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양지훈,서병설,Yang Ji Hoon,Suh Byung Suhl 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.41 No.1
This paper proposes an optimal robust LQ-PID controller design method for the second order systems to satisfy the design specifications in time domain. The tuning parameters of LQ-PID controller are determinated by the relationships between the design parameters of the overshoot and the settling time which are design specifications in time domain, and the weighting factors Q and R in LQR. we can achieve the performance-robustness in time domain as well as the stability-robustness. 본 논문은 2차 시스템에서 시간영역의 설계 사양을 만족하는 최적 강인 LQ-PID 제어기 설계방법을 제안한다. LQ-PID제어기 동조파라미터들은 시간영역의 설계사양인 오버슈트와 정착시간의 설계파라미터들과 LQR의 가중치요소 Q와 R의 관계에 의해서 설계될 수 있었다. 그래서 안정도-강인성뿐만 아니라 시간영역에서의 성능-강인성을 이룰 수 있었다.
금강수계의 하천 및 강의 생태조사 자료를 이용한 국가지정 보호어종의 현황분석
양지훈 ( Ji Hoon Yang ),안광국 ( Kwang-guk An ),이상재 ( Sang-jae Lee ) 한국환경생태학회 2016 한국환경생태학회 학술대회지 Vol.2016 No.2
본 연구에서는 금강 수계에 서식하는 멸종위기 담수어류의 분포와 서식지 특성에 대하여 분석하였다. 금강 수계에 우점하는 대표 멸종위기 어류는 감돌고기, 꾸구리, 돌상어, 퉁사리, 미호종개 순으로 나타났다. 특히 멸종위기 야생생물 Ⅰ급 어류인 감돌고기는 금강 수계 내 18개 하천에서 가장 광범위하게 분포하였다. 또한 초강 중권역에서 멸종위기어종이 총 4종 384개체가 채집되어 높은 종다양도를 보였다. 초강의 경우 다른 수계와 달리 하상 및 하천구조에 인위적인 영향이 거의 없는 사행천으로 소와 여울을 적절히형성하고 있었으며, 수변 식피율이 높아 서식지 측면에서도멸종위기종을 비롯한 다양한 담수어종이 서식하기에 최적의 상태로 나타났다. 수질의 내성범위 분석결과 멸종위기담수어종 서식지에서 생물학적 산소요구량(BOD), 총인(TP)이 각 각 매우 좋음(Ⅰa), 좋음(Ⅰb)으로 평가 되었으며. 암모니아성 질소(NH<sub>4</sub>+), 총질소(TN), 인산염 인(PO<sub>4</sub>-P) 등의 수질 항목도 멸종위기종 비출현지점에 비해 훨씬 양호한 것으로 나타났다. 하지만 미호종개의 경우 수질의 내성범위가 다른 어종에 비해서 광범위하였다. 이는 미호종개의 서식은 이화학적 수질변수 보다 미소서식처의 하상구조, 수리수문학적 특성 등의 물리적 서식지 조건이 수질변수 보다더 큰 영향을 미치는 것으로 사료된다. 하천차수에 따른 멸종위기종의 분포 분석 결과 1∼3차의 소형 하천보다 4∼6차 대형하천에서 높은 멸종위기종의 분포를 보였다. 이는하천의 교란과 오염물질의 유입이 적은 대형하천에서 여울과 소 등 다양한 형태의 어류 서식지와 적절한 하상구조로 구성되어있는 것으로 사료된다. 다변수 평가모델을 이용한 하천 생태계 건강도 평가결과 멸종위기종 미출현지역과 출현지역의 모델 값은 각 각 21.6 “보통상태(Fair)”, 30.5 “양호상태(Good)”로 나타나 공간적 이질성이 나타났다. 이는 화학적 오염원의 영향뿐만 아니라 댐 및 수로화 등에 의한 물리적 교란에 의해 생태계건강성 평가 모델 값이 낮아진 것으로 사료된다. 본 연구 결과에 따르면 금강수계의 멸종위기어종은 국지적으로 분포하고 있으며, 생태계 내 개체군의 안정성도 낮아 지속적이며 체계적인 보호 및 관리가 필요한 실정이다.
