http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
사용 환경조건에 따른 Epoxy / Glass Fiber 복합재료의 표면특성
임경범(Kyung-Bum Lim),이백수(Beak Su Lee),황명환(Myung Whan Hwang),김윤선(Yoon Sun Kim),유도현(Do Hyun You),이덕출(Duck-Chool Lee) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
본 연구는 옥외용 epoxy/glass fiber의 열화과정을 분석하기 위하여 FRP 적층판을 고온과 수분에 노출시켰다. 열화과정은 접촉각, 표면전위감쇠, 표면저항률의 비교에 의해 평가하였다. 젖음성의 변화는 열처리 시료에서 200℃까지 접촉각이 증가하였지만 수분처리 시료는 감소하였다. 표면전위감쇠 특정은 수분처리 시료에서는 감소하지만, 열처리 시료는 미처리와 비교해서 증가하였다. 또한, 표면저항률은 접촉각의 변화와 같은 경향을 보이고 있다. In order to analysis the degradation process of epoxy/glass fiber for outdoor condition, FRP laminate was exposed to high temperature and water. Then the degradation process was evaluated by comparing contact angle, surface potential decay, and surface resistivity. For the change of wettability, the contact angle of thermal-treated specimen with the high temperature of 200℃ increased. But that of water-treated specimen decreased. The characteristic of surface potential decay shows the tendency of the remarkable decrease on water-treated specimens, but increase on thermal-treated specimen compared with untreated one. Also, for the surface resistivity, it shows the same trend compared with the change of contact angle.
반도체소자의 절연막응용을 위한 폴리이미드 박막의 제작과 특성
김형권(Hyeong-Gweon Kim),이은학(Eun-Hak Lee),박수홍(Su-Hong Park),이백수(Beak-Su Lee),이덕출(Duck-Chool Lee) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
본 연구에서 폴리이미드 박막을 반도체 소자의 층간 절연막으로 응용하기 위하여 건식법인 진공 증착 중합법으로 제조하고 그 특성을 자세히 조사하였다. 증착 중합된 박막은 열경화에 의해 박막내부의 조밀도가 향상되고, 박막의 표면상태도 균일하여져 양질의 폴리이미드 박막을 제조할 수 있음을 알 수 있었다. 제작된 폴리이미드 박막은 25℃에서 3.2×10^(15) Ω㎝의 저항율과 절연파괴강도 4.61 ㎹/㎝, 유전율 3.9(10 ㎑), 유전손설 0.032(10 ㎑) 값을 나타내었다. 또한 내열특성으로 230℃에서 20,000시간 이상 견딜 수 있다고 예측할 수 있었다. 이는 반도체소자에 사용되고 있는 SiO₂와 비슷한 특성을 갖고 있는 것으로, 반도체공정에서 고분자 절연막을 건식법으로 제조 할 수 있음을 알 수 있다. In this paper, polyimide thin films are fabricated by vapor deposition polymerization method appling to the interlayer insulator of semiconductor device, and are investigated in detail. It is found that the packing density and uniformity of films deposited by thermal evaporation are increased according to curing temperature. The resistivity, breakdown strength, relative permitivity, and dielectric loss are 3.2×10^(15) Ω㎝, 4.61 ㎹/㎝, 3.9(10 ㎑), and 0.032(10 ㎑) at 25℃, respectively. This thin films can be endured at 230℃ for 20,000 hours. Finally, we conclude that the thin films having the characteristics similar to those of SiO₂ can be used as an insulation film between layers of semiconductor device.