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Cylindrical Magnetron을 사용한 실리콘의 반응성 이온 건식식각의 특성에 관한 연구
염근영,Yeom, Geun-Yeong 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.4
Helmholz구성을 가진 두개의 전자석에 의해 작동되는 RF cylindrical magnetron을 사용하여 이의 플리즈마 성질을 가한 자장의 함수로 조사하고, 또한 $CHF_3$와 $CF_4/H_2$를 3mTorr의 낮은 압력하에서 사용하여 실리콘의 반응성 이온 건식식각 특성을 조사하였다. 또한 여러 자장의 크기 및 개스 분위기하에서 식각한 실리콘으로 제조한 Schottky다이오드의 전류-전압 특성으로 식각으로 인한 실리콘의 손상정도를 측정하였다. Cylindrical magnetron에 가한 자장을 증가시킴에 따라 플라즈마내이온밀도 및 분해될 개스밀도(radical density)가 직선적으로 증가하였으며 시편이 위치한 전극에 유도되는 직류 자기 바이아스 전압(dc self-bais voltage)은, 반면, 지수적인 감소를 하였다. 100Gauss부근의 자장을 가한 경우에 최대의 식각속도를 갖고 이때의 실리콘의 식각속도가 자장을 가하지 않은 경우에 비해서 5배정도로 증가하였으며, 전지적인 특성 역시 습식방법을 사용하여 식각한 실리콘에 가까운 정도의 이온 손상이 없느 식각상태를 얻을 수 있었다. Using a RF cylindrical magnetron operated with two electromagnets having a Helmholz configuration, RF magnetron plasma properties and characteristics of reactive ion ething of Si were investigated as a function of applied magnetic field strengths using 3mTorr $CF_4/H_2$ and $CHF_3$. Also, I-V characteristics of Schottky diodes, which were made of silicons etched under different applied magnetic field strengths and gas environments, were measured to investigate the degree of radiation damage during the reactive ion etching. As the magnetic field strent;th increased, ion densities and radical densities of the plasmas were increased linearly, however, the dc self-bias voltages induced on the powered electrode, where the specimen are located, were decreased exponentially. Maximum etch rates, which were 5 times faster than that etched without applied magnetic filed, were obtained using near lOOGauss, and, under these conditions, little or no radiation damages on the etched silicons were found.
권춘근(Gwon, Chun-Geun),이시영(Lee, Si-Yeong),염찬호(Yeom, Chan-Ho),박흥석(Park, Heung-Seok) 한국화재소방학회 2013 한국화재소방학회 학술대회 논문집 Vol.2013 No.추계
본 연구는 2013년 3월 9일부터 3월 10일 동안 79ha의 산림피해와 110동의 시설물 피해를 준 포항산불에 대하여 산림 내 시설물들의 산불피해 특성분석을 위하여 현장조사를 실시하였다. 조사대상물은 전소피해를 입은 주택 10개소, 창고 1개소 등 총 11개소에 대하여 2013년 3월부터 5월까지 현지조사를 실시하였다. 조사항목은 시설물주변의 지형적 특성, 임상 및 이격거리, 수관화발생여부, 시설물의 재질 등 총 5개 항목에 대하여 피해특성을 분석하였으며, 전소지역의 피해 특성은 지형의 경우 골짜기막장형 지형, 주변임상은 침엽수, 임분밀도는 중임분, 산림과의 평균 이격거리는 3.1m, 산불의 종류는 수관화 발생지역 이었으며, 시설물의 재질은 슬레이트, 조립식 판넬인 것으로 조사되었다.
