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박인성 전주대학교 기독교연구원 1996 복음과 학문 Vol.- No.3
중세기는 신앙과 이성을 조화시키려고 하였으나 그 이후 신앙의 순수성을 유지하기 위해서는 신앙을 이성으로부터 분리시켜야 한다는 움직임이 일어나게 되었다. 그리하여 보수적인 전통적 기독교인들에게서 토마스는 그가 너무나 이성의 합리성을 강조함으로 말미암아 소박한 신앙을 해치는 위험한 사람으로 여겨졌다. 특히 종교개혁을 일으킨 마틴루터는 자신이 스콜라철학을 많이 공부했을지라도 스콜라 철학은 소박하고 단순한 신앙을 해치고 결과적으로 기독교 자체를 파괴시킬 위험이 있다고 생각하게 되었다. 이처럼 원래는 신앙의 순수성을 확립하기 위해서 신앙과 이성의 분리가 수행된 것이지만, 그러나 이후 근대철학에 있어서는 그 강조점이 이성쪽으로 바뀌게 되었다. 말하자면 근대철학자들에 의한 신앙과 이성의 분리는 이성이 자기충족적이며 완결되어 있다는 것이다. 그리하여 근대철학의 특징은 인식에 있어서 절대적인 확실성의 탐구이었다. 이것은 바로 인간이성이 절대적으로 확실한 인식에 도달할 수 있다는 것이 전제되었던 것이다. 물론 근대 철학자들 사이에도 신앙과 이성의 관계가 똑같지는 않다. 예컨대 록크의 경우에는 신앙의 월권에 대해서 이성의 영역을 수호하는데 있다고 할 수 있고, 한편 칸트의 경우에는 지식의 월권으로부터 신앙을 보고하고 신앙을 위한 여지를 남겨놓고 있다. 이처럼 강조점은 다르지만 근대철학자에 있어서 신앙과 이성의 분리는 이성이 신앙에서 분리되어 자기고유의 탐구영역을 갖고 있고, 이 영역에 있어서는 완벽한 탐구능력임이 전제된 것이다.
박인성 통일연구원 2002 統一 政策 硏究 Vol.11 No.1
중국 경제특구는 이후 개혁개방정책 추진에 따른 구체적 시책 및 제도의 공간적, 사회적 실험장으로서 그 효과를 전국으로 확산시켜 나가는 역할을 수행하고 있다. 이같은 실험을 통하여 검증된 개혁개방정책과 시책들이 중국 전국으로 확대적용되면서 지령성 계획경제체제에서 사회주의시장경제체제로의 이행기에 있는 중국의 경제발전과 경제체제 개혁을 선도하고 있다.이러한 중국 경제특구의 역할은 우리에게 북한 경제특구와 대북한 정책과 관련하여 매우 중요한 시사점을 제공해 준다. 북한도 중국에 이어 합영법 제정과 나진선봉 자유경제무역지대를 설치하는 등 외자유치와 특구 개발을 위하여 나름대로 노력해 왔으나 그 성과는 중국 경제특구와는 비교할 수 없을 정도로 상대적으로 저조하다. 이는 북한의 대내 경제개혁과 대외개방에 대한 의지와 태도가 중국에 비해 방어적이고 소극적이기 때문이라 판단된다. 이같은 북한의 태도는 아직까지 중국의 1978년 11기 3중전회의 개혁개방 선언 같은 대 결단이 없다는 점에서 기인한다고 할 수 있다. 이러한 측면에서 볼 때, 중국의 경제특구 설치 및 개발운영 경험에 대한 올바른 이해는 북한 경제특구의 성공적 추진을 위해 요구되는 전제조건 및 초기단계의 환경 조성과 향후 개발 및 운영에 유익한 함의를 도출하기 위한 기초가 된다고 할 수 있다.이 글은 이같은 맥락 속에서 중국의 경제특구중 그 규모와 운영성과 면에서 대표적 사례라 할 수 있는 광동성 션젼경제특구와 타이완과의 관계를 고려하여 설치, 운영중인 푸젠성 샤먼경제특구를 대상으로 특구 설치 배경과 건설 및 운영경험, 그리고 북한 특구에 대한 주요 함의를 고찰, 분석하였다.
이원계 $SiO_2$ 와 $TiO_2$ 박막의 저항 변화 특성
박인성,김경래,안진호,Park In-Sung,Kim Kyong-Rae,Ahn Jin-Ho 한국마이크로전자및패키징학회 2006 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.13 No.2
이원계 산화막인 비정질 $SiO_2$와 다결정 $TiO_2$의 저항 변화 특성을 연구하였다. Metal-Insulator-Metal의 저항 소자를 형성하여 전압 sweep에 의한 I-V를 측정하여 저항 상태를 확인하였다. 즉, 낮은 저항 상태 (LRS) 와 높은 저항 상태 (HRS) 의 두 가지 저항 상태가 존재하였으며, LRS는 전압에 의한 절연체의 불완전한 breakdown 후에, HRS는 전압에 의한 negative differential resistance 후에 각각 나타났다. LRS의 경우에는 Ohmic 전도 mechanism에 의해서, HRS의 경우에는 Schottky contact에 의한 potential barrier의 생성이 저항 상태를 결정한다고 제안하였다. 즉, potential barrier의 생성과 소멸이 두 저항 상태를 형성한다고 할 수 있다. 유전율이 높은 $TiO_2$가 $SiO_2$에 비하여, 낮은 동작 특성 전압을 나타내었으며, 1 V에서의 저항비도 높았다. The resistance switching characteristics of amorphous $SiO_2$ and poly-crystalline $TiO_2$ were investigated. Both films exhibit well defined switching characteristics with low and high resistance states. From I-V curve analyses, it was found that the low resistance states of both films obey an ohmic conduction mechanism and the high resistance states show generation of a Schottky potential barrier. Regarding the mechanism for resistance switching of the binary oxide, it is suggested that the generation and annihilation of potential barriers accounts for the changes to the high resistance state and low resistance state, respectively. The device operation characteristic parameters such as reset and set voltages of $TiO_2$ are distinctly smaller than those of $SiO_2$, indicating that the values are related to the dielectric constant.