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그레이브스 갑상선기능항진증 환자의 방사성옥소 ( 131I ) 치료시 실제 유효반감기의 측정
김종순(Chong Soon Kim),김은실(Eun Sil Kim),소용선(Yong Seon So),김명선(Myung Seon Kim),권기현(Ki Hyun Kwon),김석환(Seok Whan Kim),김태형(Tae Hyung Kim),한상웅(Sang Woong Han) 대한핵의학회 1996 핵의학 분자영상 Vol.30 No.1
N/A Radioiodine[131I] has been used for the treatment of Graves' hyperthyroidism since the late 1940's and is now generally regarded as the treatment of choice for Graves' hyperthyroidism who does not remit following a course of antithyroid drugs. But for the dose given, several different protocols have been described by different centers, each attempting to reduce the incidence of long-term hypothyroidism while maintaining an acceptable rate control of Graves' hyperthyroidism. Our goals were to evaluate effective half-life and predict absorbed dose in Graves' hyperthyroidism patients, therefore, to calculate and readminister radioiodine activity needed to achieve aimed radiation dose. Our data showed that the mean effective 131I half-life for Graves' disease is 5.3 days(S.D=0.88) and mean biologic half-life is 21 days, range 9.5-67.2 days. The mean admininistered activity and the mean values of absorbed doses wert: 532 MBq(S.D.=254), 112 Gy (S.D.=50.9), respectively. The mean activity needed to achieve aimed radiation dose were 51 MBq and marked differences of 131I thyroidal uptake between tracer and therapy ocurred in our study. We are sure that the dose calculation method that uses 5 days thyroidal 131I uptake measurements after tracer and therapy dose, provides sufficient data about the effective treatment in Graves' hyperthyroidism
자연과학 : 인터벌 무산소성 윈게이트 훈련 및 훈련중지에 따른 심폐계 변화
윤재량 ( Jae Ryang Yoon ),김동건 ( Dong Geon Kim ),김석환 ( Seok Whan Kim ),전해섭 ( Hae Sub Jeon ) 한국스포츠정책과학원(구 한국스포츠개발원) 2010 체육과학연구 Vol.21 No.1
이 연구의 목적은 인터벌 무산소성 윈게이트 훈련을 일반학생 집단은 2주간, 엘리트 레슬링선수 집단은 6주간 동일한 훈련프로그램을 처치하였을 때, 처치 전과 후, 그리고 직후 10일간의 훈련중지 후에 각 집단의 심폐계의 변화를 규명하는 데 있다. 엘리트 레슬링선수 집단은 주3회의 화, 목, 토요일에 각각 6, 7, 4회의 윈게이트테스트 훈련을 실시하였고, 일반대학생 집단은 월, 수, 금요일에 각각 4, 5, 6회의 윈게이트테스트 훈련을 실시하였다. 그 직후 10일 동안의 동일한 훈련중지를 처치하였다. 이러한 처치방법은 각각 실험기간 동안 동일하게 실시하였다. 그리고 두 집단 모두 각각 80%VO2max 수준에서 자신이 사이클링할 수 있는 최대능력까지 수행한 후 각 시기마다 운동지속시간, 최대산소섭취량, 환기량, 호흡교환율, 심박수 등의 심폐계 변인을 측정한 후 반복있는 일원 변량분석한 결과, 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 운동지속시간과 호흡교환율은 선수집단의 경우 인터벌 무산소성 윈게이트 파워훈련이 처치 전에 비해 처치 후 및 중지 직후에 유의한 영향을 미치지 않았으나, 비선수집단의 경우 인터벌 무산소성 윈게이트 파워훈련이 훈련처치 전에 비해 처치 후 및 중지 직후에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 둘째, 환기량, 최대산소섭취량, 심박수는 선수집단과 비선수집단 모두 인터벌 무산소성 윈게이트 파워훈련이 처치 전에 비해 훈련처치 후 및 훈련중지 후에 유의한 영향을 미치지 않은 것으로 나타났다. 결론적으로 적어도 비선수집단에게는 인터벌 무산소성 윈게이트파워 훈련방법은 심폐지구력을 향상시킬 수 있다는 가능성을 시사한 것이며, 유산소성 지구력을 증가시키기 위해서는 이러한 인터벌 윈게이트테스트 형태의 훈련방법이 유산소성 지구력 훈련방법에 대한 하나의 대안이 될 수 있을 것으로 사료된다. 