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가압볶음 무말랭이 분말을 첨가한 쿠키의 품질특성 및 항산화 활성
정우신,배민환,육홍선 한국식품영양과학회 2023 한국식품영양과학회지 Vol.52 No.6
This study was conducted to evaluate the quality characteristics and antioxidant activities of cookies containing different concentrations (0, 2, 4, and 6%) of dried radish powder. The results showed that adding dried pressurized roasted radish powder caused a significant decrease in pH but no significant difference in cookie density. Cookie sweetness, moisture content, spreadability, and redness increased as the concentration of dried radish powder increased, but lightness, yellowness, and hardness decreased. Supplementation with dried radish powder increased total polyphenol contents, and the highest antioxidant activities, as determined using DPPH and ABTS radical scavenging activities, were obtained for cookies supplemented with 6% dried radish powder. FRAP assay-determined antioxidant contents significantly increased upon adding dried radish powder. Cookies containing 6% dried radish powder had the best physicochemical results. The study confirms the feasibility of producing healthy functional cookies containing dried radish powder. 본 연구는 DRP를 첨가[0%, 2%, 4%, 6%(w/w)]한 쿠키를 제조하여 쿠키의 품질특성 및 항산화 활성을 관찰하고 그 결과 기능성 쿠키로의 이용 가능성을 알아보았다. 실험 결과 쿠키의 밀도에서 DRP를 첨가한 쿠키와 첨가하지 않는 쿠키는 유의적인 차이가 없었다(P>0.05). 쿠키 색도는 DRP 첨가량이 증가함에 따라 a값이 유의적으로 증가했으며(P<0.05) L값과 b값은 유의적으로 감소하였다(P<0.05). 쿠키의 pH는 DRP 첨가량이 증가함에 따라 유의적으로 감소하였다(P<0.05). 쿠키의 당도 측정 결과 DRP 2%와 DRP 4% 사이에는 유의적 차이가 없었으며(P>0.05), 대체로 DRP 첨가량이 증가함에 따라 당도가 증가하였다. 퍼짐성 지수는 DRP 2%와 DRP 4% 사이에서 유의적인 차이가 없었으나(P> 0.05), DRP를 첨가하지 않는 쿠키보다 첨가한 쿠키가 유의적으로 증가하였다(P<0.05). 수분함량도 DRP 첨가량이 증가함에 따라 증가하였고(P<0.05), 경도는 첨가량이 증가할수록 유의적으로 감소하였다(P<0.05). 쿠키의 항산화 활성을 측정한 결과, 총 폴리페놀 함량은 DRP 첨가량이 증가함에 따라 증가하였고(P<0.05) DPPH 라디칼 소거능은 DRP 2%와 DRP 4% 간에 유의적 차이가 없었으나(P>0.05), DRP를 첨가하지 않는 쿠키보다 유의적으로 높았고 DRP 6% 쿠키의 DPPH 라디칼 소거능이 유의적으로 가장 높았다(P<0.05). ABTS 라디칼 소거 활성은 DRP 6% 첨가 쿠키가 가장 높았으며, DRP 첨가량이 증가함에 따라 증가하는 것으로 나타났다(P<0.05). 환원력은 DRP 첨가에 따라 유의적으로 증가하였다(P<0.05). 품질특성 결과에서 6%를 첨가한 쿠키가 가장 부드러운 결과를 보였으며, 항산화 활성 결과에서 6%를 첨가하는 쿠키가 항산화 활성이 가장 높은 것으로 나타났다(P<0.05). 이상의 결과를 종합해 볼 때 DRP를 첨가한 쿠키를 만들 경우 DRP의 함량은 박력 밀가루의 6%를 첨가하는 것이 가장 바람직하였다.
최민우,배민환,안중호,Choi, Min Woo,Bae, Min Hwan,Ahn, Jung-Ho 한국분말야금학회 2016 한국분말재료학회지 (KPMI) Vol.23 No.3
Copper nanoparticles attract much attention as substitutes of noble metals such as silver and can help reduce the manufacturing cost of electronic products due to their lower cost and good conductivity. In the present work, the chemical reduction is examined to optimize the synthesis of nano-sized copper particles from copper sulfate. Sodium borohydride and ascorbic acid are used as reducing and antioxidant agents, respectively. Polyethylene glycol (PEG) is used as a size-control and capping agent. An appropriate dose of PEG inhibits the abnormal growth of copper nanoparticles, maintaining chemical stability. The addition of ascorbic acid prevents the oxidation of nanoparticles during synthesis and storage. Transmission electron microscopy (TEM) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) are used to investigate the size of the synthesized nanoparticles and the coordination between copper nanoparticles and PEG. For chemical reduction, copper nanoparticles less than 100 nm in size without oxidized layers are successfully obtained by the present method.
