http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력FET의 선형성 증가
金友石,정윤하,金相燮 대한전자공학회 2002 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.39 No.1
To increase the device linearities and the breakdown-voltages of FETs, Al0.25Ga0.75As/In0.25 Ga0.75As/Al0.25Ga0.75As partially doped channel FET(DCFET) structures are proposed. The metal- insulator-semiconductor(MIS) like structures show the high gate-drain breakdown voltage(-20 V) and high linearities. We propose a partially doped channel structure to enhance the device linearity to the homogeneously doped channel structure. The physics of partially doped channel structure is investigated with 2D device simulation. The devices showed the small ripple of the current cut-off frequency and the power cut-off frequency over the wide bias range. HFET 소자의 선형성과 게이트-트레인 항복특성을 향상시키기 위해 부분채널 도핑된 Al0.25Ga0.75As/ In0.25 Ga0.75As/Al0.25Ga0.75As 이종접합 구조를 갖는 FET를 제안하였다. 제안된 HFET는 게이트 전극 아래로 도핑되지 않은 AlGaAs 진성공급층을 두어 -20V 의 높은 항복전압을 얻었다. 또한 소자의 InGaAs 채널에 부분 도핑을 실시하여, 균일 채널 도핑을 실시한 경우보다 향상된 선형성을 유도하였고, 2차원 전산모사 견과와 제작 및 측정결과를 통해 선형성의 향상을 확인하였다. 본 실험에서 제안된 HFET소자는 DC측정 결과와 고주파측정 결과 모두에서 기존의 FET소자들에 비해 향상된 선형성을 나타내었다.