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하수처리수내 유기물질, 음이온, 미량유해물질, 중금속에 대한 인공습지의 역할
조재원,기서진,이승윤,이은경,김수한,김세영 대한환경공학회 2006 대한환경공학회 학술발표논문집 Vol.2006 No.12
인공습지는 고도하수처리 방류수내에 존재하는 유기물질 (용존 유기탄소(DOC), poly-aromatic hydrocarbons (PAH)), 영양염류 음이온, 중금속에 대하여 역할을 수행할 수 있다는 가설 하에서 본 연구는 담양하수처리장 인근의 습지를 대상으로 수행되었다. 고도 하수 처리된 방류수는 창포(Acorus calamus var.)습지, 수련, 부들(Typha orientalis PRESL) 습지를 거쳐 영산강으로 최종 방류된다. 습지의 설계 수리학적 체류시간은 4시간이다. 각 과정의 샘플을 수차례 수집하여 분석을 실시하고 그 경향을 조사하였다. 유기물질(즉, effluent organic matter)에 대해서는 분자량분포 측정과 XAD레진 구조분석을, PAH는 solid phase micro extraction(SPME) 전처리 후에 GC-Mass(HP)로 측정을 수행하였고, 영양염류 음이온(질산, 황산, 인산) 및 중금속은 이온크로마토그램(Dionex 120) 및 ICP-Mass(Agilent)를 이용하여 측정하였다. 분석결과 용존유기탄소와 PAH에 대해서 어느 정도의 제거효율을 보였지만 큰 역할을 수행하지 못하였다. 다만, 소수성 유기물에 비하여 친수성 유기물이 습지에서는 증가하였고, UV 및 형광 탐지기 공히 2000~3000달턴 근처의 분자량이 선택적으로 습지에서 제거되었음을 알 수 있었다. 음이온 중에서는 방류수내의 고농도 질산을 효율적으로 제거하였다. 중금속은 납, 니켈, 아연, 철, 알루미늄, 안티몬에 대하여 분석이 수행되고 있다. 특정 중금속 그룹의 농도가 떨어진 반면, 다른 그룹은 농도가 오히려 증가하는 것이 발견되었다.
A Survey of Diabetic Educators and Patients for the Revision of Korean Food Exchange Lists
조재원,권미라,박영미,우미혜,유혜숙,임정현,구보경,김종화,김혜진,박재선,신충호,원규장,임수,장학철 대한당뇨병학회 2011 Diabetes and Metabolism Journal Vol.35 No.2
Background: Food exchange lists are one of the main methods of nutritional education. However, Korean food exchange lists have not been revised since 1994. Therefore, we surveyed the opinions of diabetes educators and patients with diabetes regarding the need for revision of the current food exchange lists. Methods: For two weeks beginning on 10 March 2008, a 12-item questionnaire regarding the opinion and need for revision of the current food exchange lists was e-mailed to diabetes educators nationwide. Another 15-question survey was administered to patients with diabetes in 13 hospitals located in the Seoul and Gyeonggi regions of Korea. Results: We obtained survey responses from 101 diabetes educators and 209 patients; 65 (64.3%) of the educators answered that the current food exchange lists should be revised. The items that needed revision were the glycemic index, addition of new foods and reaffirmation of exchange standard amounts. The patients demanded specific education about choosing appropriate foods, a balanced meal plan, proper snacks, and dining intake. Conclusion: Our survey results demonstrate the need to revise the Korean food exchange lists. This process should focus on glycemic index, the addition of new foods and reconfirmation of one exchange reference unit.
반도체-유전체 덮개층 조합이 InGaAs/InGaAsP 양자 우물의 무질서화에 미치는 영향
조재원 광운대학교 기초과학연구소 1999 기초과학연구소논문집 Vol.28 No.-
반도체-유전체 덮개층 조합이 InGaAs/InGaAsP 양자 우물의 무질서화에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 이 양자 우물이 SiNx 에 의해 덮여졌을 때는 SiO₂의 경우와 비교해 볼 때 상대적으로 큰 청색 편이가 관찰되어졌으며 이러한 경향은 반도체 덮개층의 종류와 무관하였다. SiO₂로 덮여졌을 때 시료는 에너지 편이의 포화 현상을 보였는데 포화 때의 편이 크기는 반도체 덮개층의 종류에 따라 달랐다.
원거리 수소 플라즈마로 처리된 Si(100) 표면의 전자적 구조 및 표현 형태
조재원 광운대학교 기초과학연구소 1997 기초과학연구소논문집 Vol.26 No.-
Low temperature(50-400℃) and low pressure(10-300 mTorr) processing conditions for remote H-plasma cleaning of Si(100) substrates were investigated. After plasma exposure, ordered surfaces were obtained which displayed 2×1, 3×1 and 1×1 LEED diffraction patterns. The surface phases after the H-plasma clean were dependent on temperature and pressure. The electronic states of the surfaces were explored with angle resolved uv-photoemission spectroscopy(ARUPS) and states due to Si-H boning were identified.
Effects of Plasma surface Preparation Processes on the Formation of SiO₂-Si(100) Interfaces
조재원 光云大學校 1995 論文集 Vol.24 No.-
This effects of different plasma surface preparation processes for the formation of SiO₂-Si(100) interfaces was studied using angle resolved uv-photoemission spectroscopy. The processes included remote hydrogen or oxygen plasmas, and they were compared to surface preparation processes including UHV annealing and oxygen exposure. The spectral position of the oxide valence band features, with respect to the Fermi level, were found to shift according to the different processes of surface preparation and oxidation. The shifts were analyzed in terms of band bending in the Si. Origins of the spectral shifts considered included defects at the SiO₂-Si interface and H-passivation of dopants in the Si. From comparison of the ARUPS results of the various processes, it was concluded that the interface bonding of the silicon ㅐxide-Si(100) was dependent on the oxidation process and the surface preparation. The O-plasma process showed the lowest band bending, and the excess interface charge density was estimated. Reasonable agreement with recent CV measurements was obtained.