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- 저자 : 유찬세(Chan-Se Yoo) (검색결과 5 건)
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PCB내 1005 수동소자 내장을 이용한 Diplexer 구현 및 특성 평가
박세훈,윤제현,유찬세,김필상,강남기,박종철,이우성,Park, Se-Hoon,Youn, Je-Hyun,Yoo, Chan-Sei,Kim, Pil-Sang,Kang, Nam-Kee,Park, Jong-Chul,Lee, Woo-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.2
현재 PCB기판내에 소재나 칩부품을 이용하여 커패시터나 저항을 구현하여 내장시키는 임베디드 패시브기술에 대한 연구가 많이 진행되어 지고 있다. 본 연구에서는 커패시터 용량이나 인덕터의 특성이 검증된 칩부품을 기판내 내장시켜 다이플렉서 기판을 제작하였다. $880\;MHz{\sim}960\;MHz(GSM)$영역과 $1.71\;GHz{\sim}1.88\;GHz(DCS)$영역을 나누는 회로를 구성하기 위해 1005크기의 6개 칩을 표면실장 공정과 함몰공정으로 형성시켜 Network Analyzer로 측정하여 비교하였다. chip표면실장으로 구현된 Diplexer는 GSM에서 최대 0.86 dB의 loss, DCS에서 최대 0.68 dB의 loss가 나타났다. 표면실장과 비교하였을 때 함몰공정의 Diplexer는 GSM 대역에서 약 5 dB의 추가 loss가 나타났으며 목표대역에서 0.6 GHz정도 내려갔다. 칩 전극과 기판의 도금 연결부위는 $260^{\circ}C$, 80분의 고온공정 및 $280^{\circ}C$, 10초의 솔더딥핑의 열충격 고온공정에서도 이상이 없었으며 특성의 변화도 거의 관찰되지 않았다. Today lots of investigations on Embedded Passive Technology using materials and chip components have been carried out. We fabricated diplexers with 1005 sized-passives, which were made by burying chips in PCB substrate and surface mounting chip on PCB. 6 passive chips (inductors and capacitors) were used for the frequency divisions of $880\;MHz{\sim}960\;MHz(GSM)$ and $1.71\;GHz{\sim}1.88\;GHz(DCS)$. Two types of diplxer were characterized with Network analyzer. The chip buried diplexer showed extra 5db loss and a little deviation of 0.6GHz at aimed frequency areas, whereas the chip mounted diplexer showed man. 0.86dB loss within GSM field and max. 0.68dB within DCS field respectively. But few degradations were observed after $260^{\circ}C$ for 80min baking and $280^{\circ}C$ for 10sec solder floating.
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내부정합된 GaN HMET를 이용한 광대역 J-급 전력증폭기 설계
임은재(Eun-Jae Lim),유찬세(Chan-Se Yoo),김도경(Do-Gueong Kim),선중규(Jung-Gyu Sun),윤동환(Dong-Hwan Yoon),윤석희(Seok-Hui Yoon),이영철(Young-Chul Rhee) 한국전자파학회 2017 한국전자파학회논문지 Vol.28 No.2
이동통신 시스템의 멀티미디어 서비스 확산과 고속통신 기능의 수요를 충족시키기 위해서 다중대역 전력증폭기의 고효율, 광대역 특성 및 비선형 특성의 개선이 필요하다. 본 연구에서는 J-급 전력증폭기 동작조건을 만족하는 2차 고조파 정합회로를 단일-스터브 정합회로로 구성하였다. 광대역 J-급 동작조건을 만족시키기 위해 단일-스터브 정합회로는 낮은 특성임피던스를 갖는 것이 필요하다. 본 연구에서는 낮은 특성 임피던스를 갖는 단일-스터브 정합회로를 패키지내에 높은 유전율의 세라믹 기판을 이용하여 구현하였다. 이에 따라 2차 고조파 정합회로가 패키지된 GaN HEMT와 외부기본파 정합회로를 이용하여 넓은 주파수 대역에서 J-급 출력 임피던스 조건을 만족하는 전력증폭기를 구현하였다. 제작된 J-급 전력증폭기 측정 결과, 1.8~2.7 GHz(900 MHz)의 대역폭에서 50 W(47 dBm) 이상의 출력전력과 최대 72.6 %의 드레인 효율, 최대 66.5 %의 PAE 특성을 확인하였다. In order to satisfy the diffusion of multimedia service in mobile communication and the demand for high-speed communication, it is essential to modify and improve high efficiency, wideband and nonlinear characteristic of multiband power amplifier. This research is designed to implement a single-stub matching circuit as a 2nd harmonic one that meets conditions of the Class-J power amplifier. Low characteristic impedance of the single-stub line is necessary to suit conditions of wideband Class-J. This research uses ceramic substrates having high permittivity to implement the single-stub line with low characteristic impedance, which eventually results in an amplifier satisfying the output impedance terms of Class-J in wideband frequency range. This result attributes to use of GaN HEMT packaged with a 2nd harmonic matching circuit and external fundamental circuit. The measurement results of the Class-J amplifier confirms the following characteristics: more than output power of 50 W(47 dBm) in bandwidth of 1.8~2.7 GHz(0.9GHz), maximum drain efficiency of 72.6 %, and maximum PAE characteristic of 66.5 %.
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임욱,강병환,유찬세,이영신,조현민,이우성,강남기 한국마이크로전자및패키징학회 2000 추계 기술심포지움 논문집 Vol.2 No.1
Non-aqueous tape casting of LTCC with PVB binder has been studied in a continuous tape casting machine. The aim of the study was to evaluate this type of system in the different Binder/Plasticizer and solid content compositions. Each four slurry compositions were used in the experiments with varied binder/plasticizer and solid content. All the slurries gave good quality tapes with smooth surfaces without blisters or pinholes. The highest mechanical properties was obtained for the B/P=3.0, powder content 70vo1% composition from 52 ㎛ green tapes, a tensile strength of 4.6 MPa and a linear extension of 29.5%.
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이우성,조현민,임욱,유찬세,이영신,강남기 한국마이크로전자및패키징학회 2000 추계 기술심포지움 논문집 Vol.2 No.1
Brazing characteristics of the LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)/Kovar(Fe-Ni-Co alloy) was investigated. Kovar is one of the typical material for the lid of MCM and packages. In case of alumina package, Brazing process is done by higher temperature profile than 800 ℃ and Ag-Cu alloy. But, LTCC has sintering temperature near 850℃. So, it is difficult to use the same process as alumina brazing. The adhesion strength of the brazed part is affected by brazing alloy and metallization properties between conductor pattern and LTCC material. We investigated brazing characteristics of the LTCC/Kovar using various Urazing alloys(Ag-Cu, Au-Sn) and process conditions. And, we examined the influence of the glass contents in conductor on the brazing characteristics of the LTCC/Kovar.
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