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$TEOS/O_3$ BPSG 막내의 Boron과 Phosphorus의 Stability 향상
정석철,김완식,박래학,박진원,나관구,김우식 한국진공학회 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.s1
0.5$\mu$m 이하 급의 device에서 TEOS/O3 BPSG 박막을 층간절연막(Interlayer Dielectric)으로 사용하여, 평탄화를 위해 etchback 공정을 적용할 때 BPSG 박막이 가지는 구조적, 화학적 불안정성으로 인해 B,P 농도의 변화나 crack 발생 현상이 일어날 수 있다. 본 실험에서는 이러한 현상을 억제하기 위해 농도를 달리한 이층막의 증착, PR strip 시에 사용하는 wet chemical의 변경 및 증착후 치밀화(densificaiton)공정추가 등의 방법을 사용하였으며, 이에 따른 박막 특성의 변화를 조사하였다.
UV/O_3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오염물 제거
崔均碩,林鍾旻,李鍾武,羅寬球,朴相俊 대한금속재료학회 2002 대한금속·재료학회지 Vol.40 No.7
The problem of organic contamination is still there due to the outgassing from the plastic materials in the storage boxes. Such organic contaminants have deleterious effects not only on the gate oxide integrity, but also on the chemical vapor deposition steps. In this paper, we report the experimental results for the removal of the organic contaminants existing on wafer surfaces by UV/O_3 cleaning, ECR H_2 plasma and ECR O_2 plasma cleaning. After cleaning, Si wafers were analyzed by Attenuated Total Reflection Fourier Transform Infrared Spectroscopy (ATR-FTIR) and Atomic Force Microscrope(AFM). The ECR oxygen plasma cleaning technique seems to be more effective than the ECR hydrogen plasma or the UV/O_3 cleaning technique for the removal of organic contaminants. Also, organic contaminants removal mechanisms of UV/O_3 cleaning, ECR H_2 plasma and ECR O_2 plasma cleaning are discussed.
AI planarization 기술에서 MOCVD TiN 박막의 barrier 특성
홍정의,김창렬,김준기,변정수,나관구,김우식 한국진공학회 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.s1
AI planarization 공정을 위한 barrier로서 CVD 및 PVD 방법에 의해 증착된 TiN 박막의 특성에 대하여 연구하였다. CVD TiN은 TDMAT source를 사용한 MOCVD방법으로 증착하였으며, PVD TiN은 1:1 aspect ratio(A/R)를 갖는 collimator를 사용한 reactive wputtering법으로 증착하였다. AES, SEM을 이용하여 CVD TiN과 PVD TiN의 조성을 분석하고 barrier 특성을 평가하였다. CVD TiN, PVD TiN 모두 400$\AA$의 두께와 RTA 처리에 의해서 AI planarization에 대한 양호한 barrier 특성을 확보할 수 있었다.