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PET 기판 위에 RF magnetron sputtering으로 증착한 AZO 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성
이윤승,김홍배 한국반도체디스플레이기술학회 2016 반도체디스플레이기술학회지 Vol.15 No.4
The 2 wt.% Al-doped ZnO(AZO) thin films were fabricated on PET substrates with various RF power 20, 35, 50, 65, and 80W by using RF magnetron sputtering in order to investigate the structure, electrical and optical properties of AZO thin films in this study. The XRD measurements showed that AZO films exhibit c-axis orientation. At a RF power of 80W, the AZO films showed the highest (002) diffraction peak with a FWHM of 0.42. At a RF power of 65W, the lowest electrical resistivity was about 1.64×〖10〗^(-4) Ω-cm and the average transmittance of all films including substrates was over 80% in visible range. Good transparence and conducting properties were obtained due to RF power control. The obtained results indicate that it is acceptable for applications as transparent conductive electrodes.
자녀의 정신건강을 위한 부모의 도움추구 형태와 상담실태
이윤승,유미숙 숙명여자대학교 아동연구소 2015 兒童硏究 Vol.27 No.1
본 연구는 아동의 정신건강 문제를 발견하는 과정 및 경로를 파악하고, 문제행동 유형에 따른 치료 개입 현황을 조사하였다. 또한 상담에 의뢰하기까지의 시간의 적절성과 치료 과정에서 일어나는 저항요인을 밝히고, 상담 과정에서 겪는 어려움을 파악하였다. 마지막으로 상담을 받기 전·후 상담에 대한 인식에 변화가 있는지 조사하였다. 연구를 위해 아동상담을 받는 부모 121명에게 설문을 실시하였다. 연구 결과, 첫째, 아동의 문제행동에 대해 치료의 필요성을 처음 인식하고, 상담을 결정하는데 부모가 가장 높은 영향력을 가지고 있었고, 부모가 자녀 문제에 대한 정보를 얻는 매체는 인터넷, 이웃지인, TV 순이었다. 둘째, 부모는 자녀 문제행동으로 정서문제를 가장 많이 꼽았고, 이를 해결하기 위해 놀이치료 개입이 가장 높았다. 발달문제에 대한 개입으로 언어치료가 높은 비중을 차지하고 있었다. 셋째, 다수의 부모가 상담에 늦게 의뢰하였다고 인식하고 있었는데, 그 원인으로 문제의 심각성에 대한 인식 부족이 가장 높아 정신건강서비스에 대한 체계적인 평가와 홍보가 필요함을 나타냈다. 넷째, 아동상담에 의뢰한 부모는 심리치료에 대한 편견보다 비용부담과 교통, 시간 문제를 상담 중에 겪는 더 큰 어려움으로 인식하고 있었다. 다섯째, 상담을 받은 후 상담에 대한 인식은 대부분 더욱 긍정적으로 변하였다. 본 연구는 부모가 아동상담을 의뢰하는 과정과 상담을 진행하는데 영향을 미치는 요인들을 밝혀 상담에 참여하는 부모의 현황을 살피고, 문제 조기 개입과 효과적인 상담을 위한 기초자료를 제공하는데 그 의의가 있다.
RF magnetron sputtering으로 증착한 GZO 박막의 열 처리 온도 변화에 따른 구조적, 광학적, 전기적 특성
이윤승,김홍배 한국반도체디스플레이기술학회 2016 반도체디스플레이기술학회지 Vol.15 No.4
ITO/GZO double layered thin films were prepared on transparent glass substrates. Ga-doped ZnO(GZO) films were deposited by RF magnetron sputtering using an ZnO:Ga (98: 2 wt%) target. The post deposition annealing process was conducted for 30 minutes at different temperature of 100, 200, 300 and 400℃, respectively. As increase annealing temperature, ITO/GZO double layered thin films show the increment of the prefer orientation of ZnO diffraction peak (002) in the XRD patterns. We obtained Ga-doped ZnO thin films with a lowest resistivity of 1.84×〖10〗^(-4) Ω-cm at 400℃ and transparency above 80% in visible ranges. The figure of merit obtained in this study means that ITO/GZO double layered thin films which annealed at 400℃ have the highest optoelectrical performance in this study.