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반사형 반도체 광 증폭기를 이용한 음계수를 가지는 광마이크로파 노치 필터
권원배(Won-Bae Kwon),최용규(Yong-Kyu Choi),김준수(Junsu Kim),김경호(Kyung-Ho Kim),정민아(Min-A Jeong),이성로(Seong Ro Lee),박창수(Chang-Soo Park) 한국통신학회 2014 韓國通信學會論文誌 Vol.39 No.5(융합기술)
본 논문에서는 반사형 반도체 광 증폭기 (RSOA)를 이용하여 음계수를 가지는 광 마이크로파 노치 필터를 제안하고 구현하였다. 제안된 마이크로파 노치 필터의 음계수는 RSOA의 상호 이득 변조 (XGM) 현상을 통하여 얻어진다. RSOA가 이득 포화 영역에서 동작할 때 변조된 펌프 광과 연속파를 가지는 프로브 광을 RSOA 내에 주입하게 되면, XGM 현상으로 인하여 프로브 광은 펌프 신호의 반전된 형태의 신호로 변조된다. 이러한 두 신호들은 파장 의존적 시간 지연 특성을 갖는 단일 모드 광섬유 (SMF)에 의하여 프로브 신호와 펌프 신호 사이에 시간 지연이 발생한다. 제안된 마이크로파 노치 필터는 35.1 dB 이상의 notch dips과 약 380.6 MHz의 free spectral range (FSR)을 가진다. We propose and experimentally demonstrate a photonic microwave notch filter with a negative coefficient. The negative coefficient is obtained by using cross gain modulation (XGM) in a reflective semiconductor optical amplifier (RSOA). When the RSOA is operated in saturated region, the signal carried on the pump wavelength is inversely copied to the probe wavelength by the XGM effect, showing a negative coefficient. Time delay between pump signal and probe signal is provided by single mode fiber (SMF) with wavelength dependent time delay. The proposed microwave notch filter shows notch dips of more than 35.1 dB and free spectral range (FSR) of about 380.6 MHz.
서동준,권원배,김성창,박창수 한국광학회 2019 Current Optics and Photonics Vol.3 No.6
In this paper, we introduce a 1.3-µm 25-GHz waveguide-integrated vertical PIN type Ge-on-Si photodetector fabricated using a multi-project wafers service based on fringing field analysis in the depletion region. In general, 1.3-µm photodetectors fabricated using a commercial foundry service can achieve limited bandwidths because a significant amount of photo-generated carriers are located within a few microns from the input along the device length, and they are influenced by the fringing field, leading to a longer transit time. To estimate the response time, we calculate the fringing field in that region and the transit time using the drift velocity caused by the field. Finally, we compare the estimated value with the measured one. The photodetector fabricated has a bandwidth of 20.75 GHz at -1 V with an estimation error of <3 GHz and dark current and responsivity of 110 nA and 0.704 A/W, respectively.