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- 저자 : 조다애 (검색결과 3 건)
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Micro-injection Molded Droplet Generation System for Digital PCR Application
조다애,김소영,강현우,표성한,정남규,배남호,이석재,김용태,이경균 한국바이오칩학회 2022 BioChip Journal Vol.16 No.4
Sensitive, effective, and quantitative analysis of infectious pathogens is an important task for the prevention of human health threats. Herein, we present an advanced approach to producing gene-encapsulated microdroplets for quantitative analysis using a micropatterned metal mold and injection molding technique with an automatically operated system. An injection molded microdroplet generation device was successfully fabricated with a minimum channel width of 30 μm and optimized to produce 100 μm diameter droplets. The optimized microchannel design and flow rate also enable the production of stable numbers of microdroplets (~ 16, 000 droplets). To verify the applicability of our device and system to droplet-based digital PCR analysis, Escherichia coli ( E. coli ) O157:H7 was selected as a model bacterial pathogen, and the stx2 gene was amplified in the microdroplets. The generated microdroplets exhibit both chemical and mechanical stability, and our results are similar to those obtained by a commercially available method. Accordingly, the usefulness of the microdroplet generative device and system is confirmed as a simple, fast, and reliable tool for the quantitative molecular analysis of infectious diseases.
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조다애(Da Ae Jo),송광섭(Kwang Soup Song) 대한전자공학회 2021 전자공학회논문지 Vol.58 No.10
Polyethylene terephthalate(PET) 기판에 전사된 그래핀 표면에 이온 용액속에서 동작하는 전계 효과 트랜지스터(graphene solution-gated field-effect transistor; G-SGFET)를 제작하였으며 이를 이용하여 배양된 세포 수를 개수하였다. 배양된 세포수를 개수하기 위하여 G-SGFET 게이트 채널 표면에 세포를 도포하고 온도 37℃, 5% CO₂ 조건의 인큐베이터 안에서 G-SGFET의 게이트 채널 표면에 세포 부착을 유도하였다. 세포 부착 여부에 따른 전류-전압 특성 변화를 관찰하기 위해 세포 부착 후 G-SGFET의 게이트-소스 전압(VGS)에 따른 드레인-소스 전류(IDS) 특성과 게이트 채널 표면에 세포 부착 전 IDS-VGS 특성과 비교하였다. 게이트 채널 표면에 세포 부착에 따라 G-SGFET의 Dirac point 전압(VDirac)은 부착 되는 세포 수에 따라 0.29 mV/cell 씩 왼쪽으로 이동하였다. We fabricated solution-gated field-effect transistor on the graphene sheet (G-SGFET) transferred on the polyethylene terephthalate (PET) substrate to detect cell count in electrolyte solution. The cells were dropped on the gate channel surface of G-SGFET, and cell adhesion was induced in an incubator at 37℃ and 5% CO₂ condition. In order to observe the change in current-voltage characteristics according to cell adhesion, the drain-source current (IDS) and gate-source voltage (VGS) of the G-SGFET was measured and compared with the characteristics before cell adhesion to the gate channel surface. The Dirac point voltage (VDirac) of G-SGFET shifted to the left direction (0.29 mV/cell) due to cell adhesion on the gate channel surface.
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