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스트레스로 인한 손발 저림을 주소로 하는 태음인(太陰人) 환자 치험 2례
이승윤,반덕진,이희승,한경석,배효상,박성식,Lee, Seung-Yun,Ban, Duk-Jin,Lee, Hee-Seung,Han, Kyung-Suk,Bae, Hyo-Sang,Park, Seong-Sik 사상체질의학회 2008 사상체질의학회지 Vol.20 No.1
1. Objectives The purpose of this case report is to evaluate the effects of Sasang Constitutional diagnosis and treatment of two patients who were diagnosed as Taeumin Dry-Heat Syndrome. 2. Methods Two numbness patients were diagnosed as Taeumin Dry-Heat Syndrome based on their Nature & Emotion, physical characteristics and symptoms. 3. Results and Conclusions Two numbness patients who were treated with Chungsimyonja-tang showed improvement in numbness. The necessity of managing the psychological aspects of the pathology through Nature and Emotion is also mentioned.
패키지된 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 형성 조건에 따른 전기적 특성
이승윤,이상흥,김홍승,박찬우,김상훈,이자열,심규환,강진영,Lee, Seung-Yun,Lee, Sang-Heung,Kim, Hong-Seung,Park, Chan-U,Kim, Sang-Hun,Lee, Ja-Yeol,Sim, Gyu-Hwan,Gang, Jin-Yeong 한국재료학회 2002 한국재료학회지 Vol.12 No.6
The effects of the conditions of the collector formation on electrical characteristics of the packaged SiGe hetero-junction bipolar transistors (HBT) were investigated. While the DC characteristics of SiGe HBTs such as IV characteristic, forward current gain, Early voltage, and breakdown voltage were hardly changed after packaging, the AC characteristics such as $f_{\tau}\; and\; f_{max}$ were degraded severely. With the rise of the collector concentration, the break-down voltage decreased but the $f_{\tau}$ increased. Additionally, $\beta$ and $f_{\tau}$ values were kept high in the range of elevated collector current due to the increase of the critical current density for the onset of the Kirk effect. The devices As implanted before the collector deposition showed lower breakdown voltage and higher $f_{\tau}$ than the others, which seems to be originated from the As up-diffusion resulting in the thinner collector.
이승윤,반덕진,이희승,한경석,배효상,박성식,Lee, Seung-Yun,Ban, Duk-Jin,Lee, Hee-Seung,Han, Kyung-Suk,Bae, Hyo-Sang,Park, Seong-Sik 사상체질의학회 2008 사상체질의학회지 Vol.20 No.2
1. Objective Primary aldosteronism is clinically characterized by hypertension and hypokalemia. The purpose of this article is to report our case about a female patient with suspected primary aldosteronism. 2. Methods We diagnosed her as Soyangin Heat Sensation in chest and treated with Yangkyuksanhwa-rang and Hyungbangjihwang-tang. And potassium replacement therapy was applied to correct hypokalemia. 3. Results and Conclusions In this case, through Herb-medication, most symptoms were improved except dry mouth, Bur hypokalemia was not corrected, and primary aldosteronism was suspected on the basis of the blood results and symptoms.
바이어스 스트레스에 의한 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 열화 현상
이승윤,유병곤,Lee, Seung-Yun,Yu, Byoung-Gon 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.4
바이어스 스트레스 인가 후에 발생하는 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터(SiGe HBT)의 열화현상을 고찰하였다. SiGe HBT가 바이어스 스트레스에 일정 시간 노출되면 소자 내부의 변화에 의하여 소자 파라미터가 원래 값으로부터 벗어나게 된다. 에미터-베이스 접합에 역방향 바이어스 스트레스가 걸리면 전기장에 의해 가속된 캐리어가 재결합 중심을 생성하여 베이스 전류가 증가하고 전류이득이 감소한다. $140^{\circ}C$ 이상의 온도에서 높은 에미터 전류를 흘려주는 순방향 바이어스 전류 스트레스가 가해지면 Auger recombination이나 avalancHe multiplication에 의해 형성된 핫 캐리어가 전류이득의 변동을 유발한다. 높은 에미터 전류와 콜렉터-베이스 전압이 동시에 인가되는 mixed-mode 스트레스가 가해지면 에미터-베이스 역방향 바이어스 스트레스의 경우와 마찬가지로 베이스 전류가 증가한다. 그러나 miked-mode 스트레스 인가 후에는 inverse mode Gummel 곡선에서 베이스 전류 증가가 관찰되고 perimeter-to-area(P/A) 비가 작은 소자가 심각하게 열화되는 등 에미터-베이스 역방향 바이어스 스트레스와는 근본적으로 다른 신뢰성 저하 양상이 나타난다. The degradation phenomena in SiGe hetero-junction bipolar transistors(SiGe HBTs) induced by bias stress are investigated in this review. If SiGe HBTs are stressed over a specific time interval, the device parameters deviate from their nominal values due to the internal changes in the devices. Reverse-bias stress on emitter-base(EB) junctions causes base current increase and current gain decrease because carriers accelerated by the electrical field generate recombination centers. When forward-bias current stress is conducted at an ambient temperature above $140^{\circ}C$ , hot carriers produced by Auger recombination or avalanche multiplication induce current gain fluctuation. Mixed-mode stressing, where high emitter current and high collector-base voltage are simultaneously applied to the device, provokes base current rise as EB reverse-bias stressing does.