보험수익자 변경의 의사표시가 상대방 없는 단독행위인지 여부에 대한 법적 검토
양지훈(Yang Ji hoon) 계명대학교 사회과학연구소 2020 한국사회과학연구 Vol.39 No.3
혁신적 기술 발달은 인간 평균수명을 획기적으로 증가시켰고, 사회를 더욱 복잡하게 변화시키고 있으며, 예측하기 어려운 위험을 증가시키고 있다. 이러한 위험으로부터 경제적 안정을 담보하기 위한 제도인 보험의 수요와 중요성은 꾸준히 증가하고 있고, 특히 타인의 생명을 보험사고로 하는 타인을 위한 생명보험 계약에서 분쟁이 지속적으로 발생하고 있다. 타인을 위한 생명보험이 다른 보험계약과 다른 점은 보험수익자가 존재한다는 것이다. 당연하게도 보험사고 발생 시 보험금을 수령 할 보험수익자 (변경)지정이 중요한데, 현행 상법은 보험계약자가 보험수익자를 지정 또는 변경하는 데 필요한 요건을 따로 규정하고 있지 않고, 형성권으로써 단지 보험계약자가 변경 의사표시를 한 것으로 보험수익자 지위가 변경된 것으로 보고 있다. 물론 보험수익자 변경사실을 보험자에게 통지하여야 하지만, 이는 대항요건으로 통지 시기는 그리 중요하지 않다. 이러한 이유로 진정한 보험수익자가 누구인지에 대한 분쟁이 있는 것이다. 최근 선고된 ‘대법원 2020.2.27.선고 2019다204869 판결’에서도 1심은 보험수익자 변경 의사표시가 상대방 있는 의사표시로 보았으나, 2심과 법원은 상대방 없는 의사표시로 보는 등 보험수익자 변경 의사표시에 대한 견해가 상반되기도 하였다. 본고에서는 보험수익자 변경 의사표시의 성질을 살펴보고, 이에 따른 효력 발생시점 검토를 진행하였다. 이를 통해 보험수익자 변경의 의사표시를 상대방 있는 행위로 변경하여 보험계약자의 보험수익자 변경의 의사표시가 보험자에게 도달한 시점부터 비로소 변경의 효력이 나타나는 것으로 보는 것이 계약의 원칙에 부합하고 계약의 또 다른 당사자인 보험자 보호, 불안정한 보험수익자의 지위를 조금이나마 보장할 수 있는 방안이 될 것이며, 이를 위해 상법 등 관련 법령과 약관을 개정할 필요가 있어 보인다. Innovative technological advances have dramatically increased human life expectancy, making society more complex, and increasing unpredictable risks. The demand and importance of insurance, a system to ensure economic stability from these risks, is steadily increasing, and disputes continue to arise, especially in life insurance contracts for others whose lives are insurance accidents. What makes life insurance for others different from other insurance contracts is that there is an insurance beneficiary. Naturally, it is important to designate an insurance beneficiary (change) to receive insurance money in the event of an insurance accident, and the current commercial law does not separately prescribe the requirements for the policyholder to designate or change the policyholder, but merely because the policyholder expressed its intention to change. Of course, the insurer should be notified of the change in the beneficiary, but this is a counter-requisite and the timing of the notification is not very important. For this reason, there is a dispute over who the true insurance beneficiary is. In the recently sentenced Supreme Court 2020.2.27. Sentencing 2019da 204869, the first trial saw insurance beneficiary change expression as a representation of the other party, but the second trial and the Supreme Court saw it as a representation of the other party"s intention to change insurance beneficiary. This treasury examined the nature of the indication of intention to change the beneficiary of insurance and reviewed the time of effectiveness accordingly was reviewed. It is deemed necessary to change the expression of the beneficiary"s intention to the other party"s actions, but to minimize the inherent infringement of the policyholder"s rights, it is necessary to seek the safety and swiftness of the insurance transaction and to have a contract.
절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
양지훈(Ji Hoon Yang),문병식(Byung-Sik Moon),김관표(Kwan Pyo Kim),김종걸(Chong Geol Kim),정동근(Donggeun Jung),노용한(Yonghan Roh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
CeO₂/Si 표면에 실리콘의 성장 과정을 연구했다. 실리콘 박막은 전자빔 증착 방법을 사용해 증착되었다. CeO₂ (111) 박막은 700℃의 증착 온도, 5×10^(-5) Torr의 산소 부분압에서 (111)방향의 실리콘웨이퍼 위에 적층 성장하였다. CeO₂/Si위의 실리콘 박막의 적층 성장 조건을 조사하기 위해 여러 온도에서 실리콘을 증착했다. 상부 실리콘은 x-ray diffraction(XRD), double crystal x-ray diffraction(DCXRD), 그리고 transmission electron microscopy(TEM)으로 분석하였다. 690℃보다 높은 증착 온도에서는 CeO₂에서 해리된 산소와 실리콘이 화학적 반응을 일으켜 Si/CeO₂의 계면에서 SiO₂층이 성장하는 것을 관찰했다. 620℃에서 CeO₂/Si 표면에 실리콘을 증착 했을 때 실리콘 박막이 (111)방향을 따라 적층 성장하였다. We have investigated the growing process of a silicon film on the CeO₂/Si surface. The silicon was deposited by using electron beam deposition method. The CeO₂ (111) film was grown on a (111)-oriented silicon substrate at 700℃ at oxygen partial pressure of 5×10^(-5) Torr. To investigate the condition of epitaxial growth of Si films on the CeO₂/Si substrate, we deposited Si at various temperatures. The overlayer silicon was characterized by using x-ray diffraction (XRD), double crystal x-ray diffraction (DCXRD), and transmission electron microscopy (TEM). At temperature higher than 690℃, SiO₂ layer was observed at the Si/CeO₂ interface, which was formed by chemical reaction with silicon and oxygen dissociated from CeO₂. When silicon was deposited on the CeO₂/Si at 620℃, silicon grew epitaxially along the (111)-direction.