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마이크로파 및 광도파관의 고유모드에 관한 유한요소법 해석
강길범,윤대일,김정기 한국통신학회 1989 韓國通信學會論文誌 Vol.14 No.4
유한요소법을 이용하여 유전체 도파관의 전파특성을 해석하였다. 자계 3성분에 의한 변분표현방식 Galerkin법을 적용하여 주파수를 파라메터로 해서 전파정수를 구하는 유한요소 표시식을 제안하였다. 이 방법은 조건을 고려해서 해석한 결과 spurious 해는 전혀 나타나지 않았으며 이론치와 잘 일치하였다. 이 해법이 타당성을 확인하기 위하여 부분적으로 유전체가 채워직 구형도파관에 적용하여 수치해석 결과를 다른해석 결과와 비교하였다. The propagation characteristics of dielectric waveguides has been analyzed by finite element method. We have proposed the finite element formutation of the variational expression in the three-component magnetic field based on Galerkin's method which seek for the propagation constant by a given value of frequency. In this approach, the divergence relation for H is satisfied and spurious modes does not appear and finite element solustions agree with the exact solutions. In order to varify the validity of the present method the numerical results for a rectangular waveguide partilly filled with dielectric are compared with other results.
강길범,김성일,김영환,박민철,김용태,이창우,Kang, Gil-Bum,Kim, Seong-Il,Kim, Yeung-Hwan,Park, Min-Chul,Kim, Yong-Tae,Lee, Chang-Woo 한국마이크로전자및패키징학회 2006 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.13 No.3
밀도가 높고 주기적인 배열의 기공과 나노패턴이 된 텅스텐 나노점이 실리콘 산화물/실리콘 기판위에 형성이 되었다. 기공의 지름은 25 nm이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 60 nm이었다. nm 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성했다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 건식 식각용 마스크를 만들었다. 실리콘 산화막은 불소 기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각했다. nm크기의 트렌치 안에 선택적으로 증착된 텅스텐 나노점을 만들기 위해서 저압화학기상증착(LPCVD)방법을 이용하였다. 텅스텐 나노점과 실리콘 트렌치의 지름은 26 nm 와 30 nm였다. Dense and periodic arrays of holes and tungsten none dots were fabricated on silicon oxide and silicon. The holes were approximately 25 nm wide, 40 nm deep, and 60 nm apart. To obtain nano-size patterns, self-assembling resists were used to produce layer of hexagonally ordered parallel cylinders of polymethylmethacrylate(PMMA) in polystyrene(PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed with acetic acid rinse to produce a PS mask for pattern transfer. The silicon oxide was removed by fluorine-based reactive ion etching(RIE). Selectively deposited tungsten nano dots were formed inside nano-sized trench by using a low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) method. Tungsten nano dot and trenched silicon sizes were 26 nm and 30 nm, respectively.