http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Characteristics of a Non-Phosphor White LED Grown by Using Mixed-Source HVPE
H. S. Jeon,S. L. Hwang,C. H. Lee,I. H. Heo,S. H. Hong,E. J. Kim,Y. H. Han,K. H. Kim,H. Ha,M. Yang,김석환,J. H. Lee,S. K. Shee,안형수 한국물리학회 2009 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.54 No.3
The growth of an AlGaN-based non-phosphor white light emitting diode (LED) on a templated n-GaN (0001) sapphire substrate is performed by using mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) with a multi-sliding boat. The DH (doublehetero) structure is grown by using a selective area growth (SAG) method. The non-phosphor white LED structure consists of a Te-doped AlGaN cladding layer, an AlGaN active layer, a Mg-doped AlGaN cladding layer and a Mg-doped GaN capping layer. The gas flow rates of HCl and NH3 are maintained at 20 sccm and 800 sccm, respectively. The growth temperatures of the source zone and the growth zone are 900℃ and 1090℃, respectively. The electroluminescence (EL) main peak of the AlGaN-based white LED is observed at 400 nm and minor peaks are emitted in a broad spectrum from 450 nm to 600 nm. A combination of blue and broadband yellow peaks creates a white light. The non-phosphor white LED has a measured color rendering index (CRI) from 76 to 87. These results show mixed-source HVPE with a multi-sliding boat can be used to fabricate a non-phosphor white LED. Additionally, optical module measurements and X-ray diffraction (XRD) verified the optical and the crystal quality of the white LED.
R-plane 사파이어 기판위의 GaN/InGaN 이종접합구조의 HVPE 성장
전헌수,황선령,김경화,장근숙,이충현,양민,안형수,김석환,장성환,이수민,박길한,Jeon, H.S.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Lee, C.H.,Yang, M.,Ahn, H.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
R-plane 사파이어 위에 a-plane GaN층이 성장된 기판에 혼합소스 HVPE(mixed-source hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 GaN/InGaN의 이종접합구조(heterostructure)를 구현하였다. GaN/InGaN 이종접합구조는 GaN, InGaN, Mg-doped GaN 층으로 구성되어 있다. 각 층의 성장온도는 GaN층은 $820^{\circ}C$, InGaN 층은 $850^{\circ}C$, Mg-doped GaN 층은 $1050^{\circ}C$에서 성장하였다. 이때의 $NH_3$와 HCl 가스의 유량은 각각 500 sccm, 10 sccm 이었다. SAG-GaN/InGaN 이종접합구조의 상온 EL (electroluminescence) 특성은 중심파장은 462 nm, 반치폭(FWHM : full width at half maximum) 은 0.67eV 이었다. 이 결과로부터 r-plane 사파이어 기판위에 multi-sliding boat system의 혼합소스 HVPE 방법으로 이종접합구조의 성장이 가능함을 확인하였다. The a-plane GaN layer on r-plane $Al_2O_3$ substrate is grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The GaN/InGaN heterostructure is performed by selective area growth (SAG) method. The heterostructure consists of a flown over mixed-sourec are used as gallium (or indium) and nitrogen sources. The gas flow rates of HCl and $NH_3$ are maintained at 10 sccm and 500 sccm, respectively. The temperatures of GaN source zone is $650^{\circ}C$. In case of InGaN, the temperature of source zone is $900^{\circ}C$. The grown temperatures of GaN and InGaN layer are $820^{\circ}C\;and\;850^{\circ}C$, respectively. The EL (electroluminescence) peak of GaN/InGaN heterostructure is at nearly 460 nm and the FWHM (full width at half maximum) is 0.67 eV. These results are demonstrated that the heterostructure of III-nitrides on r-plane sapphire can be successfully grown by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system.
혼합소스 HVPE에 의해 성장된 In(Al)GaN 층의 특성
황선령,김경화,장근숙,전헌수,최원진,장지호,김홍승,양민,안형수,배종성,김석환,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Jeon, H.S.,Choi, W.J.,Chang, J.H.,Kim, H.S.,Yang, M.,Ahn, H.S.,Bae, J.S.,Kim, S.W. 한국결정성장학회 2006 한국결정성장학회지 Vol.16 No.4
혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법을 이용하여 InGaN 층을 GaN 층이 성장된 사파이어 (0001) 기판 위에 성장하였다. InGaN 층을 성장하기 위해 금속 In에 Ga을 혼합하여 III족 소스로 이용하였으며 V족 소스로는 $NH_3$를 이용하였다. InGaN층은 금속 In에 Ga을 혼합한 소스와 HCl을 흘려 반응한 In-Ga 염화물이 다시 $NH_3$와 반응하도록 하여 성장하였다. XPS 측정을 통해 혼합소스 HVPE 방법으로 성장한 층이 InGaN 층임을 확인할 수 있었다. 선택 성장된 InGaN 층의 In 조성비는 PL과 CL을 통해서 분석하였다. 그 결과 In 조성비는 약 3%로 평가되었다. 또한, 4원 화합물인 InAlGaN 층을 성장하기 위해 In 금속에 Ga과 Al을 혼합하여 III족 소스로 사용하였다. 본 논문에서는 혼합소스 HVPE 방법에 의해 III족 소스물질로 금속 In에 Ga(Al)을 혼합한 소스를 이용하여 In(Al)GaN층을 성장할 수 있음을 확인할 수 있었다. InGaN layers on GaN templated sapphire (0001) substrates were grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. In order to get InGaN layers, Ga-mixed In metal and $NH_3$ gas were used as group III and group V source materials, respectively. The InGaN material was compounded from chemical reaction between $NH_3$ and indium-gallium chloride farmed by HCl flowed over metallic In mixed with Ga. The grown layers were confirmed to be InGaN ternary crystal alloys by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In concentration of the InGaN layers grown by selective area growth (SAG) method was investigated by the photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements. Indium concentration was estimated to be in the range 3 %. Moreover, as a new attempt in obtaining InAlGaN layers, the growth of the thick InAlGaN layers was performed by putting small amount of Ga and Al into the In source. We found the new results that the metallic In mixed with Ga (and Al) as a group III source material could be used in the growth process of the In(Al)GaN layers by the mixed-source HVPE method.
HVPE 후막 a-plane GaN 결정의 성장과 특성
이충현,황선령,김경화,장근숙,전헌수,안형수,양민,배종성,김석환,장성환,이수민,박길한,Lee, C.H.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Jeon, H.S.,Ahn, H.S.,Yang, M.,Bae, J.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) a-plane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온($500/550/600/660^{\circ}C$)에서 성장한 AIN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AIN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. $GaCl_3$ 전 처리를 실시하고 $820^{\circ}C$에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다. The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plan sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature ($500/550/600/660^{\circ}C$) AIN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN kayers. and for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with $GaCl_3$ pretreatment at the growth temperature of $820^{\circ}C$.