Inhibition on hyaluronidase activity by some herbal extracts [ 제43회 대한약학회 총회 및 학술대회 ]

노영균 충북대학교 약품자원개발연구소 1994 약학논문집 Vol.9 No.-

얇은AlSb 완충층을 사용한 GaSb/ Si(001) 박막평가

노영균,김문덕,권영진,김송강,김영헌,박세린,오재응,이정용 한국물리학회 2006 새물리 Vol.53 No.1

We report the properties of GaSb films grown on thin AlSb buffer layers on Si(001) substrates by using molecular beam epitaxy. The structural properties of the films were investigated using reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscopy, high-resolution X-ray diffraction, and transmission electron microscopy measurements. The GaSb layers grow as 3-dimensional islands when they were directly grown on Si substrates. On the other hand, the addition of a low-temperature initiation layer of AlSb was found to reduce the lattice mismatch through twin boundaries. We also observed that the presence of Sb soaking on Si(001) improved the crystal quality of GaSb. Molecular Beam Epitaxy 법을 이용하여 Si(001) 기판 위에 저온에서 성장된 얇은 AlSb 완충층을 사용하여 GaSb박막을 성장하였다. AlSb 완충층의 표면 및 격자상수 변화와 성장된 GaSb 박막의 결정성을 평가하기 위하여 reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscope, high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscope를 각각 사용하였다. AlSb 완충층 없이 직접 GaSb박막을 성장하였을 때 3차원 성장을 보였지만 저온의 얇은 AlSb 완충층을 사용하였을 때 Si과 GaSb의 접합계면에서의 결함을 줄여주어 GaSb 박막의 결정성 향상에 기여함을 확인하였다. 초기 성장 시 Si(001)위에 Sb 흡착을 했을 때가 안 했을 때 보다 GaSb 박막의 결정성이 더 좋음을 아울러 확인하였다.

Influence of an Embedded Low-temperature AlN Strain Relaxation Layer on the Strain States and the Buffer Characteristics of GaN Films Grown on (110) Si Substrates by Using Ammonia Molecular Beam Epitaxy

노영균,권한철,오재응,이상태,김문덕 한국물리학회 2015 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.66 No.11

The effect of a low-temperature AlN strain relaxation layer on the strain state and the leakage characteristics of GaN buffer layers grown on (110) Si substrates by using ammonia molecular beam epitaxy has been investigated. Excess charge accumulation at the position of LT-AlN strain relaxation layer is found to result in a leakage current through the GaN buffer layer that is a few orders of magnitude higher than through the GaN buffer layer without the LT-AlN strain relaxation layer. An approach to grade the Al composition of the LT-AlN layer reduces the detrimental leakage current induced by the use of the LT-AlN layer while keeping the compressive strain state of the GaN buffer layer on a (110) Si substrate. A complete understanding of charge formation in the strain relaxation layer in the GaN buffer layers on (110) Si substrates is required to accomplish a crack-free and dopant-free GaN buffer layers for use in high-power/high-frequency electronic devices.

