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재취업 베이비부머의 진로자본이 직무착근도에 미치는 영향 - 일 가치감의 조절효과
이명하(Lee Myungha),김고은(Kim Goeun) 한국노인복지학회 2020 노인복지연구 Vol.75 No.4
이 연구는 재취업 베이비부머의 진로자본이 직무착근도에 미치는 영향을 살펴보고, 일 가치감에 대한 인식이 이를 조절하는지를 살펴보고자 하였다. 이를 위해 서울에 거주하는 퇴직후 재취업한 1차 베이비부머들을 대상으로 설문조사를 실시하였고, 위계적 회귀분석을 통해 그 영향력과 조절효과를 분석하였다. 연구결과, 재취업한 베이비부머의 직무착근도는 3.58점(5점 만점)이었고, 진로자본은 재취업한 직장의 직무착근도를 높였다. 또한 베이비부머가 인식하는 일 가치감은 진로자본이 직무착근도에 미치는 영향력을 조절하였다. 즉, 이전 직장으로부터 축적된 진로자본이 부족하더라도 새로운 일에서 인식하는 일 가치감이 높으면 재취업한 직장에서의 직무착근도를 높일 수 있는 것이다. 이러한 결과를 토대로 일 가치감을 중심으로 베이비부머들이 재취업한 직장에서 오랜 시간 잔류하며 고용을 유지할 수 있는 실천적인 함의를 논의하였다. The purpose of this study was to examine the effect of career capital of re-employed baby boomers on job embeddedness, and to determine whether perceived value of work controls this. To this end, a questionnaire survey was conducted for baby boomers who re-employed after retiring from a major job in Seoul, and the impact and moderating effects were analyzed through hierarchical regression analysis. As a result of the study, the job embeddedness of re-employed baby boomers was 3.58 points, and career capital increased the job embeddedness of re-employed workplaces. In addition, the perceived value of work by baby boomers adjusted the influence of career capital on job embeddedness. In other words, even if there is little career capital accumulated in the previous job, if the perceived value of work by the new job is high, it is possible to increase the job embeddedness in the re-employed job. Based on these results, we discussed practical implications for baby boomers to stay for a long time in re-employment and maintain employment focusing on perceived value of work.
YeongRan Lee,MyungHa Lee,SookKyoung Park 한국재난정보학회 2013 한국재난정보학회 논문집 Vol.9 No.4
본 연구의 목적은 간호대학생을 위한 재난간호역량 측정할 수 있는 도구를 개발하기 위함이다. 자료수집은 270명의 간호대학생을 대상으로 실시하였으며, 재난간호역량의 핵심개념 도출, 예비도구의 문항개발, 내용타당도 검정 및 본 조사 도구의 문항 선정, 도구의 신뢰도와 타당도 평가과정을 거쳐 재난간호지식 11문항, 재난간호기술 11문항으로 구성된 재난간호역량 도구를 개발하였다. 이 도구는 앞으로 간호학생의 재난간호 역량을 확인하고 관련요인을 파악하는 연구에 활용될 수 있을 것이다.
