RF magnetron 스퍼터링법으로 증착한 BaTiO₃박막의 제조 및 그 특성

류창명,이쟁성,이석헌,김창균,이용현 경북대학교 센서기술연구소 1995 센서技術學術大會論文集 Vol.6 No.1

BaTiO_(3) thin films were prepared by RF magnetron sputtering on the silicon substrates. The stoichiometric BaTiO_(3) thin film was obtained by manufacturing the target that has its mole ratio of 2BaCO_(3)and TiO_(2). The deposition characteristics was investigated under the various substrate temperatures(room temp.~600℃) and oxygen partial pressures. Working pressure, rf power, and target-substrate distance were 30mTorr, 100W, and 60mm, respectively. Under these conditions, the deposited BaTiO_(3) thin film was amorphous-like. The deposition rate decreases as the substrate temperature increases. When the oxygen partial pressure increases, refractive index and deposition rate decreases. After post-annealing at 630℃ for 60minutes at oxygen ambient, the film has the perovskite structure which has confirmed by X-ray diffraction(XRD) peaks, and it has ferroelectric property which was observed by P-E hysteresis loop,

무인기 자율항법 검증을 위한 통합시험환경 TCAS 모델 설계

류창명(Chang Myung Ryu),조영우(YoungWo Jo),이성우(SeongWoo Lee) 한국항공우주학회 2019 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.2019 No.4

열적 성장된 실리콘 질화막위에 산화 탄탈륨 초박막의 형성

이재성,류창명,강신원,이정희,이용현 대한전자공학회 1995 전자공학회논문지-A Vol.32 No.11

To obtain high quality of $Ta_{2}O_{5}$ film, two dielectric layers of $Si_{3}N_{4}$ and $Ta_{2}O_{5}$ were subsequently formed on Si wafer. Silicon nitride films were thermally grown in 10 Torr ammonia ambient by R.F induced heating system. The thickness of thermally grown $Si_{3}N_{4}$ film was able to be controlled in the range of tens $\AA$ due to the self-limited growth property. $Ta_{2}O_{5}$ film of 200$\AA$ thickness was then deposited on the as-grown $Si_{3}N_{4}$ film about 25$\AA$ thickness by sputtering method and annealed at $900^{\circ}C$in $O_{2}$ ambient for 1hr. Stoichiometry film was prepared by the annealing in oxygen ambient. Despite the high temperature anneal process, silicon oxide layer was not grown at the interface of the layered films because of the oxidation barrier effect of Si$_{3}$N$_{4}$ film. The fabricated $Ta_{2}O_{5}$/$Si_{3}N_{4}$ film showed low leakage current less than several nA and high dielectric breakdown strength.

멀티로터 다단 틸트 방식 기반 고정익 / 회전익 모드 복합 수직 이착륙 신비차 개발 현황 소개

하태현,류창명,천민규,박정근,윤광준 한국항공우주학회 2013 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.2013 No.4

본 논문은 2012년 제3회 국제 신비차(新飛車)대회에 참가한 Neo Flying Car-2012를 설계, 제작, 분석한 내용으로 구성되어 있으며 실 모델의 1/3 축소 모델로 설계, 제작하여 성능 분석을 하였다. Dual Mode Flying Car는 현재 운송수단인 자동차와 항공기를 결합하여 교통체증이 없고, 조종이 쉬우며, 원하는 곧 어디든 빠른 이동이 가능한 신개념 개인용 운송수단이다. 대한민국은 초음속 훈련기, 다목적 헬기, 스마트 무인기 등의 다양한 항공기 개발 능력도 갖추고 있고, Flying Car개발에 필요한 소재에 대해 세계적인 생산기술과 전자 제어 기술을 확보하고 있다. 동 논문은 이러한 기술을 활용 친환경에너지를 동력원으로 하고 수직 이,착륙이 가능하며 지상에서의 주행이 가능한 Flying Car개발과정을 다루고 있다. The development efforts presented in this paper address the design, production and analysis of a 1/3 scaled Neo Flying car-2012 which participated in the 3rd Korea Flying Car Competition in 2012. This dual-mode flying car brings a new concept of personal transportation to avoid traffic jams, with easy steering and agility, which combines the capability of an aircraft and a car. This technology is supported by the advanced aircraft technology development and capability, including supersonic trainer, multipurpose helicopter, smart Unmanned Aerial Vehicle (UAV), world class materials technology, and electromagnetic control technology for Manufacturing Flying Car which Korea has already achieved so far. In addition, this flying car development used green energy which supports vertical take-off landing and on-ground driving.

