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김영훈,박원주,이동인,김충년,이광식 嶺南大學校 工業技術硏究所 1995 工業技術硏究所論文集 Vol.23 No.1
In this paper, the detect of insulation disorder and process degree of insulation degradation of power apparatus, the waveform of discharge current, magnitude of discharge and frequency spectrum of the electromagnetic wave radiated from partial discharge by simulating with needle-to-plane electrode geometry and dielectric with artificial void, were investigated. The results obtained can be summarized as follows. 1) Streamer pulses occur near the positive cycle and trichel pulses near the peak of negative cycle of applied voltage. At that time, discharge magnitude of trichel pulses and streamer pulses was observed about 200[pC] and 500[pC] in air, respectively. 2) The level and frequency spectrum of radiated electromagnetic waves were increased about 20∼40[dB] at under 200[MHz] and about 2∼3[dB] above 200[MHz], compared with background noises. 3) A sudden change of discharge magnitute above 20∼30[pC] was observed with various applied voltages, but the magnitude showered to tend to saturate at 300∼300[pC] in dielectric. 4) The level and frequency spectrum of radiated electromagnetic waves were increased about 3∼6[dB] under 200[MHz]and about 2∼3[dB] above 200 [MHz], compared with background noises.
Kim, Seong Kwang,Shim, Jae-Phil,Geum, Dae-Myeong,Kim, Jaewon,Kim, Chang Zoo,Kim, Han-Sung,Song, Jin Dong,Choi, Sung-Jin,Kim, Dae Hwan,Choi, Won Jun,Kim, Hyung-Jun,Kim, Dong Myong,Kim, Sanghyeon Institute of Electrical and Electronics Engineers 2018 IEEE transactions on electron devices Vol.65 No.5
<P>In this paper, we fabricated In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As-on insulator (OI) MOSFETs on Si substrates with different doping types to mimic ground plane doping using direct wafer bonding and epitaxial lift-off (ELO) techniques. We investigated the impact of doping types on the ground plane and the backgate biasing, which are important and preferable components in monolithic 3-D (M3D) integration, on the electrical properties of MOSFETs, such as the threshold voltage ( <TEX>${V} _{T}$</TEX>) and the effective mobility ( <TEX>$\mu _{\textsf {eff}}$</TEX>). It was found that <TEX>${V} _{T}$</TEX> and <TEX>$\mu _{\textsf {eff}}$</TEX> were significantly modulated by the backsubstrate doping and the backbiasing. These observations were explained by the change of carrier distributions, which were confirmed by technology computer-aided design simulation. Furthermore, we investigated the reusability of InP donor substrates for sequential epitaxial growth after ELO process toward a cost-effective M3D integration with the In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As channel.</P>
Kim, Seong Kwang,Shim, Jae-Phil,Geum, Dae-Myeong,Kim, Chang Zoo,Kim, Han-Sung,Song, Jin Dong,Choi, Sung-Jin,Kim, Dae Hwan,Choi, Won Jun,Kim, Hyung-Jun,Kim, Dong Myong,Kim, Sanghyeon Institute of Electrical and Electronics Engineers 2017 IEEE transactions on electron devices Vol.64 No.9
<P>Defect less semiconductor-on-insulator (-OI) by a cost-effective and low-temperature process is strongly needed for monolithic 3-D integration. Toward this, in this paper, we present a cost-effective fabrication of the indium gallium arsenide-OI structure featuring the direct wafer bonding (DWB) and epitaxial lift-off (ELO) techniques as well as the reuse of the indium phosphide donor wafer. We systematically investigated the effects of the prepatterning of the III-V layer before DWB and surface reforming (hydrophilic) to speed up the ELO process for a fast and high-throughput process, which is essential for cost reduction. Thismethod provides an excellent crystal quality of In0.53Ga0.47As on Si. Crystal quality of the film was evaluated using Raman spectra, and transmission electron microscope. Finally, we achieved good electrical properties of In0.53Ga0.47As-OImetal-oxide-semiconductorfield-effect-transistors fabricated through the proposed DWB and ELO.</P>
김영민(Young-Min Kim),박정환(Jung-Hwan Park),지승욱(Seung-Wook Jee),이광식(Kwang-Sik Lee),김민수(Min-Soo Kim),김정배(Jung-Bae Kim),박원주(Won-Zoo Park) 한국조명·전기설비학회 2006 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.11월
본 연구는 GIS용 광CT에서 3가지 신호처리방법을 각각 A,B,C로 명명하고 그 출력 특성을 비교분석 하였다. 도체주변에 감겨진 광섬유 코일을 따라 선형편광축이 자기장에 의해 회전하는 Faraday effect를 이용한 GIS용 광 전류센서를 구성하였다. 광원은 1310[㎚]의 레이저 다이오드를 이용하였다. 센서부는 GIS에 맞게 원형으로 제작하였고 9/125[㎛]규격 단일모드 광섬유를 센서부에 설치하였다. 200[A]~1400[A]까지의 전류에 대하여 신호처리 A,B,C의 방법으로 비교분석하였다. 신호처리A와 신호처리B에서의 오차율은 각각 광도의 변화와 광회로 내의 노이즈의 영향을 받아 나타난 것 때문이다. 또 광도의 변화에 의한 오차율보다는 광회로 내의 노이즈에 의한 오차율이 더 큰 영향을 끼치는 것으로 나타났다. 신호처리C는 앞의 두 신호처리에서 발생한 오차 원인들의 영향을 제거하여 이론치에 근접한 출력을 보여 우수한 감도를 보였으며 400[A]이상에서는 1[%]미만의 우수한 오차율을 보여주었다.