향후 후속 연구에서는, 선수집단에서만 유의한 차이를 보이지 않았다는 점을 고려하여 고도로 훈련이 잘된 선수집단에게는 훈련처치강도, 훈련처치기간, 그리고 훈련처치빈도를 보다 강화 하는 등의 보다 면밀하게 훈련처치 프로그램을 계획하여 연구할 필요성이 있다. The purpose of this study was to investigate the effect on cardiorespiratory responses from 30sec sprint interval wingate test(SIT) in college students and elite athletes. In this regard, cardiorespiratory variables such as cycling endurance time, maximal oxygen uptake (VO2max), ventilation (VE), respiratory exchange rate (RER), heart rate (HR) were investigated before, immediately after training and post detraining. As a result, in a group of elite athletes cycling endurance time and RER did not show any change post training and detraining vs. pre-training. On the other hand, in a group of non-athlete, cycling endurance time and RER were significantly changed when pre-training compared to post training and detraining. Ventilation(VE), VO2max and HR were not significantly changed in both all groups compared to post training and detraining. Taken together, sprint interval wingate test(SIT) of anaerobic training applied for this study might be a potential way of training to improve cardiorespiratory ability in non-atheltes, and 30sec sprint interval training (i.e., Wingate test) could be an alternative training method to improve aerobic & cardiorespiratory capacity in untrained subjects. To improve aerobic/cardiorespiratory capacity through anaerobic training for elite athletes, future study needs to apply sprint interval training program with stronger intensity, longer period and more frequency than SIT program used in current study. Sprint interval training in current study improved several variables related to aerobic/cardiorespiratory capacity only in non-athletes` group.
HVPE 방법에 의한 금속 화합물 탄소체 기판 위의 GaN 성장
김지영,이강석,박민아,신민정,이삼녕,양민,안형수,유영문,김석환,이효석,강희신,전헌수,Kim, Ji Young,Lee, Gang Seok,Park, Min Ah,Shin, Min Jeong,Yi, Sam Nyung,Yang, Min,Ahn, Hyung Soo,Yu, Young Moon,Kim, Suck-Whan,Lee, Hyo Suk,Kang, Hee Shi 한국결정성장학회 2013 韓國結晶成長學會誌 Vol.23 No.5
GaN는 대표적인 III-V족 질화물반도체로 주로 값싸고 다루기 쉬운 사파이어 기판 위에 성장된다. 하지만 사파이어 기판은 부도체이며, GaN과의 격자부정합을 일으키고 열전도도 또한 낮은 기판으로 알려져 있다. 본 논문에서는 방열기능과 열 전기전도도가 뛰어난 금속 화합물 탄소체 기판 위에 poly GaN epilayer를 HVPE법으로 성장시켜보았다. 비정질의 금속 화합물 탄소체 기판위에 성장되는 GaN epilayer의 성장메카니즘을 관찰하였다. GaN epilayer의 성장을 위해 HCl과 $NH_3$를 흘려주었다. 성장하기 위해 source zone과 growth zone의 온도는 각각 $850^{\circ}C$와 $1090^{\circ}C$로 설정했다. 성장이 끝난 샘플은 SEM, EDS, XRD측정을 통해 분석하였다. The GaN layer was typical III-V nitride semiconductor and was grown on the sapphire substrate which cheap and convenient. However, sapphire substrate is non-conductivity, low thermal conductivity and has large lattice mismatch with the GaN layer. In this paper, the poly GaN epilayer was grown by HVPE on the metallic compound graphite substrate with good heat dissipation, high thermal and electrical conductivity. We tried to observe the growth mechanism of the GaN epilayer grown on the amorphous metallic compound graphite substrate. The HCl and $NH_3$ gas were flowed to grow the GaN epilayer. The temperature of source zone and growth zone in the HVPE system was set at $850^{\circ}C$ and $1090^{\circ}C$, respectively. The GaN epilayer grown on the metallic compound graphite substrate was observed by SEM, EDS, XRD measurement.
