http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Diglycidyl ether of bisphenol A/Methylene dianiline/Succinonitrile계의 경화반응 속도론
조성우,심미자,김상옥,Jo, Seong-U,Sim, Mi-Ja,Kim, Sang-Ok 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.4
The cure kinetics of a diglycidyl ether of bisphenol A (DGEBA) with 4, 4'-methylene dianiline (MDA) added succinonitrile was studied through the dynamic run method by applying the data to the Kissinger equation which analyses the effect of the heating rate on the temperature at maximum reaction rate using Differential Scanning Calorimetry (DSC) analyzer in the range of 3$0^{\circ}C$-35$0^{\circ}C$. In the DGEBA/MDA system with SN, the activation energy ($E_a$) and the pre-exponential factor (A) were calculated. From these results, the rate constants (k) were obtained according to the different SN contents. Diglycidyl ether of bisphenol A (DGEBA)와 경화제로서 4, 4'-methylene dianiline(MDA) 에 반응성 첨가제 succinonitrile(SN)을 첨가한 새로운 계를 Differential Scanning Calorimetry (DSC)로 이용하여 3$0^{\circ}C$부터 35$0^{\circ}C$의 온도 범위에서 승온적 진행 방범(dynamic run method)으로 얻은 값을 가지고 최대 반응속도에서의 온도에 승온속도가 미치는 영향을 해석 할 수 있는 kissinger식을 적용하여 경화반응 속도론을 연구하였다. SN을 첨가한 DGEBA/MDA계의 활성화에너지 ($E_a$)와 pre-exponential factor(A) 그리고, SN이 첨가될 때 에폭시와 아민과의 반응속도 상수 k를 구하였다.
구리 흡착에 의한 비정질 실리콘 박막의 저온 결정화 거동
조성우,손동균,이재신,안병태,Jo, Seong-U,Son, Dong-Gyun,Lee, Jae-Sin,An, Byeong-Tae 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.3
Copper ions were adsorbed on amorphous Si films by spincoating of Cu solutions and were employed as surface nucleation sites for low-temperature crystallization. The crystallization temperature can bc lo~vered down to $500^{\circ}C$ and rhe crystallization time can be shortened by Cu adsorption. The Cu-adsorbed amorphous films were crystallized by fractal growth with the shape of tree branches. The fractal size ranged from $30 to 300{\mu}m$, depending on the Cu solution concentration. The fractals consisted of f e a t h e r like elliptical grains with the size of $0.3~0.4{\mu}m$. which was comparable to that of the intrinsic films crystallized at $600^{\circ}C$. Both the nucleation activation energy and grotvth activation energy decreased as the Cu concentration in the solution increased. The results suggest thcit the adsorbed Cu increases preferred nucleation sites at the surface and enhmces crystallization by reducing thc activation energies of nucleation and growth. 비정질 실리콘 박막 위에 구리용액을 스콘코팅하여 구리이온을 흡착시킨 후 이를 표면 핵생성 site로 이용하는 새로운 저온 결정화 방법에 관하여 연구하였다. 구리 흡착으로 LPCVD비정질 실리콘 박막의 결정화온도를 $500^{\circ}C$까지 낮출 수 있었고 결정화시간도 크게 단축되었다. $530-600^{\circ}C$에서 어닐링시 구리가 흡착된 비정질 실리콘 막은 나뭇가지 형태의 fractal을 이루며 결정화되었다. 이때 fractal크기는 구리용액의 농도에 따라 $30-300{\mu}m$로 성장하였다. Fractal의 내부는 새 털 모양의 타원형 결정립으로 구성되어 있으며 TEM 에 의한 최종 결정립의 크기는 $0.3-0.4{\mu}m$로 intrinsic 비정질 실리콘 박막을 $600^{\circ}C$에서 어닐링하였을 때화 크기가 비슷하였다. 구리용액의 농도 증가에 따라 핵생성 활성화 에너지와 결정성장 활성화 에너지가 감소하였다. 결과적으로 구리 흡착이 표면에서 우선 핵생성 site를 증가시키고 핵생성 및 fractal 성장에 필요한 활성화 에너지를 모두 낮추어 저온에서도 결정화가 촉진되었음을 알 수 있었다.