MOTOR ARMATURE 공정의 자동화

김규홍 한국자동차공학회 1989 한국자동차공학회 학술강연초록집 Vol.- No.-

자발성 뇌지주막하 출혈후 임상적 뇌혈관 연축에 관련된 요인들ㄹ에 대한 연구

김규홍,허재택 대한신경외과학회 1996 Journal of Korean neurosurgical society Vol.25 No.11

Authors analysed a series of 175 pastients with aneurysmal subarachnoid hemorrhage(SAH) who have undergone the treatment for subarachnoid hemorrhage from July, 1990 to May, 1994 to assess the clinical factors related to clinical vasospasm. This investigation revealed following conclusions. 1) The severity of subarachnoid hemorrhage as seen on computed tomography seemed to be correlated with the appearance of clinical vasospasm. Patients with severe SAH on initial CT scan were at higher risk of clinical vasospasm. 2) Patients with history of hypertension had more significant clinical vasospasm than did normotensive patients after aneurysmal SAH. 3) Aneurysms of the anterior communicating artery were showen to have the highest incidence of clinical vasospasm. 4) Patients with moderate to severe diffuse vasospasm on cerebral angiography had more significant clinical vasospasm than patients with no or local vasospasm. These conclusions suggest that clinical vasospasm after aneurysmal SAH are related to the following predictable factors ; amount of blood on the initial CT scan ; angiographic vasospasm ; history of hypertension and location of aneurysm. Proper management of these factors may diminish the incidence and severity of clinical vasospasm and reduce the morbidity and mortality rate.

Approximated Posterior Probability for Scoring Speech Recognition Confidence

김규홍,김회린,Kim Kyuhong,Kim Hoirin The Korean Society Of Phonetic Sciences And Speech 2004 말소리 Vol.52 No.-

This paper proposes a new confidence measure for utterance verification with posterior probability approximation. The proposed method approximates probabilistic likelihoods by using Viterbi search characteristics and a clustered phoneme confusion matrix. Our measure consists of the weighted linear combination of acoustic and phonetic confidence scores. The proposed algorithm shows better performance even with the reduced computational complexity than those utilizing conventional confidence measures.

산화카드뮴-산화란탄계의 전기전도메카니즘

김규홍,김용록,김용배,이성한,최재시 연세대학교 자연과학연구소 1982 學術論文集 Vol.9 No.-

0.1, o.8 및 1.2mol% CdO-La_2O_3 계의 전기전도도를 500∼900℃ 및 10^-7∼10^-1atm의 산소분압하에서 측정하였다. 일정한 산소분압하에서 logσ vs. 1/T 도시는 직선관계를 보여 주었고 직선의 기울기에서 구한 활성화에너지는 0.96∼0.97eV이다. 500∼900℃ 영역에서 logσ vs. log Po_2 도시결과는 직선 관계를 나타내었으며 전기전도도의 산소분압 의존성은 σ∞Po_2^¼이다. CdO-La_2O_3계의 결함구조는 V_la^´´´과 Vo¨의 혼합형으로 사료되며, 전기전도도의 온도의존성과 산소분압의존성으로부터 혼합형의 결함구조 반응식을 규명하였다. CkO-La_2O_3계의 전기전도메카니즘을 결함구조 반응식으로부터 규명하였다. Electrical conductivity of CdO-La_2O_3 system containing 0.1, 0.8, and 1.2 mol% of CdO were measured from 500 to 900℃ at an oxygen partial pressures of 10^-7 to 10^-1 atm. Plots of log σ vs. 1/T at constant Po_2 are found to be linear and the activation energy appears to be 0.96-0.97eV. The log σ vs. log Po_2 are found to be linear at oxygen pressures (Po_2's) of 10^-7 to 10^-1 atm and at 500∼900℃. The conductivity dependence on Po_2 at the above temperature range is given by σ∞Po_2^¼. The defect structure in this system are believed to be complex, i.e., V_la^´´´ and Vo¨. The interpretations of conductivity dependence on temperature and Po_2 are presented and conduction mechanism is proposed to explain the data.

산화된 $SrTiO_3$ 및 니켈도프된 $SrTiO_3$ 단결정의 전기전도도

김규홍,최재시,Keu Hong Kim,Jae Shi Choi 대한화학회 1981 대한화학회지 Vol.25 No.4

순수한 $SrTiO_3$ 및 Ni 도프된 $SrTiO_3$ 단결정을 산화하여 700∼$1200^{\circ}C$ 및 $10^{-8}\;{\sim}\;10^{-1}$ atm의 온도 및 산소압력에서 산소압력의 함수로서 전기전도도를 측정하였다. 일정한 산소압력에서 전기전도도 값을 온도의 역수에 대하여 도시한 결과 직선관계를 나타내었으며 그 기울기로 부터 구한 활성화 에너지 값들은 순수한 $SrTiO_3$,에 대하여 1.34eV이며 Ni-doped $SrTiO_3$에 대하여 1.06eV이다. 일정한 온도에서 전기전도도 값을 산소분압에 대하여 도시한 결과 주어진 온도 범위에서 전기전도도의 산소압력 의존도가 -1/5.6${\sim}$-1.62로 나타났다. 실험치와 이론적으로 해석한 전기전도도의 산소 압력 의존성으로 부터 산소공위결합모델을 산화된 $SrTiO_3$와 Ni-doped $SrTiO_3$ 단결정에 이용할 수 있음을 알게 되었다. 주어진 온도 및 산소압력 범위에서 전기전도 메카니즘이 각각 제안되었다. The electrical conductivities of oxidized pure and Ni-doped $SrTiO_3$ single crystals were measured as a function of the oxygen partial pressure($Po_2$) at temperature from 700 to $1200^{\circ}C$ and $Po_2$ of $10^{-8}$ to $10^{-1}$ atm. Plots of log ${\sigma}$ vs. 1/T at constant $Po_2$ were found to be linear, and the activation energies obtained from the slopes of these plots have an average value of 1.34 eV for oxidized pure and 1.06 eV for oxidized Ni-doped $SrTiO_3$ single crystals at $Po_2$'s between $10^{-8}$ to $10^{-1}$ atm. The log ${\sigma}$ vs. log $Po_2$ curves at constant temperature were found to be linear with an average slope of ${\frac{-1}{5.6}}\;{\sim}\;{\frac{-1}{6.2}}$ in the $Po_2$ ranges. From the agreement between experimental and theoretically predicted values for the electrical conductivity dependences on $Po_2$, an oxygen vacancy defect model was found applicable to oxidized pure and Ni-doped $SrTiO_3$ single crystals over the temperature range, 700~$1200^{\circ}C$. Conduction mechanisms were proposed to explain the dependences of electrical conductivity on temperature and $Po_2$.

