Leuconostoc mesenteroides 유래 Plasmid 특성 및 벡터 개발

박우정,이형재,정하열 한국유산균·프로바이오틱스학회 2014 Current Topic in Lactic Acid Bacteria and Probioti Vol.2 No.2

Helicon Wave Plasma에 의해 식각된 단결정 LiNbO₃의 표면 형상 및 특성

박우정,양우석,이한영,윤대호 한국세라믹학회 2003 한국세라믹학회지 Vol.40 No.9

단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10~30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다. The etching characteristics of a LiNbO$_3$ single crystal have been investigated using helicon wave plasma source with bias power and the mixture of CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas parameters. The etching rate of LiNbO$_3$ with etching parameters was evaluated by surface profiler. The etching surface was evaluated by Atomic Force Microscopy (AFM). The surface morphology of the etched LiNbO$_3$ changed with bias power and the mixture of CF$_4$/Ar/Cl$_2$, HBr/Ar/Cl$_2$, and SF$_{6}$/Ar/Cl$_2$ parameters. Optimum etching conditions, considering both the surface flatness and etch rate were determined.

광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO₃ 건식 식각 특성

박우정,양우석,이한영,윤대호,Park, Woo-Jung,Yang, Woo-Seok,Lee, Han-Young,Yoon, Dae-Ho 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.4

$LiNbO_{3}$ optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 As과 $C\_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 $C_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었다. The etching characteristics of a $LiNbO_{3}$ optical waveguide structure have been investigated using neutral loop discharge plasma with the mixture of $C_{3}F_{8}$ and Ar and the bias power parameters. The etching rate and profile angle of optical waveguide with etching parameters were evaluated by scanning electron microscopy. Also, the etching RMS roughness was evaluated by atomic force microscopy. From the results of optimum etching conditions are the $C_{3}F_{8}$ gas flow ratio of 0.2 and the bias power of 300 W.

광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO3 건식 식각 특성

박우정,윤대호,양우석,이한영 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.4

The etching characteristics of a LiNbO3 optical waveguide structure have been investigated using neutral loop discharge plasma with the mixture of C3F8 and Ar and the bias power parameters. The etching rate and profile angle of optical waveguide with etching parameters were evaluated by scanning electron microscopy. Also, the etching RMS roughness was evaluated by atomic force microscopy. From the results of optimum etching conditions are the C3F8 gas flow ratio of 0.2 and the bias power of 300 W. LiNbO3 optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 Ar과 C3F8 가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 C3F8 가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2 에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300 W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었다.

Helicon Wave Plasma에 의해 식각된 단결정 LiNbO3의 VYAUS GUDTKD ALC XMRTJD

박우정,양우석,이한영,윤대호 한국세라믹학회 2003 한국세라믹학회지 Vol.40 No.9

The etching characteristics of a LiNbO3 single crystal have been investigated using helicon wave plasma source with bias power and the mixture of CF4, HBr and SF6 parameters. The etching rate of LiNbO3 with etching parameters was evaluated by surface profiler. The etching surface was evaluated by atomic force microscopy (AFM). The surface morphology of the etched LiNbO3 changed with bias power and the mixture of CF4/Ar/Cl2, HBr/Ar/Cl2 and SF6/Ar/Cl2 parameters. Optimum etching conditions, considering both the surface flatness and etch rate were determined. 단결정 LINbO3를 Helicon wave plasama 방법으로 식각시 bias power와 CF4, HBr, SF6가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 Rms roughness값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 Rms roughness값은 atomic force microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500 W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었으며, CF4, HBr, SF6 gas 유량을 각각 10 ~ 30 sccm 으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF4, HBr, SF6 gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, Rms roughness값은 CF4, HBr, SF6 gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.

HDP를 이용한 실리콘 단결정 Deep Dry Etching에 관한 특성

박우정,김장현,김용탁,백형기,서수정,윤대호 한국세라믹학회 2002 한국세라믹학회지 Vol.39 No.6

현재 전기 . 전자 기술의 추세는 소형화를 비롯하여 집적화, 저전력화, 저가격화의 장점을 가진 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) device의 개발에 주력하고 있으며, 이를 위해서는 고종횡비와 높은 식각 속도를 가진 HDP(High Density Plasma) etching 기술 개발이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위하여 우리는 Inductively Coupled Plasma(ICP) 장비를 이용하여 각 공정 변수에 의한 실리콘 deep trench식각 반응을 연구하였다. 실험 공정 변수인 platen power, etch/passivation cycle time에서 etching 단계 시간에 따른 변화와 SF$_{6}$:C$_4$F$_{8}$ 가스유량을 변화시켜 연구하였으며 또한 이들의 profile, scallops, 식각 속도, 균일도, 선택비도 관찰하였다. The present tendency of electrical and electronics is concentrated on MEMS devices for advantage of miniaturization, intergration, low electric power and low cost. Therefore it is essential that high aspect ratio and high etch rate by HDP technology development, so that silicon deep trench etching reactions was studied by ICP equipment. Deep trench etching of silicon was investigated as function of platen power, etch step time of etch/passivation cycle time and SF$\_$6/:C$_4$F$\_$8/ flow rate. Their effects on etch profile, scallops, etch rate, uniformity and selectivity were also studied.

