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HWE(Hot Wall Epitaxy)에 의한 CuGaSe₂/GaAs epilayer 성장과 광전기적 특성
홍광준,정준우,백형원,정경아,방진주,진윤미,김소형 조선대학교 기초과학연구소 2001 自然科學硏究 Vol.24 No.-
수평 전기로에서 CuGaSe₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 CuGaSe₂/GaAs epilayer를 반절연성 GaAs(100)기판 위에 성장하였다. CuGaSe₂/GaAs epilayer는 증발원의 온도를 610℃, 기판의 온도를 450℃로 하였다. CuGaSe₂/GaAs epilayer의 결정성의 조사에서 20K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 672.6nm(1.8432eV)에서 엑시톤 방출 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 138 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 4.87×10^(23) electron/m³, 1.29×10² m²/v-s 였다. CuGaSe₂/GaAs epilayer의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 20K에서 측정된 ΔCr(Crystal field splitting)은 약 0.09 eV ΔSo(spin orbit coupling)는 0.2498 eV였다. 20K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 자유 엑시톤 (free exciton)과 매우 강한 세기의 중성 받개(acceptor) 구속 엑시톤 (bound exciton)등의 피크가 관찰되었다. 이때 받개 구속 엑시톤 (bound exciton)의 반치폭과 결합에너지는 각각 8meV와 93.2meV 였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 466meV였다. The stochiometric mixture of evaporating materials for the CuGaSe₂/GaAs epilayer was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal CuGaSe₂, it was found tetragonal structure whose lattice constant a_(0) and c_(0) were 5.615 Å and 11.025 Å, respectively. To obtain the CuGaSe₂/GaAs epilayer, CuGaSe₂ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the Hot Wall Epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperature were 610 ℃ and 450 ℃ respectively. The crystalline structure of CuGaSe₂/GaAs epilayer was investigated by the double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by pizoelectric scattering in the temperature range 30 K to 150 K and by polar optical scattering in the temperature range 150 K to 293 K. From the photocurrent spectra by illumination of polarized light of the CuGaSe₂/GaAs epilaye. We have found that values of spin orbit coupling ΔSo and crystal field splitting ΔCr was 0.0900 eV and 0.2498 eV, respectively. From the photoluminescence measurement of CuGaSe₂/GaAs epilayer, we observed free excition(Ex) observable only in high quality crystal and neutral acceptor-bound exciton (A^(0); X) having very strong peak intensity. And, the full width at half maximum and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 93.2 meV, respectively. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 466 meV.
Hong, S.H.,Nam, H.K.,Kim, K.R.,Kim, S.W.,Oh, D.K. Elsevier Science Publishers 2014 Journal of biotechnology Vol.169 No.-
A recombinant aldo-keto reductase (AKR) from Marivirga tractuosa was purified with a specific activity of 0.32unitml<SUP>-1</SUP> for all-trans-retinal with a 72kDa dimer. The enzyme had substrate specificity for aldehydes but not for alcohols, carbonyls, or monosaccharides. The enzyme turnover was the highest for benzaldehyde (k<SUB>cat</SUB>=446min<SUP>-1</SUP>), whereas the affinity and catalytic efficiency were the highest for all-trans-retinal (K<SUB>m</SUB>=48μM, k<SUB>cat</SUB>/K<SUB>m</SUB>=427mM<SUP>-1</SUP>min<SUP>-1</SUP>) among the tested substrates. The optimal reaction conditions for the production of all-trans-retinol from all-trans-retinal by M. tractuosa AKR were pH 7.5, 30<SUP>o</SUP>C, 5% (v/v) methanol, 1% (w/v) hydroquinone, 10mM NADPH, 1710mgl<SUP>-1</SUP> all-trans-retinal, and 3unitml<SUP>-1</SUP> enzyme. Under these optimized conditions, the enzyme produced 1090mgml<SUP>-1</SUP> all-trans-retinol, with a conversion yield of 64% (w/w) and a volumetric productivity of 818mgl<SUP>-1</SUP>h<SUP>-1</SUP>. AKR from M. tractuosa showed no activity for all-trans-retinol using NADP<SUP>+</SUP> as a cofactor, whereas human AKR exhibited activity. When the cofactor-binding residues (Ala158, Lys212, and Gln270) of M. tractuosa AKR were changed to the corresponding residues of human AKR (Ser160, Pro212, and Glu272), the A158S and Q270E variants exhibited activity for all-trans-retinol. Thus, amino acids at positions 158 and 270 of M. tractuosa AKR are determinant residues of the activity for all-trans-retinol.