다결정 CdTe 박막의 열처리에 따른 물성 변화에 관한 연구
김현수,염근영,신성호,박정일,박광자,Kim, Hyeon-Su,Yeom, Geun-Yeong,Sin, Seong-Ho,Park, Jeong-Il,Park, Gwang-Ja 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.4
본 논문에서는 전자빔증착법에 의해 제조된 다결정 CdTe 박막의 구조적, 광학적 특성을 연구하였으며 특히 기판온도와 증착후 열처리에 따른 박막의 결정성변화를 관찰하고 그 결과를 고찰하였다. ITO와 유리위에 25~16$0^{\circ}C$의 기판온도로 증착된 CdTe 박막의 결정구조는 zinc blende 구조를 보이고 <111> 방향으로의 우선 성장방향을 나타내었다. 증착후 열처리를 함에 따라 결정립이 성장하고 정량적 CdTe로 접근하고 상온에서 band gap 이 단결정의 값인 1.5eV에 가까운 에너지로 천이하며 결정성이 향상됨을 관찰할 수 있었다. 이러한 열처리에 의한 결정성 향상은 PL과 XRD를 통하여 분석한 결과 재료내 존재하는 과잉 Te가 열처리시 증발함에 따라 격자내 응력이 감소함과 관련이 있음을 알 수 있었다.
실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구
원대희,이주훈,김지형,염근영,이주욱,이정용,Won, Dae-Hui,Lee, Ju-Hun,Kim, Ji-Hyeong,Yeom, Geun-Yeong,Lee, Ju-Uk,Lee, Jeong-Yong 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.5
차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 20$0^{\circ}C$-110$0^{\circ}C$ 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 110$0^{\circ}C$ 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.
당뇨병 환자에서 관상동맥 우회술과 관상동맥 스텐트 시술 후 장기 임상 결과
심두선 ( Sim Du Seon ),정명호 ( Jeong Myeong Ho ),김원 ( Kim Won ),류제영 ( Lyu Je Yeong ),염주협 ( Yeom Ju Hyeob ),김주한 ( Kim Ju Han ),안영근 ( An Yeong Geun ),조정관 ( Jo Jeong Gwan ),박종춘 ( Park Jong Chun ),안병희 ( An Bye 대한내과학회 2003 대한내과학회지 Vol.65 No.2
목적 : 당뇨병은 PCI 후 재협착의 주요 위험인자이며 다혈관 질환이 동반된 경우 CABG가 권장되어 왔으나 최근 스텐트 시술의 도입 및 중재술의 발전으로 이들 재관류술의 결과에 대한 재고를 하기에 이르렀다. 당뇨병 환자에서 관상동맥 스텐트 시술과 CABG 시행 후 장기 임상 경과를 비교하고자 하였다. 방법 : 1998년 3월부터 1999년 2월까지 당뇨병 환자로서 스텐트 시술을 시행 받은 122예(I군, 남자 84예, 평균연령 60±8세)와 CABG를 Background : Diabetes is a major risk factor for restenosis after percuataneous coronary intervention (PCI) and coronary artery bypass surgery (CABG) has been considered desirable in diabetics with multivessel disease. However, recent developments in devi
$\textrm{Cl}_{2}/\textrm{H}_{2}$ 플라즈마 조건이 n-GaN 식각 특성 및 저저항 접촉 형성에 미치는 영향
김현수,이용혁,이재원,김태일,염근영,Kim, Hyeon-Su,Lee, Yong-Hyeok,Lee, Jae-Won,Kim, Tae-Il,Yeom, Geun-Yeong 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.5
In this study, n-GaN samples were etched using planar inductively coupled $Cl_2$/$H_2$plasmas and the effects of plasma conditions on the etch properties, surface composition, and ohmic contact formation were investigated as a function of gas combination. As the addition of hydrogen to the $Cl_2$plasma increased to 100%, GaN etch rates decreased due to the reduction of chlorine radical density. Even though the variation of the surface composition is limited under $50\AA$, the surface composition was also changed from Ga-rich to N-rich with the increased addition of hydrogen to $Cl_2$. Etch products by the reaction between Ga in GaN and Cl in $Cl_2$ plasma were investigated using OES analysis during the GaN etching. The value of specific resistivity of the contact formed on the n-GaN etched using 100% $Cl_2$plasma was 3.1$\times$10\ulcorner$\Omega$$\textrm{cm}^2$, and which was lower than that formed on the non-etched n-GaN. However, the resistively was increased with the increased hydrogen percent in $Cl_2$/$H_2$.
