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능선형상의 유전체 구조를 갖는 AC-PDP의 Xe 함량 변화에 대한 발광특성
남문호,김정민,최시영 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.8
In this paper, we suggest a new front panel structure with ridged front panel dielectric layer and hollow gap. The proposed structure can decrease a driving voltage and increase Xe content due to strong electric fields. In the experiment, we have used 6" test panel with 10 %, 15 %, 20 %, 30 % and 50 % Xe contents and 450 torr gas pressure. When comparing with a conventional structure in Xe 10 %, the proposed structure with same Xe content decreased a firing and sustain voltage by about 74 V and 79 V, also the luminance and luminous efficacy of proposed structure with 50 % Xe content were improved by about 33 % and 50.9 %..9 %. 본 논문에서는 방전유지전극사이에 유전체 공극이 존재하는 능선형상의 상판구조를 제안하였다. 이 구조는 상판의 방전 유지 전극사이 강한 전계를 이용하여 동작전압을 감소시킬 수 있고 이로 인한 Xe의 주입비율을 증가시켜 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 구조이다. 실험에서는 6인치 테스트 패널을 사용하였으며 기체 압력을 450 torr로 유지하면서 Xe 함량을 10 %, 15 %, 20 %, 30 %, 50 %로 변화하여 실험하였다. 실험결과, 10 %의 동일한 Xe 기체를 주입한 결과, 제안된 구조를 적용할 경우, 방전개시전압과 방전유지전압이 각각 79 V, 74 V 감소하였으며 10 %의 Xe을 주입한 일반적인 구조와 50 %의 Xe을 주입한 제안된 구조의 휘도와 발광효율 비교에서 본 논문에서 제안한 구조가 비슷한 구동전압 범위에서 일반적인 구조에 비하여 효율은 50.9 % 향상되었고, 휘도는 33 % 향상됨을 알 수 있었다.
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