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DSRC 송신기를 위한 능동발룬 내장형 5.8 GHz SiGe 상향믹서 설계 및 제작
이상흥,이자열,김상훈,배현철,강진영,김보우,Lee Sang heung,Lee Ja yol,Kim Sang hoon,Bae Hyun cheol,Kang Jin yeong,Kim Bo woo 한국통신학회 2005 韓國通信學會論文誌 Vol.30 No.4A
DSRC provides high speed radio link between Road Side Equipment and On-Board Equipment within the narrow communication area. In this paper, a 5.8 GHz up-conversion mixer for DSRC communication system was designed and fabricated using 0.8 m SiGe HBT process technology and IF/LO/RF matching circuits, IF/LO input balun circuits, and RP output balun circuit were all integrated on chip. The chip size of fabricated mixer was $2.7mm\times1.6mm$ and the measured performance was 3.5 dB conversion gain, -12.5 dBm output IP3, 42 dB LO to If isolation, 38 dB LO to RF isolation, current consumption of 29 mA for 3.0 V supply voltage. 근거리무선통신 (Dedicated Short Range Communication, DSRC)은 지능형교통시스템 서비스 제공을 위한 통신 수단으로, 수 미터에서 수백 미터인 근거리 영역의 노변장치(Road Side Equipment, RSE)와 차량탑재장치(On-Board Equipment, OBE)와의 양방향 고속통신을 수행하는 통신시스템이다. 본 논문에서는 SiGe HBT 공정을 이용하여 근거리무선통신 송신기용 5.8 GHz 상향믹서를 설계 및 제작하였다. 설계된 상향믹서는 믹서코어 회로와 더불어 IF/LO/RF 입출력 정합 회로, IF/LO 입력 발룬 회로와 RF 출력 발룬 회로가 단일칩으로 구현되었다. 제작된 상향믹서는 $2.7 mm\times1.6mm$의 크기를 가지며, 3.5 dB의 전력변환이득과 -12.5 dBm의 OIP3, 42 dB의 LO to E isolation, 38 dB의 LO to RF isolation, 3.0 V의 공급전압 하에서 29 mA의 전류소모로 측정되었다.
김민섭 ( Min-seop Kim ),강진영 ( Jin-yeong Kang ),조인휘 ( In-whee Joe ) 한국정보처리학회 2019 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.26 No.1
최근 여러 블록체인 플랫폼에서 잇따라 51% 공격에 대한 소식이 들려 옴에 따라 새로운 블록 체인의 필요성이 부각되고 있다. 그중 Hashgrapli 는 기존의 블록체인과 다르게 블록단위가 아닌 이벤트 즉, 블록에 기록되는 트랜잭션 그 자체로 체인이 구성되는 메커니즘을 가지고 있기 때문에 차세대 블록체인으로 대두되고 있다. 그러나 트랜잭션 단위로 Hash 또는 Hash 검증을 수행하기 때문에 연산 량이 기하급수적으로 늘어나며, 검증 또는 합의에 소요되는 시간이 상당하다. 본 논문에서는 이를 해소하기 위해 Verifiable Random Function 을 이용하여, Hash 에 대한 검증 절차와 연산 량을 감소하여 최종적으로 합의에 소요되는 시간을 단축하는 방법에 대해 제시한다.
절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작
이종람,윤광준,맹성재,이해권,김도진,강진영,이용탁,Lee, Jong-Ram,Yoon, Kwang-Joon,Maeng, Sung-Jae,Lee, Hae-Gwon,Kim, Do-Jin,Kang, Jin-Yeong,Lee, Yong-Tak 한국전자통신연구원 1991 전자통신 Vol.13 No.4
본 연구에서는 기상 성장법 (VPE : vapor phase epitaxy) 으로 성장된 $n^+(Si:2X10^18cm^-3)$/$n(Si:1x10^17cm^-3)$구조의 시편 위에 SiN 과 감광막 등 식각 선택비가 서로 다른 두 물질로 보호된 소스와 드레인 사이의 게이트 형성 영역을 건식식각과 습식식각방법으로 리세스 에칭을 하여 형성한 후, 게이트를 자기정렬하여 형성시킬 수 있는 이중 리세스공정 기술을 개발하였고, 이를 통하여 전력용 MESFET 소자를 제작하였다.게이트 형성부분의 wide recess 폭은 건식식각으로 SiN을 측면식각(lateral etch) 함으로써 조절하였는데, 이 방법을 사용하여 MESFET 소자의 임계전압을 조절할 수 있고, 동시에 소스-드레인 항복전압을 30V 까지 향상시킬 수 있었다. 소스-드레인 항복전압은 wide recess 폭이 증가함에 따라, 그리고 게이트 길이가 길어짐에 따라 증가하는 경향을 보여주었다. 이 방법으로 제작한 여러종류의 MESFET 중에서 게이트 길이가 $2\mum$이고 소스-게이트 간격이 $3 \mum$인 MESFET의 전기적 특성은 최대 트랜스컨덕턴스가 120 mS/mm, 게이트 전압이 0.8V 일 때 포화드레인전류가 170~190mA/mm로 나타났다. 제작된 MESFET이 ($NH_4$)$_2$$S_x$ 용액에 담금처리될때 , 공기중에 노출된 게이트-드레인 사이의 n-GaAs층의 표면이 유황으로 보호되어 공기노출에 의한 표면 재산화막의 형성이 억제되었기 때문으로 사료된다.
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
양전욱,심규환,최영규,조낙희,박철순,이경호,이진희,조경익,강진영,이용탁,Yang, Jeon-Uk,Shim, Kyu-Hwan,Choi, Young-Kyu,Cho, Lack-Hie,Park, Chul-Soon,Lee, Keong-Ho,Lee, Jin-Hee,Cho, Kyoung-Ik,Kang, Jin-Yeong,Lee, Yong-Tak 한국전자통신연구원 1991 전자통신 Vol.13 No.4
저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1\mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트 MESFET 은 2" 기판 내에서 84mV의 임계전압 변화를 나타내었다.