황명하(Myungha Hwang),이재진(Jaejin Lee) 한국통신학회 2013 韓國通信學會論文誌 Vol.38 No.10(통신이론)
홀로그래픽 데이터 저장장치는 한 볼륨에 페이지 단위로 데이터를 쓰고 읽기 때문에 단위 공간당 기록용량이 매우 크며 또 데이터 전송률이 굉장히 높은 장점이 있다. 반면 데이터를 저장하는 픽셀간의 밀도가 높아짐에 따라 2차원 인접 심볼간 간섭과 인접한 페이지끼리 서로 영향을 주는 인접 페이지간 간섭이 생기는 단점이 있다. 특히 한 페이지의 밝은 정도에 따라 인접한 페이지에 영향을 주어 한 볼륨에 저장할 수 있는 페이지의 수를 줄어들게 할 수 있다. 본 논문에서는 홀로그래픽 데이터 저장장치에서 한 페이지에 기록되는 ON 픽셀의 비율을 낮춰서 한 볼륨에 들어가는 페이지의 수를 늘리도록 하는 부호율이 6/8인 저밀도 ON 픽셀 2차원 변조부호를 제안한다. 제안된 부호는 기존의 6/8 균형 변조부호와 비교하여 거의 비슷한 성능을 보인다. 따라서 제안된 부호를 사용할 경우 성능의 저하 없이 기록 용량을 늘릴 수 있는 장점이 있다. Since holographic data storages read and write information on a volume and the information is processed per page, it has the advantage of high recording density and data transfer rate. However, there are two major drawbacks like 2-dimensional intersymbol interference and interpage interference as the density between pixels increases. Furthermore, a bright page that contains many ON pixels influences the reliable detection of the neighboring pages, which causes the less number of pages stored in the storage volume. We propose a sparse-ON pixel two-dimensional modulation code with the code rate 6/8 for increasing the number of pages stored in the volume. The proposed code is compared to conventional 6/8 balanced code, and it shows similar or a little bit better performance than that of the balanced code. Therefore, the proposed code can increase the recording capacity without loss of the performance.
모바일 서비스가 대학조직 성과에 미치는 영향에 관한 연구
방명하(Myungha Bang),이교엽(Kyoyoub Lee) 한국IT서비스학회 2006 한국IT서비스학회지 Vol.5 No.2
Today most customers are networked via wired or wireless media. They receive more information than ever before so become clever with valuable information. Under ubiquitous environment, most organizations are struggling to achieve the competitive edge over other organizations. Like others, University has the same problems to meet clients" needs to become being competitive. Most universities are struggling to find the answer how to develop effective campus service systems considering existing or new information systems with very new to well-known high technologies available to them.<BR> The research is to provide meaningful thoughts by analyzing empirical data and provide meaning information for University being competitive with IS and mobile campus related decisions.
고유전율 필드 플레이트를 적용한 고전압용 FinFET의 항복 메커니즘 분석 및 최적화
오경환(Kyounghwan Oh),김향우(Hyangwoo Kim),서명해(Myunghae Seo),이승호(Seungho Lee),조현수(Hyeonsu Cho),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
To improve the breakdown voltage of the high voltage FinFET, the breakdown mechanism was analyzed by changing the Lch of the HfO₂-DeFinFET and Lch was optimized according the result. When the Lch is 20 nm, despite the sufficient electric field relaxation, the Avalanche breakdown caused by DIBL greatly occurred, resulting in a low breakdown voltage of 7.53 V. On the other hand, when Lch was 80 nm, Avalanche occurred due to the strong electric field despite sufficient DIBL tolerance. In particular, at 80 nm Lch, Zener breakdown is also added due to high band-to-band tunneling, and a low breakdown voltage of 7.41 V was obtained. In consideration of these results, the optimal Lch was analyzed and the highest breakdown voltage of 7.91 V was obtained at 40 nm Lch.
고신뢰성 데이터 유지 특성을 가진 3단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리
김향우(Hyangwoo Kim),조현수(Hyeonsu Cho),서명해(Myunghae Seo),이승호(Seungho Lee),공병돈(Byoung Don Kong),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
Three-terminal thyristor random access memory(TRAM) is investigated in terms of gate-cathode voltage(VGC,ST) and anode-cathode voltage(VAC,ST) in the standby state to improve the retention characteristics and low-power operation. The device with the optimized VGC,ST of -0.4 V and VAC,ST of 0.55 V shows the continuous retention capability without refresh operation with a low standby current of 0.13 pA. In addition, the proposed array operation scheme can effectively minimize operation disturbances on unselected cells. Consequently, the three-terminal TRAM with the proposed array operation provides excellent retention and high-reliable memory configurations comparable with or surpass DRAM.