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표면 광전압 분광법에 의한 Al0.24Ga0.76As/In0.2Ga0.8As/GaAs 슈도형 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 특성
최상수,배인호,김인수,박성배 한국물리학회 2005 새물리 Vol.51 No.3
We studied the surface photovoltage characteristics of aAl$_{0.24}$Ga$_{0.76}$As/In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/GaAs psedomorphichigh-electron-mobility transistor structure grown by using molecular beam epitaxy. The transitions in the quantum well are observedthrough the overlap signal in the surface photovoltage (SPV)spectrum. In order to analyze those transitions, we obtained thecurrent positions from the normalized first derivative of the SPV fitted by a line shape function. 분자선 에피택시(MBE) 법으로 성장한Al$_{0.24}$Ga$_{0.76}$As/In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/GaAs 슈도형 고전자이동도 트랜지스터 (p-HEMT) 구조의 특성을 표면 광전압 분광법 (SPS)으로 연구하였다. 표면 광전압 신호로부터 In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As양자우물 내의 전이들이 중첩된 신호로 관측되었다. 이 신호를 분석하기위해, 1차 미분형 표면 광전압 스펙트럼을 라인 피팅하여 정확한 전이에너지의 위치를 구하였다. 이 결과들은 이론값과 거의 일치하였다.