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한석용,김연희,김화택,Han, Seok-Yong,Kim, Yeon-Hui,Kim, Hwa-Taek 대한전자공학회 1982 전자공학회지 Vol.19 No.6
p·Si-전해질 접합을 전해질로 6N H2SO4, 6N H2SO4(Ti3+), 6N H2SO4(Ti4+), 6N H2SO4(Ti4+/Ti3+)을 사용하여 만들었다. 이들 전해질중 6N H2SO4(Ti4-/Ti3+)을 사용할 때 p·Si 광음극이 안정하게 동학하며 높은 광전 감도를 가지고 있었다. p·Si-electrolyte junction are prepared by using p·Si photocatode in four different electrolytes such as 6N H2SO4, 6N H2SO4(Ti3+), 6N H2SO4(Ti4+), 6N H2SO4(Ti4+/Ti3+) respectively. Among those electrolytes 6N H2SO4(Ti4-/Ti3+) shows very good results, in which p·Si photocathode is stable.
질소가스 분위기의 저진공으로 증착된 Au-black의 적외선 흡수도
오광식,김동진,김진섭,이정희,이용현,이재신,한석용,O, Gwang-Sik,Kim, Dong-Jin,Kim, Jin-Seop,Lee, Jeong-Hui,Lee, Yong-Hyeon,Lee, Jae-Sin,Han, Seok-Yong 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.2
장파장 적외선 흡수체로 응용하기 위한 Au-black을 질소가스 분위기의 저진공에서 Au를 증발원으로 하여 제조하였고, 증착조건에 따른 Au-black의 미세구조 분석, 적외선 흡수도 측정 및 패턴형성 실험을 통해 Au-black의 특성을 조사하였다. 단위면적당 질량이 약 600 $\mu\textrm{g}$/㎝/sup 2/이고, 챔버압력이 약 1 Torr이상인 증착조건으로 제조된 Au-black에서 적외선이 포획되는 높은 밀도의 미세공동이 존재하였고, 이 Au-black의 적외선 흡수도는 3∼14 $\mu\textrm{g}$의 파장범위에서 대체로 90%정도였다. 약 900 $\mu\textrm{g}$/cm/sup 2/이하의 단위면적당 질량을 갖는 Au-black의 경우 감광액 lift-off 공정에 의한 패턴형성이 가능하였다. 적외선 흡수도, 열용량 및 패턴형성을 고려할 매 적외선 흡수체로서의 Au-black을 제조하기 위해서는 챔버압력이 약 1 Torr이고, 단위면적당 질량이 약 600 $\mu\textrm{g}$/cm/sup 2/인 증착조건이 가장 적합하였다. Au-black for the application of the long wavelength infrared absorber has been prepared by evaporating Au under nitrogen gas-filled low vacuum condition. Characteristics of the deposited Au-black were carefully investigated through structural analysis, infrared absorbance measurement, and patterning of the layer, all of which are dependent on the deposition condition. High density of micro-cavity that trapped infrared were obtained, and infrared absorbance in the wavelength range from 3 $\mu\textrm{g}$ to 14 $\mu\textrm{g}$ was found to be about 90% when the Au-black layer was produced under the deposition condition of mass Per area of about 600 $\mu\textrm{g}$/cm$^{2}$ and chamber pressure of above 1 Torr. Photoresist lift-off process could be performed to pattern the Au-black, of which mass per area was below 900 $\mu\textrm{g}$/cm/ sup 2/. In view of absorbance, heat capacity, and pattern formation, the deposition condition of chamber pressure of about 1 Tow and mass per area of about 600$\mu\textrm{g}$/cm$^{2}$ was most adequate for preparing the Au-black as an infrared absorber.
유전체 멤브레인에 의해 열차단된 비냉각 초전형 박막 $(Ba,Sr)TiO_3$적외선 검지기
고성용,장철영,김동전,김진섭,이재신,이정희,한석용,이용현,Go, Seong-Yong,Jang, Cheol-Yeong,Kim, Dong-Jeon,Kim, Jin-Seop,Lee, Jae-Sin,Lee, Jeong-Hui,Han, Seok-Yong,Lee, Yong-Hyeon 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.3
Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄ 멤브레인에 의해 실리콘 기판으로부터 열차단된 비냉각 초전형 박막 (Ba,Sr)TiO₃ 적외선 검지기를 제작하고, 적외선 검지기의 특성을 논의하였다. 25℃의 공기중에서 쵸핑주파수가 1 ㎐일 때 적외선 검지기는 약 168.8 V/W의 비교적 높은 전압 감응도를 나타내었으나, 매우 작은 신호대잡음비 때문에 약 2.6×10⁴㎝·㎐/sup 1/2//W의 낮은 비검지도를 나타내었다. 또한 출력파형의 쵸핑주파수 및 온도 의존성에 대한 정성적인 해석으로부터 적외선 검지기의 열잡음전압 및 열시정수가 모두 상당히 크다는 것을 알 수 있었다. Uncooled pyroelectric thin-film (Ba,Sr)TiO$_3$ infrared detectors thermally isolated from Si-substrate by Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/Si$_3$N$_4$-membrane have been fabricated, and figures of merit for detectors were examined. The detector at $25^{\circ}C$ in air showed relatively high voltage responsivity of about 168.8 V/W and low specific detectivity of about 2.6$\times$10$^4$cm.Hz$^{1}$2//W at 1 Hz-chopping frequency because of very small signal-to-noise voltage ratio. It could be found that both thermal noise voltage and thermal time constant of the detector were very large by analyzing dependences of output waveforms on chopping frequency and temperature.