선택성장영역 크기에 따른 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 MOCVD-발광다이오드 소자의 특성
배선민,전헌수,이강석,정세교,윤위일,김경화,양민,이삼녕,안형수,김석환,유영문,하홍주,Bae, Seon-Min,Jeon, Hun-Soo,Lee, Gang-Seok,Jung, Se-Gyo,Yoon, Wi-Il,Kim, Kyoung-Hwa,Yang, Min,Yi, Sam-Nyung,Ahn, Hyung-Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young-Moon 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.1
In general, the fabrications of the LEDs with mesa structure are performed grown by MOCVD method. In order to etch and separate each chips, the LEDs are passed the RIE and scribing processes. The RIE process using plasma dry etching occur some problems such as defects, dislocations and the formation of dangling bond in surface result in decline of device characteristic. The SAG method has attracted considerable interest for the growth of high quality GaN epi layer on the sapphire substrate. In this paper, the SAG method was introduced for simplification and fabrication of the high quality epi layer. And we report that the size of selective area do not affect the characteristics of original LED. The diameter of SAG circle patterns were choose as 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$. The SAG-LEDs were measured to obtain the device characteristics using by SEM, EL and I-V. The main emission peaks of 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$ were 485, 480, 450, and 445 nm respectively. The chips of 350, 200 ${\mu}m$ diameter were observed non-uniform surface and resistance was higher than original LED, however, the chips of 2500, 1000 ${\mu}m$ diameter had uniform surface and current-voltage characteristics were better than small sizes. Therefore, we suggest that the suitable diameter which do not affect the characteristic of original LED is more than 1000 ${\mu}m$. 일반적으로 mesa 구조의 발광다이오드 제작은 MOCVD법으로 수행되고 있다. 특히 개개의 발광다이오드 칩을 식각하고 분리하기 위해서 발광다이오드는 반응성이온식각(RIE)공정과 절단(scribing) 공정을 거치게 된다. 플라즈마를 이용한 건식식각공정인 RIE 공정은 결함, 전위, 표면의 댕글링 본드 형성과 같은 몇 가지 문제점을 유발하고, 이러한 이유로 인해 소자 특성을 저하시킨다. 선택영역성장법은 사파이어 기판 위에 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 방법으로써 주목받고 있다. 본 논문에서는 고품질의 막을 제작하고 공정을 간소화하기 위해서 선택영역성장법을 도입하였고, 기존의 발광다이오드 특성에 영향을 주지 않는 선택영역의 크기를 규정하고자 한다. 실험에 사용된 원형의 선택성장영역의 직경크기는 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$이고, 선택성장 된 발광다이오드의 소자 특성을 얻고자 SEM, EL, I-V 측정을 시행하였다. 주된 발광파장의 위치는 직경크기 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$에서 각각 485, 480, 450, 445 nm로 측정되었다. 직경 350, 200 ${\mu}m$에서는 불규칙한 표면과 기존 발광다이오드보다 높은 저항 값을 얻을 수 있었지만, 직경 2500, 1000 ${\mu}m$에서는 평탄한 표면과 앞서 말한 350, 200 ${\mu}m$의 특성보다 우수한 전류-전압 특성을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로 기존 발광다이오드의 특성에 영향을 주지 않는 적당한 선택성장 직경크기는 1000 ${\mu}m$ 이상임을 확인하였다.