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환경감쇠인자를 고려한 레이더 탐지 확률 변화에 관한 연구
김영웅,박상철,Kim, Young-Woong,Park, Sang-Chul 한국시뮬레이션학회 2015 한국시뮬레이션학회 논문지 Vol.24 No.4
탐지 분야는 전장에 영향을 미치는 요인들 중 중요한 부분이다. 기본적으로 레이더는 정해진 방향으로 탐지를 수행하기 위해 전파를 방출한다. 그러나 기존의 레이더들 대부분이 돌아온 전파를 이용해 신호처리 과정에 의해 표적을 확인할 때, 환경 감쇠 요소는 반영되지 않는다. 이러한 전자파를 이용하는 레이더는 환경적 조건에 의한 감쇠요인에 따라 탐지 결과가 달라질 수 있는 가능성을 가지고 있어, 실제 전장에서 작전상 문제가 발생할 수도 있다. 그렇기 때문에, 이 논문에서는 전파가 돌아올때, 기존의 레이더 방정식에 환경 감쇠 요인을 반영하여 더 정확한 표적을 확인하기 위한 시도를 해보고자 한다. The detection field is an important sector of the factors influencing the battle field. Basically, The radar emits a radio wave to perform the detection in the existing way. However, When most existing radars identify target by signal processing to return radio wave, Environmental attenuation factor does not reflected. The radar using this radio wave has got the possibility changing detect result depending on attenuation factor by environmental conditions, The operational problems may arise in a real battle field. Therefore, In this paper, When emitted radio waves were come back, Reflecting the environmental attenuation factor, Experimental attempts to identify the target to enable more accurately.
RF Magnetron Sputtering으로 증착된 ZnO의 증착 특성과 이를 이용한 Thin Film Transistor특성
김영웅,최덕균,Kim, Young-Woong,Choi, Duck-Kyun 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.3
플라스틱 기판에 적용이 가능한 최대 공정온도 $270^{\circ}C$ 이하에서 ZnO-TFT 소자를 제작하였다. ZnO-TFT 소자는 bottom gate 구조로 제작되었으며, ICP-CVD로 형성된 $SiO_2$ 산화물 게이트 공정을 제외하고는 모든 박막증착 공정은 RF-magnetron sputtering process를 이용하였다. ZnO 박막은 Ar과 $O_2$ gas 유량의 비율에 따라 여러 가지 조건에서 RF-magnetron sputtering 시스템을 이용하여 상온에서 증착하였다. Ar과 $O_2$ gas의 비율에 따라 제작된 TFT 소자는 모두 enhancement 모드의 소자특성을 나타내었고, 또한 가시광선영역에 있어 80% 이상의 높은 투과율을 보였다. ZnO 증착시 순수 Ar을 사용하여 제작된 ZnO-TFT의 경우에, $1.2\;cm^2/Vs$의 field effect mobility, 8.5 V의 threshold voltage, 그리고 $5{\times}10^5$의 높은 on/off ratio, 1.86 V/decade의 swing voltage로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. Low temperature processed ZnO-TFTs on glass below $270^{\circ}C$ for plastic substrate applications were fabricated and their electrical properties were investigated. Films in ZnO-TFTs with bottom gate configuration were made by RF magnetron sputtering system except for $SiO_2$ gate oxide deposited by ICP-CVD. ZnO channel films were grown on glass with various Ar and $O_2$ flow ratios. All of the fabricated ZnO-TFTs showed perfectly the enhancement mode operation, a high optical transmittance of above 80% in visible ranges of the spectrum. In the ZnO-TFTs with pure Ar process, the field effect mobility, threshold voltage, and on/off ratio were measured to be $1.2\;cm^2/Vs$, 8.5 V, and $5{\times}10^5$, respectively. These characteristic values are much higher than those of the ZnO-TFTs of which ZnO channel layers were processed with additional $O_2$ gas. In addition, ZnO-TFT with pure Af process showed smaller swing voltage of 1.86v/decade compared to those with $Ar+O_2$ process.
선택적 리프레시를 통한 DRAM 에너지 효율 향상 기법
김영웅 한국인터넷방송통신학회 2020 한국인터넷방송통신학회 논문지 Vol.20 No.2
DRAM은 메인 메모리 시스템을 구성하는 주요한 요소로서 운영체제의 발전, 응용 프로그램의 복잡도와 용량의 증가에 맞추어 DRAM의 용량과 속도 역시 증가하는 추세이다. DRAM은 주기적으로 저장된 값을 읽은 후 다시 저장하는 리프레시 동작을 수행해야 하며, 이에 수반되는 성능 및 파워/에너지 오버헤드는 용량이 증가할수록 더 악화되는 특성을 내재하고 있다. 본 연구는 전하의 보존 시간이 가장 낮은 셀들에 대해서 블룸 필터를 사용하여 64ms, 128ms 이내에 리프레시를 수행해야 하는 로우들을 효율적으로 저장하여 선택적 리프레시를 수행하는 에너지 효율 향상 기법을 제안한 다. 실험 결과에 따르면 제안 기법을 통하여 평균 5.5%의 성능 향상이 있었으며, 리프레시 에너지는 평균 76.4% 절감되 었고, 평균 EDP는 10.3% 절감된 것으로 나타났다. DRAM is a major component of the main memory system. As the operating system evolves and application complexity and capacity increases, the capacity and speed of DRAM are also increasing. DRAM should perform a refresh action of periodically reading and then re-storing stored values, and the accompanying performance and power/energy overhead embodies characteristics that worsen as capacity increases. This study proposes an energy efficiency improvement technique that efficiently stores the rows that need to be refreshed within 64ms and 128ms using the bloom filter for cells with the lowest retention time of electrons. The results of the experiment showed that the proposed technique resulted in an average 5.5% performance improvement, 76.4% reduction in average refresh energy, and 10.3% reduction in average EDP.
김영웅,노현웅,박승조 동아대학교 환경문제연구소 1997 硏究報告 Vol.20 No.1
The objective of this study was to conduct jar-tests to remove residual aluminum ion and turbidity using three coagulants and three alginates as a coaglant aids. The conclusions were obtained from investigation of coagulant demand, zeta potential, residual aluminum ion concentration and turbidity under varying dosage of coagulants are as follows ; The potimum dosages for ALUM, PAC and PASS were 50, 35 and 30 mg/l respectively, at these dosages, residual aluminum ion concentrations were 0.07, 0.10 and 0.13 mg/l. When magnesium alginate(MA) dosage of 1.0 mg/l was applied after addition of optimum dosages of coagulants, ALUM, PAC and PASS removal efficiency of turbidities were 0.10, 0.13 and 0.13 NTU respectively. Adequate zeta-potential range for coagulation was from -20 mV to -10 mV with coagulant only.