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전처리 블럭킹 제어 방식을 이용한 공유 다중 버퍼 스위치 구조
이용우(Yi Yong Woo),조준모(Jo Jun Mo),이상조(Lee Sang Jo) 한국정보과학회 1996 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.23 No.2B
기존의 공유 다중 버퍼인 STS-Type 다중 공유 버퍼 스위치는 한 슬롯 타임 동안에 세개 이상의 셀을 출력할 수 있는 메모리를 필요로 하며 출력 버퍼형과 같은 메모리 속도일 경우 HOL 블럭킹에 의해 처리율 감소를 보인다. 본 논문에서는 기존의 공유 다중 버퍼에서 발생하는 HOL 블럭킹을 해결 하기 위해 전처리 블럭킹 제어 방식(Pre-Handing Blocking Control Method)을 제안한다. 이 방식은 HOL 블럭킹을 메모리 속도를 증가시켜서 해결하는 기존의 방법과 달리 셀이 입력 될때 블럭킹이 발생하지 않도록 메모리를 사전에 할당하도록 하였다. 기존 STS-Type 다중 공유 버퍼 구조에서 메모리 속도를 증가시키고도 HOL 블럭킹을 완전하게 처리하지 못한 것을 본 논문에서 제안한 구조는 한 슬롯 타임 동안에 한 개의 셀을 처리하는 메모리 속도로도 HOL 블럭킹을 해결할 수 있고, 고속의 링크에서도 스위치를 구현하기 쉽다.
헤테로폴리산 촉매를 이용한 TAME , ETBE 및 MTBE 합성반응의 연구
박진화,이용우 ( Jin Hwa Park,Yong Woo Yi ) 한국공업화학회 1997 공업화학 Vol.8 No.4
고체산 촉매인 헤테로폴리산 촉매를 이용하여 대기오염 방지를 위한 옥탄가 향상제인 TAME, ETBE 및 MTBE 합성반응에 대한 실험을 고정층 상압유통식 반응장치에서 수행하였다. 일반적으로 TAME, ETBE 및 MTBE 합성반응에서 헤테로폴리산에 hetero원자와 poly원자를 치환시켜 비교한 결과, 배위된 poly원자가 W, hetero원자가 Si인 H₄SiW_12O_(40) 촉매의 활성이 가장 우수하였고, 또한 치환된 금속에 따라 촉매의 활성이 달랐으며 이는 촉매의 산성질과 관련이 있음을 알 수 있었다. 헤테로폴리산 촉매를 이용한 합성반응에서 TAME 경우는 FeHPW_(12)O_(40)과 K₃PMo_(12)O_(40)이 비교적 활성이 좋았으나, ETBE나 MTBE 경우에 비해서는 다소 활성이 낮았다. 그리하여 본 연구에서는 활성이 좋은 헤테로폴리산 촉매들을 선정하여 각각에 대하여 1:1로 다음과 같이 혼합하여 H₄Siw_(12)O_(40):Sr₂SiW_(12)O_(40), H₄SiW_(l2)O_(40):NaH₂PW_(12)O_(40), Fe_(15)PW_(12)O_(40):Mg₂2SiW_(12)O_(40) 및 Mg₂SiW_(12)O_(40) : Ba₂SiW_(12)O_(40) 실험한 결과, 혼합촉매들이 각각의 단일성분 촉매때보다 TBA의 전화율과 ETBE나 MTBE의 선택율이 더욱 향상되었음을 알 수 있었다. Synthetic reaction of TAME, ETBE, and MTBE compounds used largely for gasoline octane number enhancer to prevent air pollution was investigated using heteropolyacid catalyst in a fixed bed flow reactor. In the synthetic reaction of TAME, ETBE and MTBE, after hetero atom being replaced with poly atom, the activity of the catalyst, H₄Siw_(12)O_(40) with coordinated bond with W and an hetero atom of Si was the highest among the catalysts tested. Also the activity depended upon the metals replaced which are related to the catalyst acidity. FeHPW_(12)O_(40) and K₃PMo_(12)O_(40) catalysts showed high activity in TAME synthesis, while they were not effective in ETBE and MTBE synthesis. In this study catalysts showing high activity were selected and mixed with equal weight combination of H₄Siw_(12)O_(40) and Sr₂SiW_(12)O_(40); H₄SiW_(l2)O_(40) and NaH₂PW_(12)O_(40) ; Fe_(15)PW_(12)O_(40) and Mg₂SiW_(12)O_(40) ; Mg₂SiW_(12)O_(40) and Ba₂SiW_(12)O_(40). The mixed heteropolyacid catalysts showed higher TBA conversion rate and better selectivity of ETBE and MTBE than the single catalysts.
