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CF_4가스의 MCS-BE법에 의한 전자군파라미터 해석
하성철,임상원 동국대학교 산업기술연구원 1996 산업기술논문집 Vol.8 No.-
본 연구에 의해 산출된 전자군파라미터는 시뮬레이션에 의하여 약전리 플라즈마의 많은 정보 뿐만아니라 특히 원자들과 분자들에 의한 저 에너지 전자산란이론의 중요한 데이타로서 공헌이 기대되어진다. 본 논문에서는 CF_4가스의 전자수송특성을 볼쯔만방정식과 몬테칼로 시뮬레이션에 의해 E/N : 1~ 300(Td)범위에서 해석하였다. 전자의 운동은 전자이동속도, 확산계수, 특성에너지, 평균에너지 등의 전자군 파라미터와 전자에너지 분포함수에 의해 계산되었다. CF_4가스에서 전자에너지 분포함수는 E/N=50, 100, 200(Td)에서 평균전자에너지의 평형영역에서 해석하였다. 볼쯔만방정식과 몬테칼로 시뮬레이션의 결과는 Y.Nakamura와 M. Hayashi의 실험 데이타와 비교 검토하였다. The swarm parameter from the swarm study are expected to serve as a critical test of current theories of low energy electron scattering by atoms and molecules, in particular, as well as crucial information for quantitative simulations of weakly ionized plasmas. In this paper, the electron transport characteristics in CF_4 has been analysed over the E/N range 1~300(Td) by a two-term approximation Boltzmann equation method and by a Monte Carlo simulation. The motion has been calculated to give swarm parameters for the electron drift velocity(W), diffusion coefficient(D_L), the ratio of the diffusion coefficient to the mobility(D_L/μ), mean energy(ε ̄), the electron energy distribution function. The electron energy distribution function has been analysed in CF_4 at E/N=50, 100 and 200(Td) for a case of the equilibrium region in the mean electron energy. The results of Boltzmann equation and Monte Carlo simulation have been compared with experimental data by Y. Nakamura and M. Hayashi.
이형윤,하성철,유회영,김상남,임상원,문기석 동국대학교 산업기술연구원 1997 산업기술논문집 Vol.9 No.-
This paper describes the discharge parameters in SiH_4 gas calculated for the range of E/N values from 0.5~300(Td) by the Monte Calro simulation and Boltzmann equation method using a set of electron collision cross sections determined by the authors and the values of the discharge parameters are obtained for the TOF method. The theoretical results of the discharge parameter such as the electron drift velocity, characteristic energy agree with the experimental values for the range of E/N. The electron energy distributions function were analyzed in monosilane at the E/N : 30, 50(Td) for a case of equilibrium region in the mean electron energy. The validity of the results obtained has been confirmed by the TOF method.