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이세준,이윤준,홍정임 과학기술정책연구원 2008 정책연구 Vol.- No.-
연구의 필요성 및 목적 국가미래전략 수립의 시급성과 중요성은 하루가 다르게 증가하고 있으나, 이에 비해 국내 미래연구의 기반은 아직 취약한 실정이다. 특히, 정부, 기업, 일반국민 등 미래연구의 실질적 수요자가 가진 니즈를 고려하여 미래를 위한 전략수립과 의사결정에 보다 직접적으로 활용될 수 있는 분석이 필요하다. 본 연구는 지금까지 수행되어 온 국내외 미래연구현황과 기존 미래연구 방법론의 검토를 통해 과학기술 비전의 설정과 전략 수립의 실효성을 제고할 수 있는 미래연구의 방법론적 기틀을 마련하고자 한다. 본 연구의 목적은 개별적으로 추진되어 왔던 니즈 도출과 유망미래기술 도출이라는 미래연구 결과물들을 연계·종합할 수 있는 통합적 미래연구 방법론과 정부, 기업, 국민 등 실질적 미래연구 수요자의 니즈에 충실한 수요지향적 미래연구 프레임을 개발하는 것이다. 주요 연구내용 본 연구는 국내외 미래연구 방법론에 관한 문헌조사 및 서베이를 통해 주요 미래연구의 시기별 특성 및 변화 추세를 비교·분석함으로써 미래연구에 적합한 방법 도구(tool)를 탐색한다. 또한 미래연구 방법론의 사용빈도 분석, 주제별·범위별 방법론에 관한 분석을 통하여 통합적 미래연구 방법론의 개념을 정립함으로써 미래연구와 국가전략 간의 연계방안을 모색한다. 이를 통해 개발된 통합적 미래연구 Framework을 주요 이슈에 적용할 수 있는 가이드라인을 제시함으로써 추후에 수행할 미래연구의 기틀을 마련하고자 한다. 구체적으로는 국내외 미래연구 동향에 관한 문헌연구를 통해 국내외 미래연구의 현황, 변동과정과 특성, 미래연구 운영체계 등을 파악하고 국가별 미래연구의 목적, 주제 및 주요결과 등에 관한 분석을 통해 시기별 미래연구의 특성과 변화추이를 살펴본다. 이를 통해 미래연구결과의 활용 현황을 조사·분석하여 미래 니즈분석, 전망 및 예측결과와 정책 간 연계정도를 파악하고, 미래연구의 활용도 측면에서 미래연구 방법론의 장단점을 비교· 분석함으로써 통합적 미래연구 방법론의 가능성을 진단한다. 마지막으로 통합적 미래연구 방법론의 개념을 정립하고 Framework을 제시하여 향후 미래의 주요 이슈에 적용 가능한 수준으로 가이드라인을 제시함으로써 미래연구와 국가전략간 연계 강화방안을 모색한다. 결론 미래연구와 이의 활용 방안인 정책집행은 불가분의 관계로서 이 둘의 연결고리를 보다 견고하게 하는 것이 본 연구에서 제시하고 있는 통합적 미래연구 방법론이라 할 것이다. 미래연구의 전망과 전략 계획수립의 연계를 위해서 사전작업·미래분석·비전 및 정책 방향도출·집행과 실행·평가·모니터링 및 트렌드 파악의 정교한 결합을 이끌어 내며, 미래 불확실성을 감안하여 다양한 미래 대안을 제시하는 시나리오 기법을 기반으로 한다. 시나리오 기법을 기반으로 한 통합적 미래연구 방법론의 또 다른 장점은 미래 경제사회 트렌드에 따른 미래 목표 시나리오와 교차영향분석을 동반한 기술 시나리오 대안들을 비교함으로써 기술의 니즈부합성 혹은 기술영향평가의 역할을 할 수 있다는 것이다. 이를 통해 과학기술예측조사의 가장 큰 약점이라고 할 수 있는 부분들을 극복할 수 있을 것으로 기대된다. 하지만 방법론상으로 창의성과 상호작용 기능을 보완하였지만, 미래연구의 역사가 짧고 창의적 미래연구 전문가가 부족한 상황과 토론문화가 아직은 익숙치 않은 사회분위기를 감안할 때 그 한계는 존재할 것이다. 따라서 이를 극복할 미래연구자들의 의식 전환 및 훈련이 동반되어야 할 것이다. 정책제언 미래연구와 정책연구는 매우 밀접한 연관관계를 맺고 있다. 정책을 이해함에 있어서 미래라는 관점이 도입되지 않는다면 정책은 매우 단편적이고 근시안적인 도구로 전략하게 될 것이며, 그렇게 되면 정책의 본질적인 핵심에 해당하는 정책의 미래 창조적 기능은 상당부분 상실되는 바람직하지 못한 결과가 초래될 것이다. 정책은 미래를 대비하여야 하기에 정책의 미래지향적 탐색이 요구되어지며, 국가의 미래지향적 가치를 그리면서 정책을 수립해 나가야 한다. 미래연구는 정책의제 설정단계에서부터 장기적 시각에 기초한 정책설계가 필요하며 정책목표와 수단 간의 조합을 통한 정책대안과 이를 비교·분석·평가하여 선택하는 정책결정과정이 동반되어야 한다. 정책결정 과정에 있어서 미래의 다양한 가치가 정책목표와 정책수단 결정의 중요한 기준이 되어야 하기에 정책결정의 의미는 그 정책이 추구하는 미래지향적 가치를 선택하는 것이라 할 수 있다. 이렇듯 미래연구와 이의 활용방안인 정책집행은 불가분의 관계로서 이 둘을 연계하는 통합적 미래 연구 방법론의 적용이 필요하다. 하지만 최근의 우리나라 미래연구는 일부 부처와 기업에서 프로젝트 단위로 과학기술 미래전망 및 예측을 하고 있어 결과의 활용에는 제한적일 수밖에 없다. 따라서 방법론적 차원의 해결을 넘어서 국가차원의 시스템적 해결책을 찾는다면 우선은 현재 취약한 부분인 정책방향 도출과 영향평가를 수행할 수 있는 연구 기관을 키워야 할 것이다. 또한 국내외 연구기관들의 연계성 강화를 통한 지속적인 모니터링과 국가차원의 미래연구 기획을 위한 전문적인 조직의 설립이 필요하다.