결정질 태양전지의 고효율화를 위한 선택적 도핑 중 에치-백 구조에 관한 연구
정우원(Jung, Woo-Won),양두환(Yang, Du-Hwan),이용우(Lee, Yong-U),공대영(Gong, Dae-Yeong),김선용(Kim, Seon-Yong),이준신(Yi, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
결정질 태양전지의 공정에 있어서 호모지니어스(homogeneous)한 구조보다 향상된 변환효율을 얻기 위해 선택적 도핑 방법에 관한 연구가 활발하다. 선택적 도핑 방법이란 에미터(emitter) 층을 n^{++} 영역과 n^+ 영역으로 나누어 향상된 전류밀도와 개방전압을 얻기 위한 방법이다. 본 연구에서 제시된 RIE 에치-백 구조는 다수의 선택적 도핑 방법 중 하나이다. 기존의 에치-백 구조는 전면 전극 형성 후 RIE 공정을 수행하기 때문에 전면 전극이 손상되고 RIE 데미지(damage)가 발생되는 문제점이 있었다. 그러나 본 연구에서 제시된 구조는 기존의 에치-백 구조와 달리 RIE 에칭 후 발생된 데미지를 제거하는 추가적인 공정인 질산 패시베이션(nitric acid passivation)이 수행되었다. 또한 본 연구에서 새롭게 제시된 블라킹 마스크 페이스트(blocking mask paste)는 기존의 에치-백 구조에서 발생된 전극 손상 문제를 해결해 주고 있다. 이러한 결과로 호모지니어스 구조보다 향상된 전류밀도 (35.77 mA/cm²), 개방전압 (625 mV), FF (78.01%), 변환효율 (17.43%)를 얻었다.
질소 가스 분위기에서 증착된 실리콘 질화막의 전기적, 광학적 특성 분석
공대영(Gong, Dae-Yeong),정우원(Jung, Woo-Won),양두환(Yang, Doo-Hwan),김선용(Kim, Sun-Yong),이용우(Lee, Yong-Woo),고지수(Ko, Ji-Soo),최병덕(Choi, Byoung-Deok),이준신(Yi, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
최근 태양전지 개발이 본격화 되면서 태양전지 웨이퍼 표면에서의 재결합에 의한 손실을 줄이고 반사도를 감소시키기 위한 ARC 개발이 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 널리 사용하는 ARC 물질로 수소화된 실리콘 질화막이 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 PECVD 법으로 저온에서 실리콘 기판 위에 증착 가능한 장점이 있다. 또한 실리콘 질화막의 광학적, 전기적인 특성은 화학적 조성비에 의해 결정되며 증착온도 가변에 따라 균일도 및 굴절률 조절을 가능케 하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 수소화된 실리콘 질화막을 태양전지에 적용하기 위해 질소 가스 분위기에서 PECVD를 이용하여 증착하고 그 특성을 분석하였다. 박막은 0.8 Torr의 압력에서 150?C{sim}450?C의 기판 온도로 증착되었으며 이때의 RF power은 100W ~ 300W로 가변 하였다. 증착된 박막은 1.94 에서 2.23의 폭넓은 굴절률 값을 가지고 있었다. SiH₄/NH₃ 가스 비의 증가에 따라 박막 두께와 굴절률이 감소함을 확인 할 수 있었다. 이는 NH₃ 가스의 상대적인 증가에 따라 Si 생성을 선행하는 SiH₄ 가스의 부분압이 제한되기 때문이고, 이러한 결과로 박막내에 질소 원자가 증가함에 따라 N-H 결합이 증가하여 n-rich인 박막 상태가 되기 때문으로 분석된다. 증착된 실리콘 질화막의 소수반송자 수명 측정 결과 굴절률 2.23인 박막의 경우 약 87 us의 수명을 나타냈으며, 굴절률이 1.94로 줄어듦에 따라 소수반송자 수명 역시 79 us로 감소하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 n-rich 보다 Si-rich 인 경우 effective 반송자 수명을 증가시켜 표면 재결합 속도를 줄이는데 유용함을 확인하였다. 또한 증착온도가 증가할수록, RF power가 증가 할수록 소수반송자 수명 역시 증가하였다. 반사도의 경우 SiH₄의 비율이 증가할수록 반사도가 감소함을 확인 하였으며, 증착온도 증가에 따라, RF power 증가에 따라 반사도가 감소하였다. 결과적으로 450?C의 기판온도와 300W의 RF power에서 증착된 실리콘 질화막의 경우 가장 우수한 전기적, 광학적 특성을 보여주었다.
