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RF파워가 SiO2/PES 기판위에 증착한 ITZO 박막의 광학적 및 전기적 특성에 미치는 효과
최병균(Byeong-Kyun Choi),정양희(Yang-Hee Joung),강성준(Seong-Jun Kang) 한국전자통신학회 2021 한국전자통신학회 논문지 Vol.16 No.3
플라스틱 기판 중에서 열적 안정성과 광학적 특성이 우수한 PES 기판을 선택한 후, 흡습성이 높은 단점을 보완하기 위해 플라즈마 화학기상증착 법으로 SiO2 박막을 버퍼층으로 20nm 두께로 증착하였다. 그 후 ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 RF파워에 따른 전기적 및 광학적 특성들을 조사하였다. RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막이 8.02 × 10-4 Ω-cm의 비저항과 50.13 Ω/sq.의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 나타내었다. ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서의 평균 투과도는 RF파워가 40, 50W인 경우 80% 이상으로 비교적 높은 값을 나타내었다. 재료 평가 지수들인 ΦTC와 FOM은 RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막에서 각각 23.90×10-4 Ω-1와 5883 Ω-1cm-1로 가장 큰 값을 나타내었다. After selecting a PES substrate with excellent thermal stability and optical properties among plastic substrates, a SiO2 thin film was deposited as a buffer layer to a thickness of 20nm by plasma-enhanced chemical vapor deposition to compensate for the high moisture absorption. Then, the ITZO thin film was deposited by a RF magnetron sputtering method to investigate electrical and optical properties according to RF power. The ITZO thin film deposited at 50W showed the best electrical properties such as a resistivity of 8.02×10-4 Ω-cm and a sheet resistance of 50.13Ω/sq.. The average transmittance of the ITZO thin film in the visible light region(400-800nm) was relatively high as 80% or more when the RF power was 40 and 50W. Figure of Merits (ΦTC and FOM) showed the largest values of 23.90×10-4 Ω-1 and 5883 Ω-1cm-1, respectively, in the ITZO thin film deposited at 50W.
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Preparation and Properties of Sb2O3-doped SnO2 Thin Films Deposited by Using PLD
김근우,Keun Young Park,M. S. Anwar,서용준,성창훈,구본흔,장지호,길경석,박대원 한국물리학회 2012 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.60 No.10
Transparent conducting oxides (TCOs) are key materials in optoelectronic devices applications, such as flat-panel displays, touch panel, heat mirrors, gas sensor, light-emitting diodes and solar cell. In this study, the Sb2O3-doped SnO2 films have been deposited on glass substrates by using the pulsed laser deposition (PLD) method. The structural, electrical, and optical properties of these films have been studied as functions of the dopingconcentration, oxygen partial pressure, film thickness, and substrate temperature during deposition. The structural properties of films were analyzed by using X-ray diffraction (XRD). The electrical and the optical properties were checked by using a four probe sheetresistance, Hall measurement system and an UV-VIS-NI spectrometer, respectively. Under optimized deposition conditions (6 wt% Sb2O3, Ts = 500 °C, and 60 m Torr of O2 and film thickness at 700 nm). The optimized films had an electrical resistivity of 1.3 × 10−3 Ω·cm, a carrier concentration of 2.3 × 1020 cm−3, a Hall mobility of 20.1 cm2v−1s−1 and an average optical transmittance of over 80% in the visible range.
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