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강동민(Kang, Dong Min),김경석(Kim, Gyeong Seok) 대한교통학회 2015 대한교통학회 학술대회지 Vol.72 No.-
이 연구는 시험운영단계에 있는 첨단도로교통 시설물 통합제어기술의 경제성 분석을 목적으로 하고 있다. 과거 약 20여년간 추진되 었던 다양한 사업에 의해 많은 첨단도로시설물들이 도로상에 구축되었으며, 최근에는 이들 시설물들의 비표준화에 따른 장비 설 치․교환의 유연성 부족, 개별 시스템의 전력수급 및 유지관리 비효율 등의 문제점과 많은 지주 및 함체로 인한 도시가로의 미관저해 등의 사회적 문제가 대두하고 있다. 따라서 본 연구에서는 7가지 주요 첨단도로시설물들의 제어부(함체 및 지주)를 통합하 여 이러한 문제점을 극복하고 효율적인 현장관리와 데이터의 융복합에 의한 다양한 신규 정보제공 등이 가능한 통합제어기술을 실용 화하는 과정에서 이들의 경제성 분석결과를 제시하고 있다. 기존 개별 시스템의 경제성 분석은 일부 제시되고 있으나, 이러한 통합제 어기술의 경제성 분석방법은 사례가 없어 향후 최근 이슈가 되고 있는 각종 기술의 통합․융합에 따른 경제성 평가방법의 새로운 틀 을 제시하는 것에서 의미를 찾을 수 있다. 단지 여기에서는 도시미관개선, 신규 정보가치 등의 간접효과보다는 실제 구축비용을 중심 으로한 직접 효과를 대상으로 분석을 하였으며, 향후 이러한 간접효과에 대한 분석 또한 연구가 필요하다. 분석결과, 통합범위를 기준 으로 최대 7개 도로시설물이 통합이 가능하며, 이 경우 구축비용은 최대 64%까지의 절감효과를 나타났다.
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력증폭기
강동민(Dong-Min Kang),민병규(Byoung-Gue Min),이종민(Jong-Min Lee),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),김성일(Sung-Il Kim),안호균(Ho-Kyun Ahn),김동영(Dong-Young Kim),김해천(Hae-Cheon Kim),임종원(Jong-Won Lim),남은수(Eun-Soo Nam) 한국전자파학회 2016 한국전자파학회논문지 Vol.27 No.1
본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다. This paper describes the successful development and the performance of X-band 50 W pulsed power amplifier using a 50 W GaN-on-SiC high electron mobility transistor. The GaN HEMT with a gate length of 0.25 μm and a total gate width of 12 mm were fabricated. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 50 W with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2~9.5 GHz. It also shows a maximum output power density of 4.16 W/mm. This 50 W GaN HEMT and X-band 50 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.
40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기
강동민(Dong-Min Kang),민병규(Byung-Gyu Min),이종민(Jong-Min Lee),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),김성일(Sung-Il Kim),안호균(Ho-Kyun Ahn),임종원(Jong-Won Lim),남은수 대한전자공학회 2015 대한전자공학회 학술대회 Vol.2015 No.6
This paper describes the successful development and the performance of X-band 40 W pulsed power amplifier using a 40 W GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistor(HEMT). The GaN HEMT with a gate length of 0.25 ㎛ and a total gate width of 12 mm were fabricated. The GaN HEMT provide a linear gain of 6 dB with 42 W output power operated at 30V drain voltage in pulse operation with a pulse width 100 ㎲ and 10 % duty cycle at X-band. It also shows a maximum output power density of 3.3 W/mm. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 42 W(46.2 dBm) with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2 - 9.5 GHz.. This 40 W GaN HEMT and X-band 40 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.