Al/α-BaTiO₃/SiO₂/TiW실리사이드 안티퓨즈의 제조

이재성,류창명,이석헌,김창균,이용현 경북대학교 센서기술연구소 1995 센서技術學術大會論文集 Vol.6 No.1

A metal-insulator-metal(MIM) antifuse has been developed for highly reliable performance and easily controllable program voltage. Sharp distribution of insulator breakdown voltage is obtained by using TiWsilicide film as a bottom electrode having extremely smooth surface. In the MIM antifuse composed of amorphous BaTiO_(3)/SiO_(2) layers, the breakdown voltage is reliably controlled by the thickness of amorphous BaTiO_(2) film and the leakage current is effectively suppressed by the SiO_(2) film. Low programming voltage(14.4V), low ON resistance (40-50Ω), and high OFF resistance(several GΩ) can be otained in the MIM antifuses having Al/α-BaTiO_(3)(120Å)/SiO_(2)(120 Å)/TiWsilicide structure. These MIM antifuse structure could be applicable to programming logic device.

10 V 이하의 프로그래밍 전압을 갖는 Ta2O5/SiO2 로 구성된 안티휴즈 소자

이재성,오세철,류창명,이용수,이용현 ( Jae Sung Lee,Seh Chul Oh,Chang Myung Ryu,Yong Soo Lee,Yong Hyun Lee ) 한국센서학회 1995 센서학회지 Vol.4 No.3

This paper presents the fabrication of ametal-insulator-metal(MIM) antifuse structure consisting of insulators sandwiched between top electrode, Al, and bottom electrode, TiW and additionally studies on antifuse properties depending on the condition of insulator. The intermetallic insulators, prepared by means of sputter, comprised of silicon oxide and tantalum oxide. In such an antifuse structure, silicon oxide layer is utilized to decrease the leakage current and tantalum oxide layer, of which the dielectric strength is lower than that of silicon oxide, is also utilized to lower the breakdown voltage near 10V. Finally sufficient low leakage current, below InA, and low programming voltage, about 9V; could be obtained in antifuse device comprising Al/Ta₂O₃(10nm)/SiO₂=(10nm)/TiW structure and OFF resistance of 3.65㏁ and ON resistance of 7.26Ω could be also obtained. This Ta₂O₃/ SiO₂= based antifuse structures will be promising for highly reliable programmable device.

특정 전압에 민감한 anti-fuse 소자의 개발

이재성,권혁주,류창명,이용현 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-

제조된 안티퓨즈 소자는 두 전극 금속사이에 층간 절연물이 존재하는 구조를 갖고 있다. 하층 전극으로는 스퍼터링법에 의해 제조된 TiW 금속을 사용하였으며 이때 표면은 평균 거칠기가 12Å으로 매우 균질하였다. 그러나 안티퓨즈 소자의 기본적 특성을 조사하기 위해 제조된 Al/SiO_2/TiW구조에서 TiW위에 증착된 실리콘 산화막이 약 250Å이하의 두께를 갖으면 매우 많은 누설 전류가 흘러 안티퓨즈 소자로의 응용상에 제한이 따르게 됨을 알 수 있었다. 이를 극복하기 위해 실리콘 산화막 위에 다른 종류의 절연막을 형성시킨 비정질 실리콘/SiO_2, BaTiO_3/SiO_2, Ta_2o_5/SiO_2 및 TiO_2/SiO_2등의 이층 절연막에 대해 조사하였다. 이중에서 BaTiO_3/SiO_2의 절연막이 가장 적은 누설 전류와 안정된 절연파괴 특성을 갖는 것으로 나타났다. 제조된 Al/BaTiO_3/SiO_2/TiW의 구조를 갖는 안티퓨즈 소자에서 SiO_2층의 두께는 200Å으로 고정시켰고 BaTiO_3의 두께는 80Å, 130Å, 150Å 및 190Å으로 각각 변화시켰다. 제조된 소자는 절연물의 두께 조절에 따라 19V에서 26V범위에서 선택적으로 프로그래밍이 수행되었다. 인가 프로그래밍 전압에서 측정된 소자의 누설 전류는 20㎁이하였으며 프로그램은 0.8초 이하에서 진행되었다. 그리고 소자는 500㎑에서 40㎊의 낮은 커패시턴스값을 나타냈고 수백 MΩ범위의 OFF저항과 수십 Ω 범위의 ON저항을 각각 나타냈다. The fabricated antifuse structure consists of double dielectric sandwitched between two metallic electrode. For the bottom electrode layers, TiW film have been sputtered, and smooth surface with average roughness of 12Å was obtained. Subsequently the SiO_2 and Al layer were deposited on TiW layer to form Al/SiO_2/TiW structure for the purpose of studying the basic properties of antifuse devices. From the electrical measurement there was found a limitation to apply thin single SiO_2 layer less than 250Å to antifuse devices because of the leakage current of few tens of ㎂, which is not acceptable for antifuse characteristics. To avoid that kind of problem, we investigated several types of double dielectrics in parallel with SiO_2 film between the electrodes, such as amorphous Si/SiO_2, Ta_2O_5/SiO_2, TiO_2/SiO_2 and BaTiO_3/SiO_2 layers. Among them, BaTiO_3/SiO_2 layer showed the best leakage and breakdown characteristics. The anti-fuse devices of Al/BaTiO_3/SiO_2/TiW structure was manufactured, where the thickness of SiO_2 film was 200Å and that of BaTiO_3 film was varied from 80Å to 190Å for the purpose of adjusting the programmable voltage. The programmable voltage of the devices ranged from 19V to 26V with varying the thickness of BaTiO_3 films. Despite thickness variation of BaTiO_3 layer, leakage current was less than 20㎁ which is much better than conventional single SiO_2 layer and programming process of anti-fuse device has been completed within 0.8 seconds at programming voltage. The capacitance of device was 40pF at 500㎑ and the OFF resistance and the ON resistance were several hundreds of MΩ and several tens of Ω for the devices, respectively.