자궁경부암으로의 진행에 따른 vascular endothelial growth factor (VEGF), matrix metalloproteinases (MMPs)의 발현
유선영 ( Sun Young Yu ),조용 ( Yong Cho ),임소이 ( So Yi Lim ),박영한 ( Young Han Park ),이용우 ( Yong Woo Lee ),최영희 ( Young Hee Choi ),노의선 ( Eu Sun Ro ) 대한산부인과학회 2008 Obstetrics & Gynecology Science Vol.51 No.5
Objective: To evaluate the expression of vascular endothelial growth factor (VEGF) and matrix metalloproteinases (MMPs) in the progression of cervical cancer. Methods: A total 87 specimens of uterine cervix, representing 6 normal epithelium, 11 intraepithelial neoplasm, 25 cervical carcioma in situ (CIS), 19 cervical microinvasive carcinoma and 26 cervical invasive carcinoma, were evaluated. All specimens were prepared with tissue array method which can allow evaluation many specimens in one slide. The protein expressions of VEGF and MMPs (MMP-2, MMP-9) were evaluated by immunohistochemical staining. Results: The protein expressions of VEGF and MMP-2 were increased significantly with the progression of cervical cancer (p<0.05), but there was no statistically significant difference in MMP-9 expression (p>0.05). The VEGF and MMP-2 expressions revealed positive correlations with the progression of cervical cancer. Conclusions: The VEGF, MMP-2 in each or together may play a role in the progression of cervical cancer.
스크린 프린팅을 이용한 태양전지 에미터 형성에 관한 연구
공대영(Gong, Dae-Yeong),양두환(Yang, Doo-Hwan),김선용(Kim, Sun-Yong),이용우(Lee, Yong-Woo),권태영(Kwon, Tae-Young),윤석우(Yun, Seog-Woo),이광일(Lee, Kwang-Il),이준신(Yi, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
This paper shows that you can achieve high quality N+ emitter layers using a screen printable phosphorous diffusion paste and firing in an infrared belt furnace. Spreading resistance measurement from a beveled sample is used to measure carrier concentration as a function of depth for different phosphorous concentrations. Contours of estimated sheet resistance are shown for different processing conditions. This paper describes newly developed low cost phosphorous pastes. It shows the characterization of the newly developed phosphorous paste (DP99-038). This low cost pastes can easily be printed and make 16% efficiency.