통신망에서의 절체 계층들 간 인터워킹을 위한 고려사항 ( The Considerations for Interworking of Protection Layers in Communication Networks )

김호건,최동율,송주빈 한국통신학회 1998 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.17 No.3

$30BaTiO_3$.$70NaNbO_3$ 고용체 단결정 육성

김호건,류일환 한국결정성장학회 1992 韓國結晶成長學會誌 Vol.2 No.1

전영역에 결쳐서 고용영역이 존재하는 $BaTiO_3-NaNbO_3$계에서, congruent melting composition인 $30BaTiO_3{cdot}70NaNbO_3$조성의 고용체 단결정을 Czochralski법에 의하여 육성하였다. 직경 15-50mm, 길이 20-30mm인 단결정이 결정인상속도 2.0mm/h, 결정회전수 5.0-1-rpm에서 육성되었다. 그러나 결정 육성중 육성되는 결정의 열전도도가 낮기 때문에, 발생하는 잠열(latent heat)의 방출이 충분치 않아 고-액계면이 평탄하게 유지되지 않았고 그결과로 육성된 결정중에는 corestructures가 관찰되었다. 육성된 결정에서 core 부분을 제외한 다른 부분은 inclusion등이 없는, 광학적으로 균질한 단결정이었고 가시광 영역에서 양호한 광투과율을 보였다. In $BaTiO_3-NaNbO_3$ system, complete series of solid solution occurs and $30BaTiO_3{cdot}70NaNbO_3$ composition is congruently melted. Single crystals of $30BaTiO_3{cdot}70NaNbO_3$, composition were grown by Czochralski method in this investigation. Single crystals with dimensions of 15 - 20mm diameter and 20 - 30mm length, were grown at the pulling rate of 2.0mm/h and the rotation rate of 5.0 -l0rpm. Core structures were found in the grown crystals and inclusions, cellular boundaries existed at the core region. The origin of core occuring was unstability of the crystal- melt interface due to the poor conductivity of latent heat through the crystal during the crystal growing process. Obtained crystals were optically homogeneous except the core region and showed high optical transmittance in the visible range.

EFG법에 의한 ${\gamma}-6Bi_2O_3 {\cdot}SiO_2$(BSO)단결정의 육성

김호건,유건종,Kei-Miyamto 한국결정성장학회 1991 韓國結晶成長學會誌 Vol.1 No.1

광기능소자로 응용성이 넓은 전기광학결정 $r-6Bi_2O_3{\cdot}SiO_2$(이하 BSO로 약칭)을 EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법에 의하여 판상단결정으로 육성하는 기초적 조건을 조사하고 육성된 판단결정의 characterization 및 평가와 물성측정을 하였다. 본 연구에서 얻어진 최적성장조건은 온도구배가 $24^{\circ}C/cm$, 인상속도는 2.0mm/h이었다. 결정성장 최적조건에서 육성된 BSO결정은 제 2상의 석출이 없고 grain boundary가 존재하지 않으며 X선 분석으로도 단결정임이 확인되었다. 육성된 판상단결정의 판면은 (100)면이었고 결정성장 방위는 <100>이었다. 육성된 판상단결정은 편광현미경하에서는 pore, void, inclusion, striation 등의 성장결함이 없는 양질의 단결정이었으나 미세결함인 전위(dislocation)의 존재가 확인되었고 전위밀도는 $5.1{\times}10^5/\textrm{cm}^2$이었다. The fundamental conditions for growing $r-6Bi_2O_3{\cdot}SiO_2$(BSO) single crystal plates by EFG(Edge-defined Film-fed Growth) method, were investigated and characterization, quality test, property measurement were performed for obtained BSO single crystal plates. The opti$\mu$ growing conditions determined in this study were as follows: ${\cdot}$temperature gradient;$24^{\circ}C/cm$ ${\cdot}$pulling rate;2.0mm/h. BSO Single crystal plates grown at the above optimum conditions did not include secondary phase or grain boundary and were confirmed as single crystals by X-ray analysis. IT was found that the single crystal plates had <100> growth direction. G defects, ie pore, void inclusion, striation, were not detected in the single crystal plate under polarizing microscope but dislocations(microscopic defect) were found and dislocation density was $5.1\times10^5/cm^2$.