이승윤,Lee, Seung-Yun 한국정보통신기술협회 2006 TTA저널 Vol.105 No.-
1989년에 월드와이드웹(WWW)이 처음 만들어진 이후로 웹 기술은 인터넷 발전의 중추적인 역할을 해오고 있으며, 1998년에 XML(eXtensible Markup Language)기술이 개발되면서 이를 기반으로 웹서비스(Web Services), 시맨틱 웹, 유비쿼터스 웹 기술 등 다양한 차세대 웹 기술 발전이 이루어지고 있다. 이제 웹 기술은 기존 컴퓨팅 환경을 넘어서 다양한 단말 환경에서의 유비쿼터스 응용 표준으로 발전되고 있으며, 최근 들어 웹 2.0이 등장하면서 사용자 중심의 컴퓨팅 환경으로의 발전과 더불어 새로운 가치 창조 방식을 창출하면서 웹은 제2의 중흥기를 맞이하고 있다. 그리고이러한 차세대 웹 기술은 다양한 네트워크와 단말 서비스를 자연스럽게 융 · 통합시킬 수 있는 소프트웨어의 중요한 인프라 기술로서 그 중요성이 어느 때 보다 강조되고 있다고 할 수 있다.
이승윤,반덕진,배효상,박성식,Lee, Seung-Yun,Ban, Duk-Jin,Bae, Hyo-Sang,Park, Seong-Sik 사상체질의학회 2009 사상체질의학회지 Vol.21 No.3
1. Objective: This study is about a Soyangin patient with vertigo after subarachnoid hemorrhage. In this study, we report the effects of Sasang constitutional treatment to this patient. 2. Methods: This patient was treated by Soyangin's constitutional medications and acupunture according to the result of Sasang constitutional diagnosis. 3. Results and Conclusions: This patient's chief complaints were vertigo and gait disturbance. By using Yangkyuksanhwa-tang mainly, she showed positive response about her symptom. This study shows that Yangkyuksanhwa-tang has effect to vertigo in Soyangin.
상변화 메모리 소자 동작 특성에 미치는 열처리 온도 효과
이승윤,박영삼,Lee, Seung-Yun,Park, Young-Sam 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.2
상변화 메모리 소자 제작 공정의 단위 스텝인 최종 열처리의 온도가 상변화 메모리 소자 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) 박막을 활성 물질로 하는 기공(pore) 구조의 단위 상변화 메모리 소자를 제작하고, $160^{\circ}C$에서 $300^{\circ}C$까지의 온도 범위에서 최종 열처리를 실시하였다. 상변화 메모리 소자의 SET 저항에서 RESET 저항으로의 셀 저항 변화 양상은 최종 열처리 온도에 따라 큰 차이를 나타내었다. 정상적인 상변화 메모리 동작 특성을 얻을 수 있는 임계 열처리 온도가 존재하며, 열처리 온도가 그 온도에 비해 상대적으로 높거나 낮은 경우에는 소자가 오동작하거나 불안정하게 동작하는 것을 확인하였다. 이러한 열처리 온도의 효과는 열에너지에 따른 상부전극-GST 박막-발열층 다층 구조의 열적 안정성과 밀접한 관련이 있는 것으로 보인다. The effect of process temperature of a final annealing step in the fabrication of phase change memory (PCM) devices was investigated. Discrete PCM devices employing $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) films as an active element were made in a pore-style configuration, and they were annealed at various temperatures ranging from 160 to $300^{\circ}C$. The behaviors of cell resistance change from SET resistance to RESET resistance were totally different according to the annealing temperatures. There was a critical annealing temperature for the fabrication of normal PCM devices and abnormal operations were observed in some devices annealed at temperatures lower or higher than the critical temperature. Those influences of annealing temperature seem closely related to the thermal stability of a top electrode/GST/heating layer multilayer structure in the PCM devices.