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도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막의 전계방출기구 조사
심재엽(Jae Yeob Shim),지응준(Eung Joon Chi),송기문(Kie Moon Song),백홍구(Hong Koo Baik) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
도핑되지 않은 다이아몬드 박막의 전계방출기구를 조사하기 위하여 양의 기판전압과 메탄농도를 변화시켜 구조적 특성이 다른 다이아몬드 박막을 제조하였다. 메탄농도와 양의 기판전압을 증가시킴에 따라 다이아몬드 박막내에 존재하는 비다이아몬드 성분은 증가하였다. 기판전압을 증가시킴에 따라 비다이아몬드 성분이 증가하는 것은 기판온도의 증가와 CH_n 라디칼(radical)의 과잉 생성때문이라고 생각된다. 도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막의 전계방출특성은 비다이아몬드 성분의 양이 증가함에 따라 현저하게 향상되었다. 비다이아몬드 성분이 적은 경우에는 다이아몬드 표면을 통하여 전자가 방출되며 비다이아몬드 성분이 많은 경우는 모서리 뿐만아니라 내부를 통하여 전자가 방출됨을 알 수 있었다. 본 연구로부터 비다이아몬드 성분의 양에 따른 두가지의 전계방출기구가 제시되었다. In order to investigate field emission mechanism of undoped polycrystalline diamond films, diamond films with different structural properties were deposited by varying positive substrate bias and/or CH₄ concentration. When increasing the CH₄ concentration and positive substrate bias voltage, nondiamond carbon content in diamond films increased. Increase of nondiamond carbon content with increasing substrate voltage is ascribed to increase of substrate and excess generation of CH_n radicals. Field emission properties of undoped polycrystalline diamond films were significantly enhanced with increasing nondiamond carbon content. For diamond films with a small amount of nondiamond carbon, electrons are emitted through diamond surface while for the films with a large amount of nondiamond carbon, electron emission occurs through diamond bulk as well as surface. From this study, depending on nondiamond carbon content two field emission mechanisms were suggested.
철근콘크리트 교량 교각의 손상상태에 따른 지진취약도 해석
전정문,신재관,심재엽,이도형,Jeon, Jeong Moon,Shin, Jae Kwan,Shim, Jae Yeob,Lee, Do Hyung 대한토목학회 2014 대한토목학회논문집 Vol.34 No.6
본 연구에서는 지진취약도 해석에 사용되는 손상상태에 따른 수평변위한계값을 구조물의 항복 및 극한변위에 따라 확률통계적으로 새롭게 제안하기 위하여 국내외에서 실험된 원형단면의 철근콘크리트 교각 총 275본(비내진 149본, 내진 126본)의 실험데이터를 조사하였고 각 상세에 따른 교각의 정량적인 손상상태를 평가하였다. 이후 제안된 수평변위한계값에 따른 실제 교량구조물에 대한 비선형 시간이력해석을 수행한 후 그 결과를 토대로 지진취약도 해석을 통해 기존의 제안된 수평변위한계값들과의 차이를 비교분석하였다. 비교분석 결과, 제안된 값에 의한 중앙값이 기존의 값에 의한 중앙값보다 작게 나타났다. 이는 기존의 수평변위한계값으로 지진취약도 해석시 구조물의 성능을 과다 평가할 수도 있음을 나타낸다. In the present study, a total of 275 tested specimens (149 of non-seismically designed and 126 of seismically designed) for reinforced concrete bridge piers with circular section have been investigated in order to suggest drift limits probabilistically according to damage states in seismic fragility analysis. Thus, quantitative damage states of the piers have been evaluated depending on details of the piers. Nonlinear time-history analyses have been conducted for a damaged bridge in terms of using the suggested drift limits. Then, seismic fragility analysis for a reinforced concrete bridge structure has been conducted using both suggested and existing drift limits. Comparative analyses have revealed that median values by the suggested limits is smaller than those by the existing limits. This implies that seismic performance of the structure can be overestimated when the existing limits are used.
홍주연,강동민,윤형섭,심재엽,이경호,Hong, J.Y.,Kang, D.M.,Yoon, H.S.,Shim, J.Y.,Lee, K.H. 한국전자통신연구원 2007 전자통신동향분석 Vol.22 No.5
전방감지용 밀리미터파 레이더는 밀리미터파를 이용하여 자동차 등에 부착하여 송신파와 수신파 사이의 도플러 주파수 편이를 이용하여 선행차량 또는 전방의 장애물과의 거리와 상대속도를 판별하는 장치로서 적응형 순항제어 시스템(adaptive cruise control system) 등에 이용되는 핵심 기술이다. 적응형 순항제어 시스템이란 레이더 센서를 통하여 전방 선행 차량, 장애물의 속도 및 거리를 측정하여 차량의 충돌 경고, 주행 상황에 따른 자동적인 감속 및 가속, 정속 등 안전주행을 가능하도록 하는 기술이다. 본 기술 동향 분석보고서는 전방감지용 레이더 센서에 관한 기술 동향을 살펴보기 위하여 미국, EU, 일본, 한국의 전방감지용 레이더 센서에 관한 특허를 1991년부터 2005년까지의 특허출원을 중심으로 연도별 추이와 국가별 특허출원 동향, 출원인별 특허출원 동향 등을 분석하여 전방감지용 레이더의 세계 기술 추이에 대하여 알아보았다.
