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황유상,백수현,백상훈,박치선,마재평,최진석,정재경,김영남,조현춘,Hwang, Yu-Sang,Baek, Su-Hyeon,Baek, Sang-Hun,Park, Chi-Seon,Ma, Jae-Pyeong,Choe, Jin-Seok,Jeong, Jae-Gyeong,Kim, Yeong-Nam,Jo, Hyeon-Chun 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.2
$(PbZr_{52},Ti_{48})O_{3}$인 composite ceramic target을 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 기판온도 $300^{\circ}C$에서 Pt/Ti/Si 기판위에 PZT 박막을 증착하였다. 페롭스 카이트 PZT박막을 얻기 위하여 PbO분위기에서 로열처리를 행하였다. 하부전극으로 Pt를 사용하였으며 Pt(205$\AA$)/Ti(500 $\AA$)/Si 및 Pt(1000$\AA$)/Ti(500$\AA$)/Si기판을 준비하여 Pt두께화 Ti층이 산소의sink로 작용함으로서 이를 가속화하였다. Ti층의 상부는 산소의 확산으로 인하여 TiOx층으로 변태하였고 하부는 in diffused Pt와 함께 실리사이드층을 형성하였다. TiOx 층의 형성은PZT층의 방향성에 영향을 주었다. 유전상수 (10kHz), 누설전류, 파괴전압, 잔류분극 및 항전계는 각각 571, 32,65$\mu A /\textrm{cm}^2$, 0.40MV/cm, 3.3$\mu C /\textrm{cm}^2$, 0.15MV/cm이었다. On PT/Ti/Si substrates, PZT thln fllms are deposited at $300^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering uslng a $(PbZr_{52}, Ti_{48})O_{3}$ composltc cerarnlc target. To abtaln, the stable phase, perovskltc structure, furnace annealmg techmque had been cmplo:~d In PbO amb~ent for the $550^{\circ}C$-$750^{\circ}C$ temperature ranges. On Pt(250$\AA$)/Ti(500$\AA$)/Si, Pt(1000)$\AA$/Ti(500$\AA$)/Si substrates, effects of Ti layer and Pt thickness are studled. Though thickness of the Pt layer 1s 1000$\AA$). oxygen diffusion is not prevented and accelerated by Ti layer actlng for oxygen sink sites durmg furnace annealing. The upper TI layer 1s transformed Into TIOX by oxyen dlffuslon and lower Ti layer Into silicide with in-diffused Pt. The formation of TiOx layer seems to affect the orlentatton of the PZT layer. Furnace annealed f~lm shows ferroelectr~c and electrical properties wth a remanent polarlzation of 3.3$\mu A /\textrm{cm}^2$, , coerclve fleld of 0.15MV/cm, a=571 (10kHz), leakage current 32.65$\mu A /\textrm{cm}^2$, , breakdown voltage of 0.4OMV/cm.
Al-1% Si층과 Ti-silicide층의 반응에 관한 연구
황유상,백수현,송영식,조현춘,최진석,정재경,김영남,심태언,이종길,이상인,Hwang, Yoo-Sang,Paek, Su-Hyon,Song, Young-Sik,Cho, Hyun-Choon,Choi, Jin-Seog,Jung, Jae-Kyoung,Kim, Young-Nam,Sim, Tae-Un,Lee, Jong-Gil,Lee, Sang-In 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.6
Single-Si 기판과 poly-Si 기판에 각각 Ti을 sputter한 후 RTA 처리하여 안정한 TiS$i_2$를 형성하였다. 그 위에 Si이 1% 첨가된 Al-1% Si을 600nm sputter한 후 후속 열처리로서 400-60$0^{\circ}C$ 에서 30분간 $N_2$분위기로 furnace어닐링을 실시하였다. 이렇게 준비된 각 시편에 대하여 면저항 측정, Auger분석, SEM 사진으로 Al-1% Si/TiS$i_2$이중층 구조에서 Ti-silicide의 열적 안정성을 살펴 보았고, EDS 분석과 X-ray 회절 peak 분석을 통하여 Al-1% Si 층과 TiS$i_2$층의 반응으로 생긴 석출물의 성분과 상을 조사하였다. 이로 부터 다음과 같은 결과를 얻었다 Single-Si 기관에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 55$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였고, poly-Si 기판에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 50$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였는데 전반적으로 기판이 poly-Si인 경우가 반응이 더 잘 일어났고, 석출물의 크기도 비교적 컸다. 이는 poly-Si에 존재하는 grain boundary로 인해 poly-Si에서 형성된 Ti-silicide 층이single-Si 기관에서 형성된 Ti-silicide 층보다 불안정하기 때문으로 생각된다. EDS 분석에 의하여 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si로 이루어진 3상 화합물이라고 추정되었고, X-ray회절 분석에 의해 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si간의 3상 화합물인 T$i_7$A$l_5$S$i_12$로 확인되었다. Stable TiS$i_2$was formed by RTA on single-Si and on poly-Si. Subsequently, an Al-1% Si layer with 600-nm thick was deposited on top of the TiS$i_2$, Finally, the specimens were annealed for 30min at 400-60$0^{\circ}C$in $N_2$ambient. The thermal stability of Al-1% Si/TiS$i_2$bilayer and interfacial reaction were investigated by measuring sheet resistance, Auger electron spectroscopy (AES), and scanning electron microscopy (SEM). The composition and phase of precipitates formed by the reaction of Al-1% Si with Ti-silicide were studied by energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction (XRD). In the case of single-Si substrate the reaction of Al-1% Si layer with TiS$i_2$layer resulted in precipitates, consuming all TiS$i_2$layer at 55$0^{\circ}C$. On the other hand, the disappearance of TiS$i_2$on poly-Si occurred at 50$0^{\circ}C$ and more precipitates were formed by the reaction of Al-1% Si/TiS$i_2$on potty-Si substrate than those of the reaction on single-Si substrate. This phenomenon resulted from the fact that Ti-silicide formed on poly-Si was more unstable than on single-Si by the effect of grain boundary. By EDS analysis the precipitates were found tobe composed of Ti, Al, and Si. X-ray diffraction showed the phase of precipitates to be theT$i_7$A$l_5$S$i_12$ternary compound.