통합시험환경 모델 검증 자동화 설계

양승구,조연제,조경용,류창명 한국항행학회 2019 韓國航行學會論文誌 Vol.23 No.5

In developing the avionics system, a system integration laboratory (SIL) is established to verify the function and interworking of individual components. In case of individual verification of SIL's components and system integration, a SIL model that simulates the function and interworking of each equipment is developed and used. A SIL model shall be pre-verified against all data defined in the interface control document (ICD) before interworking with the actual equipment and reverified even when the ICD changes or functions change. However, if the verification of the SIL model is performed manually, the verification of the individual SIL model takes considerable time. For this reason, selective regression tests are often performed to determine a impact of SIL models on ICD changes and some functional changes. In this paper, we designed SIL model verification automation method to perform regession test by reducing verification time of SIL model and verify the usefulness of verification automation design by developing SIL model verification automation tool. 항공전자시스템을 개발하는 과정에서 개별 구성품의 기능 및 연동 검증을 위한 통합시험환경(SIL; system integration laboratory)을 구성한다. 이러한 SIL의 구성품 개별 검증 및 시스템 통합 시 각 탑재장비의 기능 및 연동을 모의하는 SIL 모델을 개발하여 이용한다. SIL 모델은 실 장비와 연동되기 전 연동통제문서(ICD; interface control document)에 정의된 모든 데이터에 대해 선 검증되어야하며 ICD 변경 혹은 기능 변경 발생 시에도 재 검증되어야한다. 하지만 SIL모델의 검증의 수동 수행 시 개별 SIL모델의 검증에도 상당한 시간이 소요된다. 이러한 시간상의 문제로 ICD 변경이나 일부 기능 변경 시에는 SIL 모델의 영향성을 판단하여 선택적 회귀시험이 이루어지곤 한다. 본 논문에서는 이러한 SIL 모델의 검증에 소요되는 시간을 최소화하여 회귀시험 수행 시 모든 시험항목의 검증이 가능하도록 SIL 모델 검증 자동화 방안을 설계하고 설계에 따른 SIL 모델 검증 자동화도구를 개발하여 SIL 모델 검증자동화 설계의 유용성을 검증하였다.

소형 정찰 드론 시스템 체계설계 연구

방석준(Seokjun Bang),권철희(Cheolhee Kwon),최철훈(Chulhoon Choi),류창명(Changmyung Ryu),황태웅(Taeung Hwang),조경용(Kyoungyong Jo) 항공우주시스템공학회 2019 항공우주시스템공학회 학술대회 발표집 Vol.2019 No.11

소형 X-Wing 무인기의 트림 해석

박태산(Tae-San Park),이성우(Seong-Woo Lee),류창명(Chang-Myung Ryu),조경용(Kyoung-Yong Jo),김준(Joon Kim) 한국항공우주학회 2020 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.2020 No.11