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습도가 InP 턴넬 MIS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향
임한조,정상구,김현남,Im, Han-Jo,Jeong, Sang-Gu,Kim, Hyeon-Nam 대한전자공학회 1984 전자공학회지 Vol.21 No.4
InP표면에 화확적 방법으로 성장시킨 산화막을 금속과 n-InP사이에 삽입시켜 제작한 InP 턴넬 MIS(m etal-insulator-semiconductor)소자의 전기적 특성과 그 불안정성을 조사하였다. 성장된 박막은 In2O3와 P2O5가 혼합된 형태를 이루고 있었으며, 그 두께는 약 200A°으로 추정되었다. 이 MIS다이오em의 순방향전류와 역방향전류는 진공중에서의 약간의 열처리로도 증가하였으며, 다습한 분위기에서는 감소되는 현상이 관측 되었다. 이와 같은 전류-전압 특성곡선의 변화 및 그 불안정성은 수분의 흡수에 따른 산화박막의 물리 화학적 특성과 경계면 상태밀도의 변차에 기인되는 현상임을 논의하였다. The electrical properties and their instability of InP tunnel MIS diodes fabricated by inserting the chemically grown oxide between metal and n-lnP (100) surface have been in-vestigated. The structure of the gown oxide was the mixture of In2O3 and P2O5, as was other low-temperature grown oxide, and its thickness was estimated to be the order of 200 $A^{\circ}$. The forward and reverse currents increased even with slight heat treatment of diodes in vacuum, and they were reduced when the diodes were exposed to humid ambient. It was discussed that the observed instability in I-V characteristics is due to a change of the physicochemical properties of the oxide film and of the interface states between oxide and InP according to the absorption of H2O.
임한조 한국광학회 2002 광학과 기술 Vol.6 No.3
광기술이 발전됨에 따라 광집적회로(photonic integrated circuit) 구성에 요구되는 고기능성소자 등 나노포토닉스(nano-photonics) 기술에대한 요구가 급격히 증대되고 있습니다. 나노포토닉스는 그 어휘가 의미하는데로 나노구조의 재료나 소자를 활용하는 광자기술을 통칭한다고 보면 될 것입니다.(중략)
최연익,임한조,노영화 亞洲大學校 1986 論文集 Vol.9 No.-
Design programs which can be used for the fabrication of high-voltage power MOSFET's have been developed on HP-15C programmable calculator. Also, we proposed a method for finding optimum gate pitch with source pitch given after the specifications of the starting wafer and fabrication process were determined. The method was applied to the cases of using two kinds of epitaxially grown wafers and variations of on-resistance were studied in terms of source geometry, source pitch, gate-drain over-lap ratio, etc.
Field-dependent Charge Transfer Mechanism in InP MIS Capacitors
Kang, I.,Lim, H. 慶熙大學校 1996 論文集 Vol.25 No.-
일정한 정전 용량 방법을 써서 InP MIS 축전기의 전하전달성을 연구하였다. 문전압변화를 전장의 세기와 전압인가 시간의 함수로 나타내기 위한 간단한 모델을 제안한다. 단순화하기 위하여 부도체내의 전하덧은 공간과 에너지에 대하여 균일한 분포를 갖는 것으로 가정한다. 두 종류의 시료들을 제작하였는데 한가지는 PECVD방법에 의해 성장된 질화규소 부도체막이고 다른 것은 전자속 방법에 의해 InP기판에 증착성장시킨 이산화규소 부도체막이다. 제안된 모델은 SiO_2/InP MIS 축전기에서의 문전압변화의 시간에 대한 의존성을 성공적으로 설명해준다. 그러나 SiN_x/InP MIS 축전기에 대해서는 이 모델은 완전하게 적절하지는 않다. 사용된 SiO_2와 SiN_x의 전하덧 에너지 분포범위는 각각 13 meV와 60 meV임이 발견된다.