황유상,백수현,하용해,최진석,조현춘,마재평,Hwang, Yu-Sang,Baek, Su-Hyeon,Ha, Yong-Hae,Choe, Jin-Seok,Jo, Hyeon-Chun,Ma, Jae-Pyeong 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.1
Abstract The PZT thin film was deposited by usin. RF magnetron sputtering with PZT(52/48) target. The formation of perovskite structure PZT thin film started at 55$0^{\circ}C$ on Si substrate. The AES results showed an oxide layer formed at the between Si and PZT film during the annealing. And, Ti$O_2$ layer appeared at the between TiN and PZT film for the annealing. But, the perovskite phase PZT film was formed after the annealing on the Si$O_2$/Si substarte. The ratio in PZT film was constant across the asdeposited PZT film, but, Pb have diffused into the Si substrate and Si have out-diffused into PZT layer during the post annealing at 75$0^{\circ}C$. The dielectric constants of PZT film indicated about 1300( thickness: 1500$\AA$, at 10KHz) but, the cracks were appeared to surface for annealing. RF magnetrom sputtering으로 52/48 PZT target을 사용하여 PZT thin film을 증착시킨후, furnace annealing을 실시하여 Si 기판에서는 55$0^{\circ}C$에서부터 안정상인 peroskite구조가 형성되었다. Si기판위에서는 후속열처리시 계면에 상당한 산화막층이 형성되었으며 TiN 기판위에서는 후속열처리시 TiN층은 사라지고 Ti$O_2$층이 형성되었다. Si$O_2$기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다. As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 75$0^{\circ}C$후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다. 전기적 특성은 10KHz에서 C-V를 측정결과 약 1300정도의유전상수 값이 나왔으나 후속열처리시 표면에 crack이 발생하였다.
자본시장통합법 시행이 국내 금융 시장에 미치는 영향 및 대응전략에 관한 연구
황유상(Hwang Yoo Sang) 동아대학교 경영문제연구소 2009 經營論叢 Vol.30 No.-
The basic purport Capital Market Integration Act is aimed at the promotion of financial innovation and free competition via deregulating the laws and strengthening the investors" protection. As intended to bring forth the financial big bang, it is necessary that the basic framework be maintained accordingly as before in the capital market. The final end for domestic market is to bring it to completion, and therefore, the practice in system and governing regulations should be consistent to that of Capital Market Integration Act. If the discrepancies keep lasting over a long period of time between the two, Capital Market Integration Act and Securities Exchange Act, some negative effects are expected on the competitive foundation among securities companies, principle of equity about deregulation, stability for securities system and such, which possibly necessitates the subsequent measures shortly.
이동인,황유상,오상철 한국항공우주학회 2014 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.2014 No.11
상륙기동헬기 및 해상작전헬기는 해상 및 함정에서 임무가 요구된다. 따라서, 헬리콥터가 함정에서 안전하게 운용할 수 있는 영역이 제시되어야 한다. 함정에서 헬리콥터 운용은, 이동(격납고→갑판), 로터 펼침, 로터 시동, 이륙, 착륙, 로터 멈춤, 로터 접힘, 이동(갑판→격납고)로 구성된다. 본 논문은 헬리콥터가 함정 갑판에서 안전하게 이륙 및 착륙을 할 수 있는 함정운용영역 도출 연구 결과를 기술하였다. The amphibious helicopter and maritime operation helicopter request for sea and ship operation. So, safe envelope is required to operate helicopter on ship. The phases of helicopter-ship operation are traverse(from hangar to ship-deck), rotor unfolding, rotor start, take-off, landing, rotor stop, rotor folding and traverse(from ship-deck to hangar). This paper describes the study on establishment SHOL (Ship helicopter operational limitation) to take-off and landing on ship-deck safely.