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UV/O<sub>3</sub> 조사 시간에 따른 Sol-gel 공정 기반 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 변화
이소정,장봉호,김태균,이원용,장재원,Lee, Sojeong,Jang, Bongho,Kim, Taegyun,Lee, Won-Yong,Jang, Jaewon 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.1
Sol-gel 공법을 이용하여, p-형 CuO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 copper (II) acetate monohydrate 를 전구체로 사용하였다. $500^{\circ}C$ 열처리 후에 형성된 전구체는 p-형 CuO 박막이 됨을 확인하였다. 또한 전구체를 형성하기 전 기판표면의 $UV/O_3$ 조사량에 따른 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성변화에 대하여 연구하였으며, 600 초동안 $UV/O_3$를 조사한 경우 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ 의 이동도와 약 $10^2$의 온/오프 전류비를 보여주었다. In this research, sol-gel processed CuO p-type thin film transistors were fabricated with copper (II) acetate monohydrate precursors. After $500^{\circ}C$ annealing process, the deposited thin films were fully converted into CuO. We investigated $UV/O_3$ process time effect on electrical characteristics of sol-gel processed CuO thin film transistors. After 600 sec $UV/O_3$ process, the fabricated CuO thin film transistor delivered field effect mobility in saturation regime of $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ and on/off current ratio of ${\sim}10^2$.
UV/O₃ 조사 시간에 따른 Sol-gel 공정 기반 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 변화
이소정(Sojeong Lee),장봉호(Bongho Jang),김태균(Taegyun Kim),이원용(Won-Yong Lee),장재원(Jaewon Jang) 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.1
Sol-gel 공법을 이용하여, p-형 CuO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 copper (II) acetate monohydrate를 전구체로 사용하였다. 500 ℃열처리 후에 형성된 전구체는 p-형 CuO 박막이 됨을 확인하였다. 또한 전구체를 형성하기 전 기판표면의 UV/O₃ 조사량에 따른 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성변화에 대하여 연구하였으며, 600 초동안 UV/O₃를 조사한 경우 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 5 × 10<SUP>-3</SUP> ㎠/V·s 의 이동도와 약 10²의 온/오프 전류비를 보여주었다. In this research, sol-gel processed CuO p-type thin film transistors were fabricated with copper (II) acetate monohydrate precursors. After 500 ℃annealing process, the deposited thin films were fully converted into CuO. We investigated UV/O₃ process time effect on electrical characteristics of sol-gel processed CuO thin film transistors. After 600 sec UV/O₃ process, the fabricated CuO thin film transistor delivered field effect mobility in saturation regime of 5 × 10<SUP>-3</SUP> ㎠/V·s and on/off current ratio of ~10².