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- 저자 : 鄭鶴仁 (검색결과 1,394 건)
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정학균,김창길 한국농촌경제연구원 2015 한국농촌경제연구원 농정포커스 Vol.- No.-
◦ 세계는 기후변화가 가져올 환경변화에 대응하기 위해 국제협약을 통해 온실가스 의무감축을 현실화하고 있음 - 1997년 교토의정서를 체결하여 2020년까지 선진국 중심으로 감축의무 부담 - 2015년 12월, 선진 및 개도국이 모두 참여하는 2020년 이후 신기후체제 출범 예정 ◦ 우리나라도 국제협약에 선제적으로 대응하며 온실가스 감축 목표 제시 - 2020년까지 배출전망치(BAU) 대비 30% 자발적 감축 목표 설정 - 금년 6월 신기후체제 협약에 대응하여 2030년까지 배출전망치(BAU) 대비 37%로 감축 목표를 설정하였으며, 부문별 감축 목표는 2016년에 결정될 전망 ◦ 농업부문도 2020년 온실가스 감축 목표가 이미 할당되어 감축 전략을 추진하고 있으며, 현재 2030년 감축 목표 설정에 대응하고 있음 - 2020년 농업부문 감축 목표는 BAU 대비 5.2%인 148만 5천 톤임. 이 목표를 달성하기 위해 온실가스 감축 사업을 추진하는 데 있어 사업 확대 애로사항을 해결하는 노력이 필요함 - 2030년 농업부문 감축 목표는 2020년과 비슷하거나 약간 확대될 것으로 전망 ◦ 일본, 호주, 영국 등 주요국에서 농업부문 온실가스 감축 전략 추진 - 일본은 환경보전형 농업에 대한 메뉴방식의 직접지불금을 지급하고 있으며, 소비자들에게 저탄소 농축산물을 적극적으로 홍보함 - 호주, 일본은 배출권거래제에 의한 상쇄 크레디트 제공으로 농가 수익원을 창출함 - 영국은 미생물을 이용한 가축분뇨 처리를 촉진하고, 바이오에너지 교부금을 지원하는 등 바이오매스 전략을 추진함 ◦ 2030년 농업부문 감축 목표는 농업부문에 미치는 영향을 최소화하면서도 저탄소농업체제로의 이행을 촉진할 수 있는 수준으로 결정되도록 해야 하며, 2020년과 2030년 온실가스 감축 목표 달성을 위한 전략을 지속적으로 추진할 필요가 있음 - 농업부문의 핵심적인 온실가스 감축 전략으로 주요 온실가스 감축 관련 사업의 지속적인 확대, 저탄소 농업 실현을 지원하기 위한 재배기술 개발 등 R&D 추진, 배출권거래시장을 이용한 탄소거래형 감축사업 추진, 환경적 상호준수제도의 도입, 저탄소 농축산물의 소비 확대, 통계자료 및 산정․ 보고․검증 시스템의 구축 등을 추진할 필요가 있음
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정학균,김창길,김종진 한국농촌경제연구원 2015 농촌경제 Vol.38 No.3
The purpose of this study is to evaluate the economic value of environmentally sound functions of environmentally friendly agriculture. The contingent valuation method (CVM) was used to evaluate the value people are willing to pay (WTP) for the environmentally sound functions of environmentally friendly agriculture. Based on the pilot survey results, virtual scenarios were set up and a double-bounded dichotomous choice survey was conducted. This study selected 3 domains of environmentally sound functions: soil and water-related, protecting biodiversity, greenhouse gas reduction. Economic assessments of the environmentally sound functions of environmentally friendly agriculture were conducted using the maximum likelihood estimation method. The estimation results showed that the total sum of the economic value of willingness to pay for the three functions amounts to 3,570.8 billion won.
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비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석
정학기,Jung, Hakkee 한국정보통신학회 2016 한국정보통신학회논문지 Vol.20 No.5
This paper analyzes the deviation of tunneling current for the ratio of top and bottom gate oxide thickness of short channel asymmetric double gate(DG) MOSFET. The ratio of tunneling current for off current significantly increases if channel length reduces to 5 nm. This short channel effect occurs for asymmetric DGMOSFET having different top and bottom gate oxide structure. The ratio of tunneling current in off current with parameters of channel length and thickness, doping concentration, and top/bottom gate voltages is calculated in this study, and the influence of tunneling current to occur in short channel is investigated. The analytical potential distribution is obtained using Poisson equation and tunneling current using WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin). As a result, tunneling current is greatly changed for the ratio of top and bottom gate oxide thickness in short channel asymmetric DGMOSFET, specially according to channel length, channel thickness, doping concentration, and top/bottom gate voltages. 본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.
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주택재개발구역의 지정 특성에 관한 고찰 -광주광역시 도시 및 주거환경정비 예정구역을 대상으로-
정학균 ( Hak Kyun Jung ),길종원 ( Jong Won Kil ),강호성 ( Ho Seong Kang ) 조선대학교 공학기술연구원 2012 공학기술논문지 Vol.5 No.1
Although our cities have greatly contributed to mitigation of housing shortage by developing large-scale housing site in the outskirts of the city based on the Housing Site Development Promotion Act, it has also brought about a great decline in vitality of the existing streets along with the migration of people living there. The housing development project is representative on the basis of the Act on the Maintenance and Improvement of Urban Areas and Dwelling Conditions for Residents. Although it stipulates that provincial governments should establish and enforce a housing development plan, the progress has become slow because of many problems raised such as resettlement, resident`s conflict, distorted city landscape, distorted city space structure, and residential types. Thus, this study examined and investigated the housing redevelopment-prearranged areas that were characteristics in ongoing housing development projects based on plans set in Gwangju Metropolitan City. Housing redevelopment-prearranged areas were designated on a large scale from a view of a physical indicator such as poor dwelling conditions and housing deterioration rather than a social view such as city landscape, city structure, city culture, dwelling characteristics, inducement of resettlement, and possibility of project execution.
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이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화
정학기,Jung, Hakkee 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.11
본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다. This paper have analyzed the change of threshold voltage for conduction path of double gate(DG) MOSFET. The threshold voltage roll-off among the short channel effects of DGMOSFET have become obstacles of precise device operation. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the threshold voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The threshold voltages for conduction path have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and doping concentration. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the threshold voltage. Resultly, we know the threshold voltage is greatly influenced on the change of conduction path for device parameters of DGMOSFET.
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