산화이트륨의 결함구조 및 전기전도 메카니즘

김규홍,박성호,최재시,Kim, Keu-Hong,Park, Sung-Ho,Choi, Jae-Shi 대한화학회 1984 대한화학회지 Vol.28 No.3

산화이트륨의 전기전도도를 $1 {\times}10^{-5}{\sim}2 {\times}10^{-1}$atm의 산소분압과 $650{\sim}1050^{\circ}$C 의 온도에서 산소분압 및 온도의 함수로 측정하였다. 일정한 산소분압에서 측정된 전기전도도 값을 온도의 역수에 대하여 도시한 결과, 온도 의존성이 적은 영역과 큰 영역이 나타났으며, 온도 의존성이 큰 영역은 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여주었다. 전기전도도의 산소분압 의존성은 $850{\sim}950^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6},\;950{\sim}1050^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$이며 $650{\sim}800^{\circ}C$에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/7.5}{\sim}{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/8.3}$이다. ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6}$인 영역에서의 detect는 $O_i{''}$며 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$인 영역에서의 detect는 $V_M{'''}$이다. 고온영역에서의 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다. The electrical conductivity of p-type yttrium sesquioxide has been measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure at temperatures from 650 to 1050$^{\circ}C$C and oxygen partial pressures from $1 {\times}10^{-5}\;to\;2{\times}10^{-1}$atm. Plots of log conductivity vs. 1/T at constant oxygen partial pressures are found to be linear with low-and high-temperature dependences of conductivity. The high-temperature dependence of conductivity shows two different defect structures. The plots of log conductivity vs. log $Po_2$ are found to be linear at $Po_2$'s of $10^{-5}\;to\;10^{-1}$ atm. The electrical conductivity dependences on $Po_2$ are found to be ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6}$at $850{\sim}950^{\circ}C,\;{{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$ at $950{\sim}1050^{\circ}C\;and\;{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/7.5}{\sim}{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/8.3}\;at\;650{\sim}800^{\circ}C$, respectively. The defect structures are$O_i{''}$ at $850{\sim}950^{\circ}C$ and $V_M{'''}$ at $950{\sim}1050^{\circ}C$. The electron hole is main carrier type, however, ionic contribution is found at lower temperature portion.

Ni-doped and Reduced Ni-doped SrTiO_3 단결정의 전기전도도

김규홍,최재시,최찬유 연세대학교 자연과학연구소 1981 學術論文集 Vol.7 No.-

SrTiO_3: Ni와 "CO-reduced" SrTiO_3: Ni 단결정의 전기전도도를 700~1200℃ 및 10^-7~10^-1 atm 산소분압하에서 측정하였다. Log σ vs. 1/T의 도시에서 SrTiO_3: Ni dhk "CO-reduced SrTiO_3: Ni단결정에 대하여 σ∝ Po_2^-1/4와 σ∝ Po_2^-1/6을 각각 얻었으며 이론적으로 해석한 전기전도도의 산소분압의존성으로 부터 결함구조를 밝혀 전기전도도 메카니즘을 규명할 수 있었다. 전기전도도의 온도의존성으로부터 "CO-reduced" SrTiO_3: Ni의 polaron conduction이 제안되었다. The electrical conductivities of Ni-doped and "CO-reduced" Ni-doped SrTiO_3 single crystals were measured at temperatures from 700 to 1200℃ and oxygen partial pressures of 10^-7 to 10^-1 atm. Plots of log σ vs. 1/T at constant oxygen partial pressures were found to be linear, and the activation energies appeared to be 0.92 and 0.5 eV for Ni-doped SrTiO_3 and "CO-reduced" Ni-doped SrTiO_3 single crystals, respectively. The log σ vs. Po_2 at constant temperatures were found to be linear with an approximate slope of -1/4 for SrTiO_3: Ni and of -1/6 for "CO-reduced" SrTiO_3: Ni single crystals. The electrical conductivity dependences on Po_2 indicate that triply ionized titanium interstitial and an oxygen vacancy model are applicable to Ni-doped and "CO-reduced" Ni-doped SrTiO_3 single crystals. The polaron conduction was suggested on the "CO-reduced" Ni-doped SrTiO_3 from the temperature dependence of conductivity.

다차원 Euler 방정식을 위한 향상된 Limiting 기법 연구

김규홍,강형민,김도윤,이동호 한국항공우주학회 2008 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.- No.-

직교 주파수 분할 다중화 시스템의 최대전력 대 평균전력의 비 감소를 위한 비트 선택사상 기법

김규홍,노형석,허석중,노종선,신동준 한국통신학회 2008 韓國通信學會論文誌 Vol.33 No.6

[친구에게] 바가다 일깨워준 삶

김규홍 샘터사 2000 월간 샘터 Vol.31 No.8