http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
통계적 논증활동에서 나타나는 고등학생들의 논증과정 및 통계적 소양 분석
이정찬(Lee, JeongChan),윤종국(Yun, JongGug) 학습자중심교과교육학회 2020 학습자중심교과교육연구 Vol.20 No.18
In this study, the case study method was designed to analyze the argumentative process of high school students in statistical argumentation activities and to analyze the characteristics of the level of statistical literacies in the argumentative process. Two different types of argument task were developed and provided to six first-year students of the gifted and talented class who were attending general high schools to carry out statistical argumentation activities. The opinions presented by the students were analyzed based on factor of Toulmin s argument pattern. We analyzed the characteristics of the students argumentative process by extracting episodes that we thought were particularly meaningful. Based on the preceding study, the characteristics of students statistical literacies were analyzed using an analysis frame consisting of four levels of statistical literacy. Based on the results of this study, we were able to identify the different levels of statistical literacies of students in statistical argumentation activities. 본 연구에서는 통계적 논증활동에서 나타나는 고등학생들의 논증과정을 분석하고, 논증과정에서 나타나는 통계적 소양의 수준별 특징을 분석하고자 하였다. 이를 목적으로, 예비실험을 거처 수정한 서로 다른 2가지 유형의 논증과제를 활용하여 연구에 참여한 일반계 고등학교 영재학급 소속 1학년 학생 6명이 소속된 학급 교실에서 각 2시간씩 이틀 동안 연구를 진행하였다. 참여 학생 6명이 주어진 논증과제를 30분 동안 해결하게 하고, 자신의 의견을 제시하고 상대방의 의견에 대해 동의하거나 반박하는 논증활동을 1시간 동안 수행하였다. 학생들이 제시한 의견은 Toulmin의 논증 패턴 요소를 바탕으로 분석하였으며 특별히 의미가 있다고 생각되는 에피소드를 추출하여 학생들의 논증과정의 특징을 분석하였다. 또한 선행연구를 바탕으로 구성한 4단계의 통계적 소양 수준을 분석틀로 활용하여 학생들의 통계적 소양의 수준별 특징을 분석하였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 통계적 논증활동에서 학생들의 다양한 통계적 소양의 수준이 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구는 최근에 많은 관심을 받고 있는 ‘학습자 중심 교육’에 대한 국내외 학자들의 다양한 정의와 특징을 정리해 보고, 여기에 좀 더 일관성 있는 이론적 틀을 제공하고 나아가 현장에서의 실천성을 덧붙이기 위해, 구성주의와의 연결을 시도하였다.
n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선
이맹,신건호,이정찬,오정우,이희덕,Li, Meng,Shin, Geonho,Lee, Jeongchan,Oh, Jungwoo,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2018 전기전자재료학회논문지 Vol.31 No.3
Ni-InGaAs shows promise as a self-aligned S/D (source/drain) alloy for n-InGaAs MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors). However, limited thermal stability and instability of the microstructural morphology of Ni-InGaAs could limit the device performance. The in situ deposition of a Pd interlayer beneath the Ni layer was proposed as a strategy to improve the thermal stability of Ni-InGaAs. The Ni-InGaAs alloy layer prepared with the Pd interlayer showed better surface roughness and thermal stability after furnace annealing at $570^{\circ}C$ for 30 min, while the Ni-InGaAs without the Pd interlayer showed degradation above $500^{\circ}C$. The Pd/Ni/TiN structure offers a promising route to thermally immune Ni-InGaAs with applications in future n-InGaAs MOSFET technologies.