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빈곤정책제도개선기획단에 바란다: 우리 빈곤현실에 부합하는 한국형 빈곤정책 모델 제시를 바라며
권덕철 한국보건사회연구원 2011 보건복지포럼 Vol.177 No.-
빈곤정책제도개선기획단을 통해 우리 빈곤정책이 한 단계 도약하기를 바라며 우리나라의 변화된 빈곤현실에 조응할 수 있는 한국형 빈곤정책의 새로운 모델이 제시될 수 있기를 기대한다. 구체적으로 가난해지기를 기다렸다가 돕는 것이 아닌 예방적 빈곤정책, 탈수급 자체에만 관심을 갖기 보다 일을 통한 사회통합과 자립의욕 제고를 도와주는 기회제공형 빈곤정책, 진정 어려운 사람들의 박탈과 배제에 눈 감지 않는 생활보장형 빈곤정책이 한국적 맥락에서 새롭게 해석되고 제도로 설계될 수 있기를 소망한다. 이를 위해서는 제도개선 기획단의 논의 범위와 수준이 기초생활보장제도 뿐만 아니라 빈곤정책 전반을 포괄하는 넓은 스펙트럼 하에서 근본적 관점으로 진행되어야 할 것이다.
정영도,이영준,권덕철,최희환 한국물리학회 2017 Current Applied Physics Vol.17 No.3
The plasma characteristics of pulse-modulated, radio frequency (RF) power in an inductively coupled plasma discharge were investigated. A two-dimensional axisymmetric structure was simulated based on the fluid model. In addition, the energy and mobility of neutral species were considered. When the power was switched to ON from OFF, the electron density and electron temperature changed instantaneously. When the power was OFF, we analyzed the profiles of the electron density and electron temperature over time. Moreover, the ion energy distribution function was investigated using several RF bias conditions.
Evolution of vacuum ultraviolet emission in dual-frequency capacitively coupled plasmas
한덕선,박종배,김영우,권덕철,박상후 한국물리학회 2021 Current Applied Physics Vol.31 No.-
In plasma material processing, vacuum ultraviolet (VUV) emission is released from gas discharges, leading to undesirable results. Energetic VUV photons enable the creation of an electron-hole pair current when their energy is larger than the bandgap energy of the plasma-facing top layer during plasma material processing. For example, the high energy of VUV photons from helium (21.2 eV), argon (11.6 eV), and oxygen (13.6 eV) is sufficient to generate induced currents in SiO2 thin films. These feedstock gases are widely used in many procedures utilizing low-temperature industrial plasmas. Thus, the VUV emission evolution with both the power ratio between high (60 MHz) and low (2 MHz) frequencies and pulse duty ratio of the low-frequency radio frequency (rf) power in a dual-frequency capacitively coupled plasma, which is indispensable in modern plasma etching processes, was investigated. Both the power ratio between high and low frequencies and the pulse duty ratio changed the electron temperature, leading to evolution of the VUV emission intensity.