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서제형,정승욱,이원선,최윤성,최명운,최진철,최광호,Seo, J.H.,Jung, S.W.,Lee, W.S.,Choi, Y.S.,Choi, M.W.,Choi, J.C.,Jeong, K.H. 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.1
$600{\times}1,200mm$ 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ${\pm}5%$의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형증발원을 평가하였다. XRF 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 $$Cu{\leq_-}5%$$, $$In{\leq_-}7%$$, $$Ga{\leq_-}4%$$, $$Se{\leq_-}3%$$으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 하향 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다. In this paper, to develop linear source for evaporating $600{\times}1,200mm$ size of large area CIGS absorber layer, we simulated linear thermal source and obtained ${\pm}5%$ thickness uniformity with various nozzle sizes and regular nozzle distance. Flux density was confirmed linear source length. Using this linear source, we tested thickness uniformity of Copper, Indium single layer which was obtained Cu ${\pm}5%$ and In ${\pm}5%$ thickness uniformity. And then CIGS absorber layers were evaporated with In-line single-stage co-evaporation. Large area CIGS absorber layers were confirmed composition uniformity of $$Cu{\leq_-}5%$$, $$In{\leq_-}7%$$, $$Ga{\leq_-}4%$$, $$Se{\leq_-}3%$$ with 600 mm width by XRF. Uniform shape of CIGS absorber layers was confirmed by SEM. XRD showed peaks which indicate chalcopyrite structure of CIGS absorber layers. Thus, developed linear source is suitable for evaporating CIGS absorber layer.
이원선(W.S.Lee),김상욱(S.U.Kim),석원엽(W.Y.Suk),전희종(H.J.Jeon) 전력전자학회 2003 전력전자학술대회 논문집 Vol.2003 No.7(1)
본 논문은 계통상의 사고나 다양한 전력변환 장치들의 사용증가로 인한 전력품질의 저하의 계측과 분석에 관한 연구이다. DSP 프로세서를 사용하여 전력품질을 분석하며 분석된 data는 특정 서버에서 관리할 수 있도록 모니터링 전용 프로그램을 구성하여 일정기간 동안의 전력품질을 분석한다. <br/> 계측센서를 이용한 data를 제작된 DSP 보드를 통해 실효값으로 계산하고, 전력품질 Indices와 비교 분석하여 특정 서버에 저장하고, 전력품질 저하 대책을 위한 분석 자료로써 활용한다.