남욱준,김현수,윤종구,염근영,Nam, Uk-Jun,Kim, Hyeon-Su,Yun, Jong-Gu,Yeom, Geun-Yeong 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.9
자화된 유도결합형 C4F8 플라즈마로 SiO2를 건식식각시 실리콘 표면에 발생하는 손상과 오염에 대하여 연구하였다. 오염의 분석을 위해서 XPS, SIMS, TEM을 사용하였으며, 손상정도를 측정하기 위해서 HRTEM과 Schottky-diode 구성을 통한 I-V특성 측정을 사용하였다. 유도 결합형 C4F8 플라스마에 0에서 18Gauss까지의 자장이 가해짐에 따라서 실리콘 표면에 생기는 잔류막의 두께가 SiO2식각속도와 선택비의 증가와 함께 증가하였으며, XPS를 통하여 그 조성이 fluorine-rich에서 carbon-rich 한 상태로 변화함을 알 수 있었다. 자장을 가하지 않는 상태에서는 표면에서 $40\AA$부근까지 고밀도의 손상층이 관찰되었으나, 자장을 가함에 따라서 노출된 손상층의 깊이는 깊어지나 그 밀도는 줄어들음을 HRTEM을 통하여 관찰 할 수 있었다. Schottky-diode를 통한 I-V특성곡선의 분석으로 자장이 증가함에 따라서 전기적인 손상이 감소함을 알 수 있었다.
Jeon, Min Hwan,Youn, Ji Youn,Yang, Kyung Chae,Yun, Deok Hyun,Lee, Du Yeong,Shim, Tae Hun,Park, Jea Gun,Yeom, Geun Young American Scientific Publishers 2014 Journal of Nanoscience and Nanotechnology Vol.14 No.12
<P>The etch characteristics of magnetic tunneling junction (MTJ) related materials such as CoFeB, MgO, FePt, Ru, and W as hard mask have been investigated as functions of rf pulse biasing, substrate heating, and CH4/N2O gas combination in an inductively coupled plasma system. When CH4/N2O gas ratio was varied, at CH4/N2O gas ratio of 2:1, not only the highest etch rates but also the highest etch selectivity over W could be obtained. By increasing the substrate temperature, the linear increase of both the etch rates of MTJ materials and the etch selectivity over W could be obtained. The use of the rf pulse biasing improved the etch selectivity of the MTJ materials over hard mask such as W further. The surface roughness and residual thickness remaining on the etched surface of the CoFeB were also decreased by using rf pulse biasing and with the decrease of rf duty percentage. The improvement of etch characteristics by substrate heating and rf pulse biasing was possibly related to the formation of more stable and volatile etch compounds and the removal of chemically reacted compounds more easily on the etched CoFeB surface. Highly selective etching of MTJ materials over the hard mask could be obtained by using the rf pulse biasing of 30% of duty ratio and by increasing the substrate temperature to 200 degrees C in the CH4/N2O (2:1) plasmas.</P>
Effect of RF pulsing biasing on the etching of magnetic tunnel junction materials using CH3OH.
Jeon, Min Hwan,Yun, Deok Hyun,Yang, Kyung Chae,Youn, Ji Youm,Lee, Du Yeong,Shim, Tae Hun,Park, Jea Gun,Yeom, Geun Young American Scientific Publishers 2014 Journal of Nanoscience and Nanotechnology Vol.14 No.12
<P>The magnetic tunnel junction (MTJ)-related materials such as CoFeB, CoPt, MgO, and Ru, and W were etched using CH3OH in a pulse-biased inductively coupled plasma system and the effect of bias pulsing (100% 30% duty percentage) on the etch characteristics of the MTJ-related materials was investigated at the substrate temperature of 200 degrees C. The etch selectivity of MTJ-related materials over W was improved by using pulse-biasing possibly due to the formation of more stable and volatile etch products during the pulse-off time and the removal of the compounds more easily on the etched CoFeB surface during the pulse-on time. X-ray photoelectron spectroscopy also showed that the use of lower duty percentage decreases the residue thickness remaining on the etched MTJ materials indirectly indicated the higher volatility of the etch products by the bias pulsing. The etching of nano-patterned CoFeB masked with W also showed more anisotropic etch profile by pulse-biasing probably due to the increased the etch selectivity of CoFeB over W and the decreased redeposition of etch products on the sidewall of the CoFeB features. The most anisotropic CoFeB etch profiles could be observed by using CH3OH gas in the pulse biasing of 30% duty ratio.</P>