Si(100) 위에 성장된AlAsSb 박막의 As 조성 과 면저항 변화

노영균,김문덕,고광만,오재응,유순재 한국물리학회 2009 새물리 Vol.58 No.1

We have investigated the variations of As composition, the structural properties, and the surface resistivity by using double crystal X-ray diffraction (DCXRD), secondary-ion mass spectrometry (SIMS), and a 4-probe point method, respectively, of AlAsSb layers grown on Si(100) by using molecular beam epitaxy. With increasing As composition, the surface resistivity increased from 90Ω/cm2 to 310 KΩ/cm2 in the AlAsSb layers with a little bit of indium. Above a 5% As composition and a 0.09 In/Al flux ratio, the surface resistivity decreased abruptly, and the full width at half maximum (FWHM) of the DCXRD peak increased. This is due to a distortion of the lattice in the AlAsSb layer. From the results, we know that the AlAsSb layer with a little bit of indium can serve as a good buffer layer due to the increase in the resistivity when an electrical device structure is grown on a Si substrate. MBE 법으로 Si(100) 기판 위에 성장된 AlAsSb 박막에 대하여 In과 As4 flux 양 변화에 대하 여 조성 및 결정성, 면저항 변화를 SIMS, DCXRD 그리고 4 probe point 법으로 조사 하였다. In이 미량 첨가되면서 As이 AlAsSb 박막내에서 증가 하였으며 면 저항 또한 90Ω/cm2 에서 310 KΩ/cm2으로 증가하는 현상을 관측 하였다. As이 5%, In/Al flux비가 0.09 이상일 때 면저항이 급격히 감소하면서 결정성 나빠졌다. 이는 합금에 따른 결함에 기인된 것으로 여겨진다. Si 기판을 이용 전자소자구조를 성장 할 때 AlAsSb 완충층에 In을 미량 첨가하면 As가 증가하면서 면저항 또한 증가함으로 좋은 완충층으로 사용 할 수 있음을 보였다.

Temperature- and Al/N Ratio-dependent AlN Seed Layer Formation on (110) Si Substrates by Using Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

노영균,박철현,오재응,이상태,김문덕 한국물리학회 2014 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.64 No.10

AlN seed layers with a thickness of 50 nm were grown by using nitrogen plasma-assisted molecularbeam epitaxy on (110) Si substrates with different V/III ratios in the temperature range from 850C to 940 C. In varying the Al/N ratio and the growth temperature, distinct surface morphologiesemerge, which are quite different from those observed in AlN growth on (111) Si substrates. UnderN-rich conditions, AlN films exhibits randomly distributed islands with different sizes rangingfrom 10 nm to 1 m. In Al-rich conditions, two distinct surface morphologies, (1) closely-packedislands preferentially aligned along the [11¯20]AIN/[1¯10]Si azimuth and (2) smooth flat surfaces, areobserved at various growth temperatures. The observed morphology transition is attributed to theasymmetric strain distribution between hexagonal symmetric AlN layers and rectangular (110) Sisubstrates and to varying surface adatom migration rates present at different growth temperatures.

AlSb/InAs/AlSb 양자우물 구조에서 InSb-like 계면의 전기적 특성

노영균,김영헌,오재응,임현식,김문덕,김송강 한국물리학회 2007 새물리 Vol.54 No.6

We researched the electrical and the structural properties of the InSb-like top and bottom interfaces of an InAs layer in an AlSb/InAs/AlSb quantum-well structure grown on a GaAs (001) substrate by using molecular beam epitaxy. We investigated these properties by using reflection high-energy electron diffraction, transmission election microscopy, and Hall effect measurements. We obtained an electron mobility of 20,700 cm$^2$/V$\cdot$s at room temperature by using a combination of a 30-nm InAs well and InSb-like top and bottom interfaces. In addition, according to the measurement of the temperature dependence, the InAs well interface formed an InSb-like layer. [1] Y. C. Kang, J. S. Choi, S. B. Park, S. H. Cho, J. S. Yoo and J. D. Lee, J. Aerosol Sci. 28, S541 (1997) [2] S. Okamoto and H. Yamamoto, J. Appl. Phys. 91, 5492 (2002). [3] L. Tian and S. I. Mho, Solid. State Commu. 125, 647 (2003). [4] H. Muta, K. Kurosaki and S. Yamanaka, J. Alloy. Compound 350, 292 (2003). [5] B. G. Almeida, A. Pietka and J. A. Mendes, Appl. Surface Sci. 238, 395 (2004). [6] S. S. Chadha, D. W. Smith, A. Vecht and C. S. Gibbons, 94 SDI Digest 51, 1 (1994). [7] S. Okamoto, H. Kobayashi and H. Yamamoto, J. Appl. Phys. 86, 5594 (1999). [8] S, Itoh, H. Toki, K. Tamura and F. Karaoka, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6387 (1999). [9] P. T. Diallo, K. Jeanlouis, P. Bontinaud, R. Mahiou and J. C. Cousseins, J. Alloy. Compd. 323, 218 (2001). [10] E. Pinel, P. Boutinaud and R. Mahiou, J. Alloy. Compound 380, 225 (2004). [11] H. Yamamoto and S. Okamoto, Display 21, 93 (2000). [12] J. K. Park, H. Ryu, H. D. Park and S. Y. Choi, J. Euro. Ceram. Soc. 21, 535 (2001). [13] J. C. Park, H. K. Moon, D. K. Kim, S. H. Byeon, B. C. Kim and K. S. Suh, Appl. Phys. Lett. 77, 14 (2000).