이경호,홍주연,강동민,심재엽,윤형섭,김태완,강병용,Lee, K.H.,Hong, J.Y.,Kang, D.M.,Shim, J.Y.,Yoon, H.S.,Kim, T.W.,Kang, B.Y. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.6
지능형 순항 제어 시스템(Adaptive Cruise Control System)은 자동차가 정속을 기준으로 주행중 센서를 활용하여 감지하는 도로 상황에 대한 실시간 정보를 자동차의 전자제어부(ECU)로 연결하여 매 순간 안전상황을 확보하기 위한 조치를 자동으로 취한후 다시 정속 주행으로 복귀할 수 있도록 제어하는 차세대 첨단 자동차 주행용 안전 장치를 통칭하는 개념이다. 본 분석에서는 Global Industry Analysts의 보고 자료(2005.1.)를 바탕으로 시장 전망과 세계 업계의 개요를 소개하여 우리나라의 관련 기술에 대한 길잡이로 활용하고자 한다.
Co - Si계의 동시증착과 고상반응시 상전이 및 CoSi₂층의 저온정합성장
박상욱(S. W. Park),심재엽(J. Y. Shim),지응준(E. J. Chi),최정동(J. D. Choi),곽준섭(J. S. Kwak),백흥구(H. K. Baik) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
동시증착, 비정질 Co-Si 합금박막 및 Co/Si 다층박막의 열처리시 발생되는 상전이를 differential scanning calorimetry(DSC), X-선회절 (XRD) 분석에 의해 관찰하였다. 동시증착 및 비정질 Co-Si 합금박막의 열처리시 관찰된 상전이는 Co₂Si → CoSi → CoSi₂였으며, Co/Si 다층박막의 열처리시 관찰된 상전이는 Co와 Si의 원자조성비가 2 : 1, 1 : 2인 경우, 각각 CoSi → Co₂Si, CoSi → Co₂Si → CoSi → CoSi₂였다. 유효생성열에 의해 상전이를 고찰하였으며, 동시증착 및 합금박막과 다층박막에서의 초상(first crystalline phase) 생성의 차이를 규명하기 위하여 유효생성열과 구조적인자를 고려한 phase determining factor(PDF) 모델을 적용하였다. Multitarget bias cosputter deposition(MBCD)에 의한 CoSi₂층의 정합성장시 투과전자현미경(TEM)에 의해 기판 bias 전압, 증착온도에 따른 결정성 변화를 관찰한 결과 저온(200℃)에서 정합 CoSi₂ 층이 성장되었고, 저온정합성장 원인을 정량적으로 관찰하기 위해 E_(Ar), α(V_s)를 계산하였다. 기판 bias 전압 인가시 발생한 이온충돌에 의한 충돌연쇄혼합(collisional cascade mixing), in-situ cleaning, 핵생성처(nucleation site) 수의 증가로 인해 결정성, 상전이는 증착온도에 비해 기판 bias 전압에 더 큰 영향을 받았다. The phase sequence of codeposited Co-Si alloy and Co/Si multilayer thin film was investigated by differential scanning calorimetry(DSC) and X-ray diffraction (XRD) analysis. The phase sequence in codeposition and codeposited amorphous Co-Si alloy thin film was Co₂Si → CoSi → CoSi₂ and those in Co/Si multilayer thin film were CoSi → Co₂Si and CoSi → Co₂Si → CoSi → CoSi₂ with the atomic concentration ratio of Co to Si layer being 2 : 1 and 1 : 2 respectively. The observed phase sequence was analyzed by the effective heat of formation. The phase determining factor (PDF) considering structural factor in addition to the effective heat of formation was used to explain the difference in the first crystalline phase between codeposition, codeposited amorphous Co-Si alloy thin film and Co/Si multilayer thin film. The crystallinity of Co-silicide deposited by multitarget bias cosputter deposition (MBCD) was investigated as a function of deposition temperature and substrate bias voltage by transmission electron microscopy (TEM) and epitaxial CoSi₂ layer was grown at 200℃. Parameters, E_(Ar) α(V_s), were calculated to quantitatively explain the low temperature epitaxial grpwth of CoSi₂ layer. The phase sequence and crystallinity had a stronger dependence on the substrate bias voltage than on the deposition temperature due to the collisional cascade mixing, in-situ cleaning, and increase in the number of nucleation sites by ion bombardment of growing surface.