이은혜,송진동,연규혁,배민환,오현지,한일기,최원준,장수경,Lee, Eun Hye,Song, Jin Dong,Yoen, Kyu Hyoek,Bae, Min Hwan,Oh, Hyun Ji,Han, Il Ki,Choi, Won Jun,Chang, Soo Kyung 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6
실리콘(Silicon, Si) 기판과 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 $AlAs_xSb_{1-x}$ 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이용되었다. $AlAs_xSb_{1-x}$ 층 상에 형성된 GaAs 층의 RMS 표면 거칠기(root-mean-square surface roughness)는 $10{\times}10{\mu}m$ 원자 힘 현미경(atomic force microscope, AFM) 이미지 상에서 약 1.7 nm로 측정되었다. $AlAs_xSb_{1-x}$/Si 기판 상에 AlAs/GaAs 단주기 초격자(short period superlattice, SPS)를 이용한 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs이 형성되었다. $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조는 약 10 켈빈(Kalvin, K)에서 813 nm 부근의 매우 약한 포토루미네선스(photoluminescence, PL) 피크를 보였고, $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조의 RMS 표면 거칠기는 약 42.9 nm로 측정되었다. 전자 투과 현미경(transmission electron microscope, TEM) 단면 이미지 상에서 AlAs/GaAs SPS 로부터 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs까지 격자 결함들(defects)이 관찰되었고, 이는 격자 결함들이 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조의 표면 거칠기와 광 특성에 영향을 주었음을 보여준다. The $AlAs_xSb_{1-x}$ step-graded buffer (SGB) layer was grown on the Silicon (Si) substrate to overcome lattice mismatch between Si substrate and $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs multiple quantum wells (MQWs). The value of root-mean-square (RMS) surface roughness for 5 nm-thick GaAs grown on $AlAs_xSb_{1-x}$ step-graded buffer layer was ~1.7 nm. $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs with AlAs/GaAs short period superlattice (SPS) were formed on the $AlAs_xSb_{1-x}$/Si substrate. Photoluminescence (PL) peak at 10 K for the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure showed relatively low intensity at ~813 nm. The RMS surface roughness of the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure was ~42.9 nm. The crystal defects were observed on the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) images of the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure. The decrease of PL intensity and increase of RMS surface roughness would be due to the formation of the crystal defects.
AlAsxSb1-x 단계 성분 변화 완충층을 이용한 Si (100)기판 상 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물 형성
이은혜,송진동,연규혁,배민환,오현지,한일기,최원준,장수경 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6
The AlAsxSb1-x step-graded buffer (SGB) layer was grown on the Silicon (Si) substrate to overcome lattice mismatch between Si substrate and Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells (MQWs). The value of root-mean-square (RMS) surface roughness for 5 nm- thick GaAs grown on AlAsxSb1-x step-graded buffer layer was ∼1.7 nm. Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs with AlAs/GaAs short period superlattice (SPS) were formed on the AlAsxSb1-x/Si substrate. Photoluminescence (PL) peak at 10 K for the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure showed relatively low intensity at ∼813 nm. The RMS surface roughness of the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure was ∼42.9 nm. The crystal defects were observed on the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) images of the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure. The decrease of PL intensity and increase of RMS surface roughness would be due to the formation of the crystal defects. 실리콘(Silicon, Si) 기판과 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 AlAsxSb1-x 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이용되었다. AlAsxSb1-x 층 상에 형성된 GaAs 층의 RMS 표면 거칠기(root-mean-square surface roughness)는 10×10 μm 원자 힘 현미경(atomic force microscope,AFM) 이미지 상에서 약 1.7 nm로 측정되었다. AlAsxSb1-x/Si 기판 상에 AlAs/GaAs 단주기 초격자(short period superlattice,SPS)를 이용한 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs이 형성되었다. Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조는 약 10 켈빈(Kalvin, K)에서 813 nm 부근의 매우 약한 포토루미네선스(photoluminescence, PL) 피크를 보였고, Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조의 RMS 표면 거칠기는 약 42.9 nm로 측정되었다. 전자 투과 현미경(transmission electron microscope, TEM) 단면 이미지 상에서AlAs/GaAs SPS 로부터 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs까지 격자 결함들(defects)이 관찰되었고, 이는 격자 결함들이 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조의 표면 거칠기와 광 특성에 영향을 주었음을 보여준다.