HWE(Hot Wall Epitaxy)에 의한 ZnIn_2S_4 박막 성장과 광전도 특성
홍광준,이관교,정준우,정경아,방진주,장현규,문종대,김혜숙 조선대학교 기초과학연구소 1999 自然科學硏究 Vol.22 No.1
HWE 방법에 의해 ZnIn_2S_4 박막을 Si(00) 기판 위에 성장시켰다. 증발원과 기판의 온도를 각각 610℃, 450℃로 하여 성장시킨 ZnIn_2S_4 박막의 이중 결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 245 arcsec로 가장 작았다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자농도의 1n n 대 1/T에서 구한 활성화에너지는 0.17eV로 측정되었다. Hall 이동도의 온도 의존성은 30K에서 100K까지는 불순물산란에 기인하고, 100K에서 293K까지는 격자산란에 기인한것으로 고찰되었다. 광전도셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용소비전력(MAPD), 광전류와 암전류(pc/dc)의 비 및 응답시간을 측정하였다. S 증기분위기에서 열처리한 광전도 셀의 경우, 감도(??)는 0.99, pc/dc은 1.37x10^7, 그리고 최대 허용소비전력(MAPD)은 336mW, 오름시간(rise time)은 9ms, 내림시간(decay time)은 9.8ms로 가장 좋은 광전도 특성을 얻었다. The ZnIn_2S_4 thin films were grown on the Si(100) wafers by a hot wall epitaxy method(HWE). The source and substrate temperature are 610℃ and 450℃ respectively. The crystalline structure of epilayers was investigated by double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on the sample was measured by the van der Pauw method and studied on the carrier density and mobility dependence on temperature. From Hall data, the mobility was increased in the temperature range 30K to 100K by impurity scattering and decreased in the temperature range 100K to 293K by the lattice scattering. In order to explore the applicability as a photoconductive cell, we measured the sensitivity(??), the ratio of photocurrent to darkcurrent(pc/dc), maximum allowable power dissipation(MAPD), spectral response and response time. The results indicated that the photoconductive characteristic were the best for the samples annealed in S vapor compare with in Zn, In, air and vacuum vapour. Then we obtained the sensitivity of 0.99, the value of pc/dc of 1.37x10^7, the MAPD of 336mW, and the rise and decay time of 9ms and 9.8ms, respectively.
차세대 리소그래피 빛샘 발생을 위한 플라스마 집속장치의 아르곤 아크 플라스마의 방출 스펙트럼 진단
홍영준,문민욱,이수범,오필용,송기백,홍병희,서윤호,이원주,신희명,최은하,Hong, Y.J.,Moon, M.W.,Lee, S.B.,Oh, P.Y.,Song, K.B.,Hong, B.H.,Seo, Y.H.,Yi, W.J.,Shin, H.M.,Choi, E.H. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.6
차세대 리소그래피 기술인 극자외선(EUV : Extreme Ultraviolet) 빛샘 연구의 기초단계로써, 동축타입의 전극구조가 설치된 다이오드 챔버를 통해 Ar 플라스마를 생성하였으며, 방출 분광기술(emission spectroscopy)를 이용하여 방출된 가시광선 영역의 빛을 조사하였다. 장치의 입력 전압을 0.5kV씩 변화를 주어 $2\sim3.5kV$까지 인가를 했으며 이극챔버의 최적 압력인 330mTorr 일 때 각 전압에 따른 방출 분광선 데이터를 얻었다. 이때 Ar I과 Ar II 방출선을 관측하였으며 국소적인 열적평형 (LTE ; Local Thermodynamic Equilibrium) 상태의 가정 하에 볼츠만 도표(Boltzmann plot)와 사하(Saha) 방정식을 이용해 Ar I 및 Ar II의 전자온도와 이온 밀도를 각각 계산하였다. 각 입력전압에 대해 이온밀도는 Ar I과 Ar II에서 각각 $\sim10^{15}/cc$ 및 $\sim10^{13}/cc$의 값으로 계산되었다. We have generated the argon plasma in the diode chamber based on the established coaxial electrode type and investigated the emitted visible light for emission spectroscopy. We applied various voltages $2\sim3.5kV$ to the device by 0.5kV, and obtained the emission spectrum data for the focused plasma in the diode chamber on the argon pressure of 330 mTorr. The Ar I and Ar II emission line are observed. The electron temperature and ion density have been measured by the Boltzmann plot and Saha equation from assumption of local thermodynamic equilibrium (LTE) The Ar I and Ar II ion densities have been calculated to be $\sim10^{15}/cc\;and\;~10^{13}/cc$, respectively, from Saha equation.