k-최근접 이웃 정보를 활용한 베이지안 추론 분류

노영균,김기응,이태훈,윤성로,Daniel D. Lee 한국통신학회 2014 정보와 통신 Vol.31 No.11

본 리뷰 논문에서는 많은 데이터 환경에서 얻어진 k -최근접 이웃들(k -nearest neighbors)의 이론적 성질로부터 어떻게 분류를 위한 알고리즘을 만들어낼 것인가에 대한 여러 가지 방법들을 설명한다. 많은 데이터 환경에서의 최근접 이웃 데이터의 정보는 다양한 기계학습 문제를 푸는데 아주 좋은 이론적인 성질을 가지고 있다. 하지만, 이런 이론적인 특성들이 데이터가 많지 않은 환경에서는 전혀 나타나지 않을 뿐 아니라 오히려 다른 다양한 알고리즘들에 비해 성능이 많이 뒤쳐지는 결과를 보여주고 있다. 본 리뷰 논문에서는 많은 데이터 환경 하에서 k - 최근접 이웃들의 정보가 어떤 이론적인 특성을 가지는지 설명하고, 특별히 이런 특성들을 가지고 k -최근접 이웃을 이용한 분류 문제를 어떻게 베이지안 추론(Baysian inference) 문제로 수식화 할 수 있는지 보인다. 마지막으로 현재의 빅데이터 환경에서 실용적으로 사용할 수 있는 알고리즘들을 소개한다.

연구논문 / 떫은감의 유통특성 분석

노영균(Young Keun Roh),장성호(Sung Ho Jang),박석희(Seok Hee Park),변효숙(Hyo Sook Byun),성전중(Jeon Joong Sung) 한국식품저장유통학회 ( 구 한국농산물저장유통학회 ) 1999 한국식품저장유통학회지 Vol.6 No.2

복합문화 공간으로서의 하이엔드(High-end shop)샵 공간계획에 관한 연구 -밀레니얼 세대를 중심으로-

노영균(Noh, Young-Kyun),장석훈(Jang, Seok-Hoon) 한국실내디자인학회 2021 한국실내디자인학회 학술대회논문집 Vol.23 No.1

단순한 커널 갱신을 통한 분류기의 설계

노영균(Yung-Kyun Noh),김청택(Cheong-Tag Kim),장병탁(Byoung-Tak Zhang) 한국정보과학회 2006 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.33 No.1

커널(Kernel)을 이용한 분류 방법은 넓은 마진(large margin) 분류기로서 SVM(Support Vector Machine)을 주로 사용하게 된다. 하지만, 이 방법은 라그랑제 파라미터(Lagrange Parameter)의 최적화 과정을 포함함으로써 학습 과정을 쉽지 않게 만든다. 이 최적화 과정은 특히 DNA computing과 같은 단순한 과정의 설계를 통해 결과를 얻어야 하는 새로운 계산 모델에 커널을 적용하고자 했을 경우 큰 장벽이 된다. 본 논문에서는 넓은 마진을 목표로 하는 최적화 과정이 아닌 다른 라벨(label)의 데이터간의 경계 파악을 위한 간단한 커널 갱신 방법의 도입을 통해 분류기를 설계한다. 이 방법을 가우시안 커널에 적용시켜 본 결과, 반복을 통해 데이터의 구조를 찾아갈 수 있는 특성을 보여주며, 결국 넓은 마진의 최적화된 파라미터를 찾게 됨을 보여준다. 본 논문에서는 이 최적화 방법을 DNA 분자를 이용한 커널 생성 모델인 DNA 커널에 적용시켰을 때 잘 알려진 AML/ALL 데이터를 잘 분류해 냄을 보여준다.