흔적

김호건 고요아침 2017 한국동시조 Vol.- No.7

비선형 광학 결정 $CsLiB_{6}O_{10}$ 육성에 관한 기초 연구

김호건,김명섭 한국결정성장학회 1996 韓國結晶成長學會誌 Vol.6 No.2

새로운 비선형 광학결정으로 유망시되는 $CsLiB_{6}O_{10}$ 결정을 육성하기 위한 기초 조건을 조사하였다. 화학양론적으로 혼합된 $CsLiB_{6}O_{10}$ 조성으로부터 $600^{\circ}C$ 이상의 온도에서 같은 조성의 결정이 형성되었고, 이 결정은 $800^{\circ}C$까지 상변화를 나타내지 않았으며, $850^{\circ}C$에서 합치용융하였다. $CsLiB_{6}O_{10}$ 조성을 용융시킨 뒤, 융액을 $1~150^{\circ}C/hr$의 냉각 속도로 냉각시키면, 냉각 속도에 관계없이 유리가 생성되었다. 그러나 융액중에 $CsLiB_{6}O_{10}$ 결정 seed가 존재하는 경우에는 융액으로부터 $CsLiB_{6}O_{10}$ 결정이 직접 석출되었다. Seed 결정을 이용하여 온도 구배가 $100^{\circ}C/cm$인 일방향 전기로에서 0.06 mm/hr의 응고 속도로 투명한 $CsLiB_{6}O_{10}$ 단결정을 육성하였다. 육성된 결정의 구조 해석 결과, 이결정은 noncentrosymmetric tetragonal space group 142d에 속하고, unit cell dimensions은 $a=10.467(1)\;{\AA},\;c=8.972(1)\;{\AA}과\;V=983.0(2)\;{\AA}^3$이었다. 이 결정의 광학적 특성은 180mm에서 absorption edge를 가지고 300 nm이상의 파장 영역에서 70%의 광투과율(두께 0.5 mm)을 나타내었다. The fundamental conditions for growing $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal, new nonlinear optical material, were investigated. Stoichiometirc mixture of $CsLiB_{6}O_{10}$ composition resulted in the crystal of the same composition in the process of heating at the temperature above $600^{\circ}C$. No phase transition was observed in the $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal in the temperature range of $600^{\circ}C~800^{\circ}C$, and $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal melted congruently at $850^{\circ}C$. When the melt of this composition was cooled at rates of $1~150^{\circ}C/hr$, glass state ingot was formed regardless of cooling rates. However, $CsLiB_{6}O_{10}$ crystals were formed directly from the melt at any cooling rate in the presence of $CsLiB_{6}O_{10}$ seed crystal in the melt. Transparent $CsLiB_{6}O_{10}$ single crystal was grown from the melt using the seed crystal at the growing rate of 0.06 mm/hr in the furnace having the temperature gradient of $100^{\circ}C/cm$. Analysis of the single crystal showed that the crystal belonged to the noncentrosymmetric tetragonal space group 142d and unit cell dimensions were $a=10.467(1)\;{\AA},\;c=8.972(1)\;{\AA}\;and\;V=983.0(2)\;{\AA}^3$. Optical absorption edge of the crystal was observed at 180mm and the crystal showed a good optical transparency (70% transmittance, sample thickness 0.5 mm) in the wide wavelength range above 300 nm.

반도체 Wafer 공정용 불산 제어 밸브 모듈 개발에 관한 연구

김호건,유승현,오성훈,소병문 한국기계기술학회 2022 한국기계기술학회지 Vol.24 No.4

In this study, we intend to develop a control valve with oxidation resistance for hydrogen fluoride that can be applied to the semiconductor production process. Operated Valves currently in use is a form of assembling an air cylinder to the valve body. These valves generally have a cylinder body made of aluminum (Al), so they may corrode depending on the external environment, and the solution leaks along the rod inside the cylinder, causing damage to parts due to corrosion. To solve this problem, the valve plug shape was developed by devising and applying a plug using a valve different from the existing method, and it is possible to block the inflow of hydrogen fluoride into the valve control unit, thereby preventing damage to parts as well as maintaining stable valve operation.

EFG법에 의한 ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$

김호건,유건종,Kei-Miyamoto 한국결정성장학회 1991 韓國結晶成長學會誌 Vol.1 No.2

The fundamental conditions for growing $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ (BGO) single crystal plates by EFG (Edge -defined Film-fed Growth) method, were investigated and the characterization, quality test were carried out for obtained BGO single crystal plates. The optimum growing conditions determined in this study were as follows: ${\cdot}$ temperature gradient: 22^{\circ}C/cm 광기능소자로 응용성이 넓은 전기광학결정 $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$(이하 BGO로 약칭)을 EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법에 의하여 판상단결정으로 육성하는 기초적 조건을 조사하였고 얻어진 판상단결정의 characterization 및 평가를 행하였다. 본 연구에서 얻어진 최적성장조건은 온도구배가 $22^{\circ}C$/cm 이었고 인상속도는 2.0mm/h이었다. 결정성장 최적조건에서 육성된 BGO결정은 제 2상의 석출이 없고 grain boundary가 존재하지 않으며 X선분석으로도 단결정임이 확인되었다. 육성된 판상단결정의 판면은 (100)면이었고 결정성장 방위는 <110>이었다. 육성된 판상단결정은 편광현미경하에서는 pore, void, inclusion, striation등의 성장결함이 없는 양질의 단결정이었으나 미세결함인 전위(dislocation)의 존재가 확인되었고 전위밀도는 $7.0{\times}105/cm^2$이었다.

다구찌 기법을 이용한 가공성에 따른 최적의 공구선정에 관한 연구

김호건 한국기계기술학회 2013 한국기계기술학회지 Vol.15 No.5

PL and EL properties of Biphenyl derivatives with electrontransporting materials

김호건,이태훈,유정이,김태훈,손세모 한국공업화학회 2006 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2006 No.-

통신 예약 버스 방식을 이용한 IPC 통신망 구성에 관한 연구

김호건,박영덕,김선형,조규섭,박병철 한국통신학회 1988 韓國通信學會論文誌 Vol.13 No.1

근래에 들어 통신기기의 지능화에 대한 필요성과 프로세서 가격의 저렴화가 서로 부합되어 하나의 시스템내에 다수의 프로세서를 실장하는 것이 공통된 경향이다. 본 논문에서는 이와 같이 다수의 근접된 프로세서 상호간에 적용 가능한 통신 방식으로 "근접된 프로세서간 통신 방식에 관한 연구"에서 이미 제안한 "통신예약 버스" 방식에 적용할 수 있는 하드웨어 및 소프트웨어를 개발, 제시하였으며 이에대한 실험을 통하여 본 방식의 타당성 및 관련 하드웨어와 소프트웨어의 실용성을 검증하였다.와 소프트웨어의 실용성을 검증하였다. Nowadays, the needs for intelligence of communication equipments and the cost down of micro processor are showing a tendency to have multi0processor in a single system. In this paper, based on the Reserved Bus Topology which is propoed in "A study on he Communication Method between the adjacent processor", the software and hardware is designed and developed. And tha validity of this method and the utility of designed software and hardware functions are also verified through exepriments.epriments.