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이세준,김득영,강태원,Hyung Koun Cho 한국물리학회 2008 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.52 No.6
The Zn0.9₃Mn0.07O:N nanocrystals embedded into a SiO₂ layer were formed by using the thermal-nucleation process with a SiO₂/(Zn$_{0.93}$Mn$_{0.07}$)O:N/SiO₂ ultrathin multilayer. The formed (Zn0.9₃Mn0.07O:N nanocrystals showed clear ferromagnetism with Mr ~ 6.54 x 10-6 emu/g and Hc ~ 77.78 Oe, which persisted up to 350 K. The observed high-Tc ferromagnetism is considered as originating from the enhancement of ferromagnetic coupling due to increases in both the carrier-confinement effect and the manganese-disorder effect attributed to the nucleation of (Zn0.₃Mn0.07)O:N nanocrystallites. The memory capacitor fabricated using the (Zn0.9₃Mn0.07)O:N nanocrystals clearly showed an electrical charging effect with △VFB ~ 0.63 V and the spin tunneling diode fabricated using the room-temperature-ferromagnetic (Zn0.9₃Mn0.0)O:N nanocrystals revealed the sequential tunnel transport behaviors of spin-polarized carriers. These results suggest that (Zn0.9₃Mn0.07)O:N nanocrystals can be used for spin-functional memory devices.
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Electrical and Optical Properties of (Zn0.93Mn0.07)O-Based Homojunction Diode
이세준,김득영 한국물리학회 2008 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.52 No.6
A $p$-(Zn$_{0.93}$Mn$_{0.07}$)O/$n$-(Zn$_{0.93}$Mn$_{0.07}$)O homojunction diode, which was fabricated using As$^+$ implantation in a semi-insulating-(Zn$_{0.93}$Mn$_{0.07}$)O/$n$-(Zn$_{0.93}$Mn$_{0.07}$)O layer, clearly showed a rectifying behavior. The values of $V_T$, $V_B$ and $I_S$ were 2.65 V, --8.12 V and 2.04 $\times$ 10$^{-8}$ A, respectively. For the electroluminescence measurements, the diode exhibited light emission at $\sim$425 nm. By confirming the luminescence properties at the depletion region, we confirmed that the observed light emission originated from transitions between carriers in the donor level and in the acceptor level. .
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유한요소법을 이용한 치근단절제술후 근첨의 응력분포에 관한 연구
이세준,최호영,민병순,박상진,최기운 大韓齒科保存學會 1998 Restorative Dentistry & Endodontics Vol.23 No.1
The purpose of this study is to evaluate the distribution of stress in the root end resected teeth. The finite element method was used to compare stresses along the root and retrograde filling material in seven two-dimensional models of mandibular 2nd premolar. Each model was endodontic treatment and gold crown restoration. Each model divided with amagam corerestoration or gold casting post restoration. Thus each model divided with shape of root end resection, depth of retropreparation and exposure length of root in the bony cavity. The seven models were classified as in the table 1 below. ◁표참조▷ A load of 500N was applied 45°diagonally on the lingual slope of the buccal cusp. These models were analyzed with two dimensional finite element methods. The results of this study were as follows : 1. The maximum tensile stress along the inner canal wall was shown on the model 7. 2. When the model 1 was compared with the model 5, the maximum tensile stress along the inner canal wall showed the model 1. 3. Less equivalent stress was shown on the model 6 and more equivalent stress was shown on the model 4. 4. More shear stress was shown on the retrograde filling material of the model 7. 5. The models with increased length of exposed root in the bony cavity demonstrated a gradual increase to the tensile stress in X direction which occurred approximately a boundary between the bone and exposed root in the bony cavity. 6. The model which had a case of matching the apex of post and a boundary between the bone and exposed root in the bony cavity demonstrated more increase tensile stress in X direction than other models.
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Fabrication and Electrical Characteristics of Graphene-based Charge-trap Memory Devices
이세준,Sung Min Kim,Emil B. Song,Kang L. Wang,David H. Seo,서순애 한국물리학회 2012 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.61 No.1
Graphene-based non-volatile charge-trap memory devices were fabricated and characterized to investigate the implementation effect of both 2-dimensional graphene and the 3-dimensional memory structure. The single-layer-graphene (SLG) channel devices exhibit larger memory windows compared to the multi-layer-graphene (MLG) channel devices. This originates from the gate-coupling strength being larger in SLG devices than in MLG devices. Namely, the electrostatic charge screening effect becomes enhanced upon increasing the number of graphene layers; therefore, the gate tunability is reduced in MLG compared to SLG. The results suggest that SLG is more desirable for memory applications than MLG.
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