김영민(Young-Min Kim),송현직(Hyun-Jig Song),박원주(Won-Zoo Park),이광식(Kwang-Sik Lee),김민수(Min-Soo Kim),김정배(Jung-Bae Kim) 한국조명·전기설비학회 2005 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.11월
본 연구는 페러데이 효과(Faraday Effect)를 이용한 GIS용 광 CT의 개발을 위하여 출력신호의 정밀성과 안정성 향상을 위한 신호분석 시스템에 대해 검토하였다. 기존 광 CT의 Verdet 상수 의존도와 온도에 따른 특성 및 노이즈에 대한 정밀성을 개선하기 위해 신호처리 시스템을 이용하여 신호를 균일화 시키고 온도 보상 프로그래밍을 이용하여 온도 특성에 따른 오차를 저감시키고자 한다. 또한 신호 계측부와 신호 처리부를 분리하여 신호 처리부를 프로그래밍 시켜 실시간으로 광 CT 특성을 모니터링 할 수 있는 시스템을 연구 검토하였다.
김영민(Young-Min Kim),지승욱(Seung-Wook Jee),이광식(Won-Zoo Park),김민수(Kwang-Sik Lee),김정배(Min-Soo Kim),박원주(Jung-Bae Kim) 한국조명·전기설비학회 2006 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.5월
본 연구는 도체주변에 감겨진 광섬유 코일에 따라 선형편광축이 자기장에 의해 회전하는 Faraday Effect 를 이용한 GIS(Gas Insulated Switchgear ,이하 GIS) 용 광 전류센서의 구성과 DAQ(Data Acquisition ,이하 DAQ)보드를 장착한 PC를 이용하여 실시간 데이터 취득, 분석 그리고 저장을 동시에 수행하였다. 광원은 1310[㎚]의 레이저 다이오드를 이용하였다. 센서부는 GIS에 맞게 원형으로 제작하였고 9/125[㎛]규격 단일모드의 일반 통신용 광섬유를 지름 31[㎝]의 센서부 코어에 20[회] 감아 설치하였다. PC기반의 실시간 데이터 분석 프로그래밍은 NI사의 Labview를 이용하여 코딩하였으며 PD(Photo Diode ,이하 PD)의 전기적인 신호는 터미널 블록을 거쳐 NI사의 16bit DAQ M시리즈를 이용하여 수집되어진다. 직접 코딩한 프로그램을 이용하여 700A~1400A 측정한 출력값 선형적인 증가추세를 보여주었다. 또한 OCS(Oscilloscope ,이하 OCS)를 이용한 측정시스템과의 출력신호 및 정밀도를 비교 검토하였다. 그리고 Labview에서 지원하는 Web Tool기능을 이용하여 Web기반의 원거리 측정에서도 안정된 출력을 보여주었다.
A Comparison of Signal Processing Techniques in Optical Current Sensor for GIS
Kim, Young-Min,Park, Jung-Hwan,Jee, Seung-Wook,Lee, Kwang-Sik,Kim, Jung-Bae,Park, Won-Zoo The Korean Institute of IIIuminating and Electrica 2006 조명·전기설비학회논문지 Vol.20 No.9
This research is contents about output characteristic of optic current sensor that use faraday effect. optic current sensor used in an experiment is consisted of three parts.(1) Source of light used laser diode of 1310[nm].(2) Sensor section manufactured circularly according to gas insulated switchgear. And $9/125[{\mu}m]$ standard single mode optical fiber for communication was installed winding 20 [turn] on sensor section core surroundings of diameter 31 [cm].(3) Electrical signal of PD(Photo detector) is collected using NI company's 16bit DAQ board via terminal block. Collected data analyzed by different three signal processing methods. NI company's $Labview^{TM}$ was used to signal processing software. As a result, In signal processing of optic current sensor, we could know that noise greatly more influences the error generation than fluctuation of light intensity. also, 1 class CT(current transformer) manufacture that have error rate less than 1[%] was available by removing these