국내 결핵 환자의 공간적 분포 및 관리방안

박우정,나유경,최진무 국토지리학회 2015 국토지리학회지 Vol.49 No.3

The main purpose of this study is to suggest the TB(tuberculosis) management plan considering TB patient’s spatial distribution and their life patterns. The number of TB patients in the year book of TB patients from 2009 to 2014 is used for the analysis. TB patients are clustered in Seoul, Gyeonggi, Kyungbuk and Chungnam Area, and the results of Moran’s I test and statistical hypothesis test show statistical significance of the result clusters. Based on the results, the spatial distribution of TB patients has a significant differences according to the ages of them. Patients of 20~30s are high in 9 provinces including Gyonggi and patients of 70~80s are high in 6 provinces including Kyungbuk. Finally, this study suggests TB management plan based on local population characteristics. 본 연구는 결핵환자의 공간적 분포와 생활패턴을 고려하여 결핵 예방 및 관리방안을 제안하고자 한다. 분석 자료는 2009년부터 2014년까지의 결핵환자신고현황연보의 결핵 환자수를 이용하였다. 결핵 환자의 공간적 분포를 살펴본 결과, 서울과 경기, 경북, 충남 지역을 중심으로 집중되어 있으며, Moran’s I와 가설검정을 통해 결핵환자의 공간적 군집이 유의함을 확인하였다. 이를 기반으로 결핵환자의 시도별, 연령별 추이를 분석하여 연령별 결핵환자의 분포 지역에 차이가 있음을 밝혔다. 분석 결과, 20~30대 환자가 집중된 지역(경기 외 9개 지역)과 70~80대 환자가 집중된 지역(경북 외 6개 지역)으로 구분되었다. 분석 결과를 종합하여 지역별로 우선해야 할 결핵 관리방안을 제안하였다.

$SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 적색 형광체의 플럭스와 Mn 농도에 따른 영향 및 발광특성

박우정,정몽권,문지욱,윤대호,Park, W.J.,Jung, M.K.,Moon, J.W.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.4

The red emission properties of $Mn^{4+}$ doped $SrAl_{12}O_{19}$ prepared by the solid-state reaction was investigated, in order to verify its potential to act as the red emitting phosphor of white LEDs. The emission spectrum exhibits a narrow band between $600{\sim}700 nm $ with four sharp peaks occurring at about 643, 656, 666, 671 nm due to the $^2E\to^4A_2$ transition of $Mn^{4+}$. The excitation spectrum exhibits a broad band between $200{\sim}500 nm$ with three peaks occurring at about 338, 398 and 468 nm, respectively. Moreover, the relative emission intensity of $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ with or without $CaF_2$ and MgO fluxes measured at excitation source 390 nm. The relative emission intensity of $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ containing 0.67mol% MgO was approximately 30% higher than that of the base composition sample. Strontium hexa-aluminate measured at room temperature as a function of the substituted Mg concentration. MgO was added to replace part of the $Al_2O_3$. Also, the relative emission intensity of $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ containing 0.67 mol% MgO and 0.67 mol% $CaF_2$ was approximately about 48% higher than that of the base composition $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$. 본 연구에서는 장파장 UV 영역하에서 비교적 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상법으로 합성하여 발광특성을 관찰하였다. $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 적색 형광체의 발광강도는 $Mn^{4+}$의 $^2E\to^4A_2$ 천이 때문에 643, 656, 666, 671 nm에서 4개의 sharp한 peak이 $600{\sim}700 nm $의 영역에서 발생하였으며, 여기 스펙트럼은 $250{\sim}550 nm$ 넓은 영역에서 338, 398, 468nm 3개의 peak이 발생하였다. 또한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$에 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 상대적인 발광강도는 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 보다 약 30% 정도 증가하였는데, 이러한 원인은 MgO가 첨가되어 $Al_2O_3$ 부분에 대체되어진 것으로 사료된다. 또한, 발광강도를 향상시키기 위하여 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 시료에 $CaF_2$를 첨가하였다. 0.67mol% $CaF_2$와 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 656nm에서의 상대적인 발광강도는 융제를 첨가하지 않은 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$보다 약 48% 이상 증가하였다.

애니메이션 더빙이 발달지체장애인의 소통 능력에 미치는 영향

박우정 한국감성과학회 2023 춘계학술대회 Vol.2023 No.-

부산 「한국역사교실」에 참여한 뒤

박우정 한국역사연구회 1992 한국역사연구회회보 Vol.- No.13