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      • 광통신 용 VCSEL Array 상에 Microlens Array를 집적하기 위한 UV 성형 공정기술 개발

        한정원(Jeongwon Han),김석민(Seok-min Kim),김홍민(Hongmin Kim),이지승(Jeeseung Lee),임지석(Jiseok Lee),강신일(Shinill Kang) 한국정밀공학회 2004 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 Vol.2004 No.10월

        UV molding is a process for integrating micro/nano polymeric optical components on optoelectronic modules. In the present study, a microlens array for vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) to fiber coupling was designed, integrated and tested. At the design stage, design variables ware optimized to maximize the coupling efficiency, and tolerance analysis was carried out. At the integration stage, the UV transparent mold was fabricated and the microlens array on VCSEL array was integrated by UV molding process. Finally the coupling efficiency of VCSEL to fiber was measured and analyzed.

      • KCI등재

        A High Speed CMOS Arrayed Optical Transmitter for WPON Applications

        Choong-reol Yang(양충열),Sang-soo Lee(이상수) 한국통신학회 2013 韓國通信學會論文誌 Vol.38 No.6B

        본 논문은 멀티 채널의 어레이 집적 모듈을 갖는 광트랜시버를 위한 2.5 Gbps 어레이 VCSEL driver의 설계 및 구현에 관한 것이다. 본 논문에서는 광트랜시버에 적용된 1550 nm high speed VCSEL을 드라이브하기 위하여 0.18 μm CMOS 공정 기술을 이용하여 자동 광전력제어 기능을 갖는 2.5 Gbps VCSEL (수직 공진기 표면 방출 레이저) 드라이버 어레이를 구현하였다. 광트랜스미터의 폭넓은 대역폭 향상을 위해 2.5 Gbps VCSEL Driver에 네가티브 용량성 보상을 갖는 능동 궤환 증폭기 회로를 채용한 결과 기존 토폴로지에 비해 대역폭, 전압 이득 및 동작 안정성의 뚜렷한 향상을 보였다. 4채널 칩은 최대 변조 및 바이어스 전류하에서 1.8V/3.3V 공급에서 140 mW의 DC 전력만 소모하고, 다이 면적은 기존 본딩 패드를 포함하여 850 μm × 1,690 μm를 갖는다. In this paper, the design and layout of a 2.5 Gbps arrayed VCSEL driver for optical transceiver having arrayed multi-channel of integrating module is confirmed. In this paper, a 4 channel 2.5 Gbps VCSEL (vertical cavity surface emitting laser) driver array with automatic optical power control is implemented using 0.18 μm CMOS process technology that drives a 1550 μm high speed VCSEL used in optical transceiver. To enhance the bandwidth of the optical transmitter, active feedback amplifier with negative capacitance compensation is exploited. We report a distinct improvement in bandwidth, voltage gain and operation stability at 2.5Gbps data rate in comparison with existing topology. The 4-CH chip consumes only 140 mW of DC power at a single 1.8V supply under the maximum modulation and bias currents, and occupies the die area of 850 μm × 1,690 μm excluding bonding pads.

      • KCI등재

        0.18㎛ CMOS 3.1Gb/s VCSEL Driver 코아 칩 설계

        양충열(Choong-reol Yang),이상수(Sang-soo Lee) 한국통신학회 2013 韓國通信學會論文誌 Vol.38 No.1C

        본 논문에서는 0.18㎛ CMOS 공정 기술을 이용하여 광트랜시버에 사용된 1550 ㎚ 고속 VCSEL을 구동하는 드라이버 회로를 제안한다. 3.1Gb/s 데이터 속도에서 기존 구조에 비하여 향상된 대역폭, 이득 및 아이 다이어그램을 확인하였다. 본 논문에서는 다중채널 어레이 집적모듈을 갖는 광트랜시버에 응용하기 위한 3.1Gb/s VCSEL 드라이버의 설계 및 레이아웃을 확인한다. We propose a novel driver circuit design using 0.18㎛ CMOS process technology that drives a 1550 ㎚ high-speed VCSEL used in optical transceiver. We report a distinct improvement in bandwidth, voltage gain and eye diagram at 3.1Gb/s data rate in comparison with existing topology. In this paper, the design and layout of a 3.1Gb/s VCSEL driver for optical transceiver having arrayed multi-channel of integrating module is confirmed.

      • KCI등재

        Demonstration of Time- and Wavelength-Division Multiplexed Passive Optical Network Based on VCSEL Array

        문실구,이은구,이지현,박혁,강세경,이한협,김광옥,두경환,이현재,정환석,이종현,이상수,이정찬 한국전자통신연구원 2016 ETRI Journal Vol.38 No.1

        We demonstrate a time- and wavelength-division multiplexed passive optical network system employing a vertical-cavity surface-emitting laser array–based optical line terminal transceiver and a tunable bidirectional optical subassembly–based optical network terminal transceiver. A packet error–free operation is achieved after a 40 km single-mode fiber bidirectional transmission. We also discuss an arrayed waveguide grating, a photo detector array based on complementary metal–oxide–semiconductor photonics technologies, and low-cost key devices for deployment in access networks.

      • KCI등재

        A One-Kilobit PQR-CMOS Smart Pixel Array

        Kwon-Seob Lim,권오대,Jung-Yeon Kim,Sang-Kyeom Kim,Byeong-Hoon Park 한국전자통신연구원 2004 ETRI Journal Vol.26 No.1

        The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and dependent - T thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1-kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip-chip bonded to a 0.35 µm CMOS-based PQR laser driver. The PQR-CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization. to nanoampere range threshold currents and T-dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1-kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip-chip bonded to a 0.35 μm CMOS-based PQR laser driver. The PQR-CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization.

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