 10개월간 경과관찰 결과 의치의 파절, 유지력 상실 등 임상적으로 이상이 없었으며 방사선학적으로도 초진시와 유사한 골 소실상태를 보였다. 또한 구강위생이 잘 유지되었고 환자도 심미적 기능적 결과에 만족하였다.
이준명,두정훈,민준기,하만영,손창민 대한기계학회 2016 JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY Vol.30 No.3
Diverse cross-corrugated surface geometries were considered to estimate the sensitivity of four variants of k-ε turbulence models (Low Reynolds, standard, RNG and realizable models). The cross-corrugated surfaces considered in this study are a conventional sinusoidal shape and two different asymmetric shapes. The numerical simulations using the steady incompressible Reynolds-averaged NavierStokes (RANS) equations were carried out to obtain the steady solutions of the flow and thermal fields in the unitary cell of the heat exchanger matrix. In addition, the experimental test for the measurement of local convective heat transfer coefficients on the heat transfer surfaces was performed by means of the Transient liquid crystal (TLC) technique in order to compare the numerical results with the measured data. The features on detailed flow structure and corresponding heat transfer in the unitary cell of the matrix type heat exchanger are compared and analyzed against four different turbulence models considered in this study.
레이저 검출용 고감도 실리콘 포토다이오드 제조 및 특성 분석에 관한 연구
이준명,강은영,박건준,김용갑,Lee, Jun-Myung,Kang, Eun-Young,Park, Keon-Jun,Kim, Yong-Kab 한국전자통신학회 2014 한국전자통신학회 논문지 Vol.9 No.5
In order to improve spectrum sensitivity of photodiode for detection of the laser wavelength at 850 nm ~ 1000 nm of near-infrared band, this study has produced silicon-based photodiode whose area is $5000{\mu}m{\times}2000{\mu}m$, and the thickness is $280{\mu}m$. It was packed by the TO-5 type. The electrical properties of the dark currents have valued of approximately 0.1 nA for 5 V reverse bias, while the capacitance showed 32.5 pF at frequency range of 1 kHz and about 32.4 pF at the range of 200 kHz for 0 V. In addition, the rising time of output signal was as fast response as 20.92 ns for 10V. For the optical properties, the best spectrum sensitivity was 0.57 A/W for 890 nm, while it was relatively excellent value of 0.37 A/W for 1,000 nm. Over all, there were good spectrum sensitivity for this diode over the range of 870 ~ 920 nm. 본 논문에서 850nm~1000nm 파장대역에서 레이저를 검출하기 위한 고감도 실리콘 포토다이오드를 제조하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 소자의 크기는 $5000{\mu}m{\times}2000{\mu}m$이며 두께는 $280{\mu}m$로 제조하여 TO-5 형태로 패키징 하였다. 전기적 특성으로 암전류는 5V 역 전압 일 때 0.1nA의 값을 나타내었으며 정전용량은 0V일 때 1kHz 주파수 대역에서 32.5pF와 200kHz 주파수 대역에서 32.4pF로 적은 정전용량의 값을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10V의 전압일 때 20.92ns로 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성으로는 890nm에서 최대 0.57A/W의 분광감응도를 나타내었고 1000nm에서는 0.37A/W로 감소한 분광감응도를 나타내고 있지만 870nm~920nm 파장대역에서는 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다.
Silicon기반 고감도 PIN Photodiode의 전기적 및 광학적 특성 분석
이준명,강은영,박건준,김용갑,황근창,Lee, Jun-Myung,Kang, Eun-Young,Park, Keon-Jun,Kim, Yong-Kab,Hoang, Geun-Chang 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.6
근적외선 파장대역 850 nm ~ 1000 nm에서 레이저를 검출하기 위해 포토다이오드의 분광감응도를 향상시키고자 본 논문에서 실리콘 기반 고감도 PIN 포토 다이오드를 제작하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 TO-18형으로 패키징 하였고 포토다이오드의 전기적 특성으로 역 바이어스 전압이 5V일 때 암전류는 Anode 1과 Anode 2는 약 0.055 nA 의 값을 나타내었으며 정전용약은 0V 일 때 1 kHz 주파수 대역에서 약 19.5 pF, 200 kHz 주파수 대역에서 약 19.8 pF의 적은 정전용약을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10 V의 전압일 때 약 30 ns의 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성 분석으로는 880 nm에서 최대 0.66 A/W의 분광감응도 값을 나타내었고 1000 nm에서는 0.45 A/W로 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다. In order to improve spectrum sensitivity of photodiode for detection of the laser at 850 nm ~ 1000 nm of near-infrared wavelength band, this study has produced silicon-based fast film PIN photodiode and analyzed electrical and optical properties. The manufactured device is packaged in TO-18 type. The electrical properties of the dark currents both Anode 1 and Anode 2 have valued of approximately 0.055 nA for 5 V reverse bias, while the capacitance showed 19.5 pF at frequency range of 1 kHz and about 19.8 pF at the range of 200 kHz for 0 V. In addition, the rising time of output signal was verified to have fast response time of about 30 ns for 10 V. For the optical properties, the best spectrum sensitivity was 0.66 A/W for 880 nm, while it was relatively excellent value of 0.45 A/W for 1,000 nm.
MEMS 공정을 통한 마이크로 Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub> 박막 압전 외팔보 에너지 수확소자의 제작 및 특성 연구
이준명,천인우,김문근,권광호,이현우,Lee, Junmyung,Chun, Inwoo,Kim, Moonkeun,Kwon, Kwang-Ho,Lee, Hyun Woo 한국전기전자재료학회 2013 전기전자재료학회논문지 Vol.26 No.11
In this study, we fabricated a micro $Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) film piezoelectric cantilever with a Si proof mass and dual beams through MEMS process. The size of the beam and the integrated Si proof mass were about $4,320{\mu}m{\times}290{\mu}m{\times}12{\mu}m$ and $1,380{\mu}m{\times}880{\mu}m{\times}450{\mu}m$ each. To reduce the air damping and have the larger displacement of dual beams was used for design. After mounting micro PZT film piezoelectric cantilever on shaker, we measured the resonance frequency and a output voltage while making resonant frequency changed. The resonant frequency and the highest average power of the cantilever device were 110.2 Hz and 0.36 ${\mu}W$ each, at 0.8 g acceleration and 23.7 $k{\Omega}$ load resistance, respectively.