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MCM-D 공정기술을 이용한 V-BAND FILTER 구현에 관한 연구
유찬세,송생섭,박종철,강남기,차종범,서광석,Yoo Chan-Sei,Song Sang-Sub,Part Jong-Chul,Kang Nam-Kee,Cha Jong-Bum,Seo Kwang-Seok 대한전자공학회 2006 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.43 No.9
본 연구에서는 Si bump를 이용해 기판의 기계적, 열적 특성을 개선한 MCM-D 기판공정을 개발하였고, 이를 system-on-package(SOP)-D개념의 system 구현에 적용하고자 하였다. 이 과정에서 밀리미터파 대역에 적용될 수 있는 필터를 설계하고 구현하여 그 특성을 관찰하였다. 두 가지 형태의 필터를 구현하였는데 첫 번째는 공진기간의 커플링을 이용한 구조로서 2층의 금속층과 3층의 유전체(BCB)를 이용하였다. 구현된 필터 특성은 중심주파수 55 GHz에서의 삽입손실이 2.6 dB이고 군지연이 0.06 ns정도로 우수한 특성을 나타내었다. 또한 일반적으로 알려진coupled line 형태의 필터를 구현하였는데 삽입손실이 3 dB, 군지연이 0.1 ns정도의 특성을 나타내었다. 이렇게 내장형 필터를 포함한 MCM-D 기판은 MMIC를 flip-chip 방법으로 실장 할 수 있어서 집적화된 밀리미터파 대역 초소형 system 구현에 적용되어 우수한 특성을 나타낼 것으로 기대된다. Novel system-on-package (SOP) - D technology to improve the mechanical and thermal properties of a MCM-D substrate was suggested. Based on this investigation, the two types of band pass filters for the V-band application with unique structure were designed and implemented using 2-metals, 3-BCB layers. The first type using distributed resonator had the insertion loss below 2.6 dB at 55 GHz and group delay was below 0.06 ns. For the second type with edge coupled structure, the insertion loss and group delay were 3 dB and 0.1 ns, respectively. Suggested MCM-D substrate with band pass filter can be used to evaluate mm-Wave system including flip-chip bonded MMIC.
김영희(Young-Hee Kim),김홍주(Hong-Zhou Jin),차진솔(Jin-Sol Cha),황창윤(Chang-Yoon Hwang),이동현(Dong-Hyeon Lee),라자 무하마드 살만(R. M. Salman),박경환(Kyung-Hwan Park),김종범(Jong-Bum Kim),하판봉(Pan-Bong Ha) 한국정보전자통신기술학회 2020 한국정보전자통신기술학회논문지 Vol.13 No.5
기존에 진성난수 생성기를 위한 베타선 센서 회로의 아날로그 회로와 비교기 회로에 사용되는 파워와 그라운드 라인은 서로 공유하므로 비교기 회로의 디지털 스위칭에 의해 발생되는 파워와 그라운드 라인에서의 전압강하가 CSA를 포함한 아날로그 회로의 출력 신호 전압이 감소하는 원인이었다. 그래서 본 논문에서는 디지털 스위칭 노이즈의 source인 비교 기 회로에 사용되는 파워와 그라운드 라인을 아날로그 회로의 파워와 그라운드 라인과 분리하므로 CSA(Charge Sensitive Amplifier) 회로를 포함한 아날로그 회로의 출력신호전압이 감소되는 것을 줄였다. 그리고 VREF(=1.195V) 전압을 VREF_VCOM과 VREF_VTHR 전압으로 변환해주는 전압-전압 변환기 회로는 PMOS current mirror를 통해 IREF를 구동할 때 PMOS current mirror의 드레인 전압이 다른 경우 5.5V의 고전압 VDD에서 channel length modulation effect에 의해 각각의 current mirror를 통해 흐르는 구동 전류가 달라져서 VREF_VCOM과 VREF_VTHR 전압이 감소하는 문제가 있다. 그래서 본 논문에서는 전압-전압 변환기 회로의 PMOS current mirror에 PMOS 다이오드를 추가하므로 5.5V의 고전압에서 VREF_VCOM과 VREF_VTHR의 전압이 down되지 않도록 하였다. Since the analog circuit of the beta ray sensor circuit for the true random number generator and the power and ground line used in the comparator circuit are shared with each other, the power generated by the digital switching of the comparator circuit and the voltage drop at the ground line was the cause of the decreasein the output signal voltage drop at the analog circuit including CSA (Charge Sensitive Amplifier). Therefore, in this paper, the output signal voltage of the analog circuit including the CSA circuit is reduced by separating the power and ground line used in the comparator circuit, which is the source of digital switching noise, from the power and ground line of the analog circuit. In addition, in the voltage-to-voltage converter circuit that converts VREF (=1.195V) voltage to VREF_VCOM and VREF_VTHR voltage, there was a problem that the VREF_VCOM and VREF_VTHR voltages decrease because the driving current flowing through each current mirror varies due to channel length modulation effect at a high voltage VDD of 5.5V when the drain voltage of the PMOS current mirror is different when driving the IREF through the PMOS current mirror. Therefore, in this paper, since the PMOS diode is added to the PMOS current mirror of the voltage-to-voltage converter circuit, the voltages of VREF_VCOM and VREF_VTHR do not go down at a high voltage of 5.5V.
아레니우스-와이블 모형을 이용한 리드프레임 도금두께의 가속수명시험 설계
정권석,차종범,김광섭 대한설비관리학회 2001 대한설비관리학회지 Vol.6 No.4
This paper proposes the standardization in the field of education and training for maintenance personnel. This is particularly important because of the following reasons: firstly, most of sophisticated system or equipment are getting more and more important in terms of cost, quality, product liability, etc. and so the economic and social responsibilities of maintenance men play more important role in business activities. Secondly, maintenance works have been one of 3D jobs and so it is required for maintenance men to have motivation for higher performance. Even though maintenance works depend upon contingency factors, the development of standards of maintenance works and appropriate education and training, and implementation through the incorporation in national standards or possibly internationally are necessary. This paper identifies 5 kinds of skills and each skill includes 6 to 11 different kinds of sub skills and is classified as 3 levels, such as basic, technical and specialty.
전자부품용 구리 리드선의 도금두께에 따른 납땜특성에 관한 연구
홍원식,장현덕,이관훈,차종범,송병석 대한설비관리학회 2002 대한설비관리학회지 Vol.7 No.1
The purpose of this study is to find out optimum electroplating thickness of Ni and SnPb on electronic component to be warranted the solderability during one year storage. The thickness of electroplating on electronic component has strong relationship with the failure rate of component. This is one of the key factors to make a system to degrade. Because the poor electroplating results in de-wetting or non-wetting status during soldering process. we choose the copper(φ=0.8mm) wire for sample, and then Ni and SnPb electrodeposited on it with different thickness each other. The specimens were tested under the steam ageing tester and dry oven to investigate accelerated ageing factor. In case of steam ageing test, the test times are 4, 20 hours and in the case of dry heat test, 4, 16 hours. Also we measured the intermetallic compounds thickness of Cu/Ni/SnPb using by SEM(Scanning Electron Microscope). From these analyses, we suggest to optimize plating thickness to insure the solderability during one year storage.